【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种具备配置在真空室内并设置有被处理基板的台架的真空处理装置。
技术介绍
1、在半导体器件制造工序中，对于作为被处理基板的硅晶片(以下称为“基板”)的处理面，使用真空成膜装置或干蚀刻装置这类真空处理装置，实施通过cvd法、溅射法或真空蒸镀法进行的成膜处理或干蚀刻处理等各种真空处理。在真空处理装置的真空室内，一般安装有设置了基板的台架。在台架上组装有静电卡盘、加热冷却机构等各种设备，在真空处理时，可以静电吸附基板，或者将基板维持在规定温度。
2、在上述真空处理装置中，虽然包括设置(载置)有基板的台架在内，带有一定的公差地进行组装，但难以将真空处理装置组装成相对于设置在台架上表面的基板的中心机械性、电性地点对称。再有，导入真空室内的处理气体的流动相对于基板中心不是点对称，一般具有一定的偏差。在这样的状态下，例如在通过溅射法实施成膜处理的情况下，存在由于真空处理(成膜)装置的非对称性而导致在基板面内的薄膜厚度分布产生偏差的问题。因此，已知使台架上的基板绕其中心按规定的旋转角旋转(即，使基板的相位沿周向错开)，阶段性地实施成膜处理(例如，参照专利文献1)。
3、在上述现有例中，由于在成膜处理中，将其暂时中断，从真空室取出基板并移送到另一真空室，在该另一真空室内使基板旋转规定旋转角而错开相位，在该状态下再次设置在原来的真空室的台架上，重新开始成膜处理，所以生产效率显著不佳。因此，考虑在台架内组装上下移动自如及旋转自如的基板支撑体，使用基板支撑体使基板的相位错开。但是，例如，如果构成为使基板支撑体与基板
4、现有技术文献
5、专利文献
6、【专利文献1】日本专利公开2018-104738号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的技术问题
2、鉴于以上情况，本专利技术要解决的技术问题在于，提供一种带有台架的真空处理装置，在所述台架上被处理基板不会发生位置偏移，能够绕其中心按规定的旋转角旋转。
3、解决技术问题的手段
4、为了解决上述技术问题，本专利技术的真空处理装置，其具备配置在真空室内且设置有被处理基板的台架；其特征在于，还具备升降旋转机构，其从台架上表面抬起台架上的被处理基板，可在这个抬起位置处，使被处理基板绕其基板中心以规定的旋转角旋转，升降旋转机构具有：组装在台架内进行上下移动及旋转的驱动杆；以及基板支撑体，其包括能够与包含基板中心的被处理基板的中央区域抵接的基端板部和从基端板部向其外侧延伸并能与被处理基板的沿径向的部分抵接的至少2个臂板部；基板支撑体平时没入台架内，被处理基板由通过驱动杆的上移而被抬起的基端板部和臂板部支撑。
5、在本专利技术中，优选在所述台架的与所述被处理基板的抵接面上设置有静电卡盘用的卡板这样的情况下，在卡板的上表面凹陷设置有与基板支撑体的轮廓一致且能够使该基板支撑体没入的收纳空间，在基板支撑体的没入状态下，基板支撑体的上表面与卡板的上表面共面。
6、根据以上所述，由于在通过基板支撑体从台架上抬起被处理基板时，除了使基端板部与基板中央区域抵接之外，沿径向延伸的臂板部也抵接，支撑被处理基板，因此即使是壁薄且直径大的被处理基板，也能够实现在其抬起时或旋转时难以发生被处理基板的位置偏移的结构。在这种情况下，如果将臂板部形成为宽度较窄且细长的形状，并适当设定围绕基端板部以规定间隔设置的各臂板部的个数的话，则在组装有静电卡盘或加热冷却机构等设备的情况下，能够避开卡盘用电极或加热用加热器等配置臂板部，因此可以静电吸附被处理基板，或者防止损害能够将被处理基板维持在规定温度这一功能。而且，在基板支撑体的没入状态下，基板支撑体嵌合于卡板的收纳空间中而与它们的上表面为共面，因此，例如在真空处理时对被处理基板施加偏压电位的情况下，能够抑制产生所谓的偏压不均。另外，在将臂板部设置为例如围绕基端板部以180度间隔设置2个的情况下，如果被处理基板的壁薄且直径大，则在抬起时或旋转时有可能发生位置偏移。在这种情况下，例如在臂板部的前端旋转对称地设置副臂板部即可。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种真空处理装置，其具备配置在真空室内且设置有被处理基板的台架；其特征在于：
2.根据权利要求1所述的真空处理装置，其在所述台架的与所述被处理基板的抵接面上设置有静电卡盘用的卡板，其特征在于：
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种真空处理装置，其具备配置在真空室内且设置有被处理基板的台架；其特征在于：
2.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：藤长彻志，沼田幸展，大久保裕夫，岛田大生，
申请(专利权)人：株式会社爱发科，
类型：发明
国别省市：
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