发光二极管的封装结构及其封装方法技术

一种发光二极管的封装结构及其封装方法，该制法通过于硅基材底面形成第一导电层，接着自该硅基材顶面形成反射腔及电极介层孔；再于该反射腔壁面形成反射层以及于该电极介层孔表面形成第二导电层及金属层，最后设置芯片及填充封装胶体，即可得到本发明专利技术的发光二极管封装结构。相较于现有技术，本发明专利技术无须实施至少两次镀覆处理以于电极介层孔中连接硅基材上下表面的导电层，且可避免导电层于电极介层孔中接合不良的问题，不但简化制程步骤，节省时间，更提升产品整体良率。

【技术实现步骤摘要】
本案涉及一种封装结构及方法，尤指一种发光二极管的封装结构及封装方法。
技术介绍
将半导体制程应用于硅片(Si wafer)，不但可以大量地制作发光二极管基材(LEDsubmount),也能让封装厂商降低成本、提高产量，同时达到更佳的散热效果。第1331415号中国台湾专利案所揭露的技术，即为现有应用半导体制程的发光二极管封装技术。参照此专利案的说明书及图式内容可知，其是在覆盖有绝缘层的硅基材的上、下表面，先分别形成在硅基材的电极介层孔中连接的导电层和电极，接着，再将芯片设置于硅基材上表面的导电层，以进行后续关于打线及封胶的步骤。 然而，前揭专利的技术必须分别在硅基材的上、下表面分别形成导电层和电极，并令导电层和电极于电极介层孔中接合方能完成，所以必须使用制程较为繁琐的溅镀(sputter)技术来形成导电层，间接地增加了厂商的时间与成本。另外，实际实施前揭专利案的技术后也发现到，导电层和电极在硅基材的电极介层孔中的电性连接情形并不理想，也就是说，导电层和电极并不易在硅基材的电极介层孔中完整地进行接合，这也直接导致芯片的发光效果不佳，影响到厂商的产品良率。另外，在后续利用胶带封住电极介层孔然后本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管的封装结构，其包括：硅基材，其具有相对的第一及第二表面、形成于该硅基材内部并连通至该第一表面的反射腔及多个贯穿该反射腔底面及第二表面的电极介层孔；第一导电层，其形成于该第二表面上；第一绝缘层，其形成于该第一表面、反射腔及电极介层孔表面；反射层，其形成于该反射腔壁面的第一绝缘层上；第二导电层，其形成于该电极介层孔的表面并连接该第一导电层；金属层，其形成于该第二导电层表面上；芯片，其设置在该反射腔中，并电性连接该金属层；以及封装胶体，其形成于该反射腔及电极介层孔中，并覆盖该第一绝缘层、反射层、金属层及芯片。

【技术特征摘要】
2011.07.29 TW 1001269531.一种发光二极管的封装结构，其包括 娃基材，其具有相对的第一及第二表面、形成于该娃基材内部并连通至该第一表面的反射腔及多个贯穿该反射腔底面及第二表面的电极介层孔； 第一导电层，其形成于该第二表面上； 第一绝缘层，其形成于该第一表面、反射腔及电极介层孔表面； 反射层，其形成于该反射腔壁面的第一绝缘层上； 第二导电层，其形成于该电极介层孔的表面并连接该第一导电层； 金属层，其形成于该第二导电层表面上； 芯片，其设置在该反射腔中，并电性连接该金属层；以及 封装胶体，其形成于该反射腔及电极介层孔中，并覆盖该第一绝缘层、反射层、金属层及芯片。2.根据权利要求I所述的发光二极管的封装结构，其特征在于，该第一导电层外露出部份该第二表面，且该第二表面对应位于该芯片下方。3.根据权利要求I所述的发光二极管的封装结构，其特征在于，该反射层包括形成于该第一绝缘层上的金属膜及包覆该金属膜的第二绝缘层。4.根据权利要求I所述的发光二极管的封装结构，其特征在于，该反射层还形成于该反射腔底面的第一绝缘层上。5.根据权利要求I所述的发光二极管的封装结构，其特征在于，该第二导电层及金属层突出该反射腔底面。6.一种发光二极管的封装方法，其包括以下步骤 提供具有相对的第一及第二表面的娃基材，且该第二表面上形成有第一导电层；自该第一表面向该硅基材内部形成反射腔，并形成多个贯穿该反射腔底面及第二表面的电极介层孔； 于该第一表面、反射腔及电极介层孔表面形成第一绝缘层； 于该反射腔壁面的第一绝缘层上形成反射层； 于该电极介层孔的表面形成连接该第一导电层的第二导电层； 于该第二导电层表面上形成金属层； 于该反射腔中设置芯片，并电性连接该芯片及金属层；以及 ...

【专利技术属性】
技术研发人员：王日富，黄建屏，李文豪，陈贤文，李明修，
申请(专利权)人：矽品精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：