发光二极管的封装结构及其封装方法技术

一种发光二极管的封装结构及其封装方法，该制法通过于硅基材底面形成第一导电层，接着自该硅基材顶面形成反射腔及电极介层孔；再于该反射腔壁面形成反射层以及于该电极介层孔表面形成第二导电层及金属层，最后设置芯片及填充封装胶体，即可得到本发明专利技术的发光二极管封装结构。相较于现有技术，本发明专利技术无须实施至少两次镀覆处理以于电极介层孔中连接硅基材上下表面的导电层，且可避免导电层于电极介层孔中接合不良的问题，不但简化制程步骤，节省时间，更提升产品整体良率。

【技术实现步骤摘要】
本案涉及一种封装结构及方法，尤指一种发光二极管的封装结构及封装方法。
技术介绍
将半导体制程应用于硅片(Si wafer)，不但可以大量地制作发光二极管基材(LEDsubmount),也能让封装厂商降低成本、提高产量，同时达到更佳的散热效果。第1331415号中国台湾专利案所揭露的技术，即为现有应用半导体制程的发光二极管封装技术。参照此专利案的说明书及图式内容可知，其是在覆盖有绝缘层的硅基材的上、下表面，先分别形成在硅基材的电极介层孔中连接的导电层和电极，接着，再将芯片设置于硅基材上表面的导电层，以进行后续关于打线及封胶的步骤。 然而，前揭专利的技术必须分别在硅基材的上、下表面分别形成导电层和电极，并令导电层和电极于电极介层孔中接合方能完成，所以必须使用制程较为繁琐的溅镀(sputter)技术来形成导电层，间接地增加了厂商的时间与成本。另外，实际实施前揭专利案的技术后也发现到，导电层和电极在硅基材的电极介层孔中的电性连接情形并不理想，也就是说，导电层和电极并不易在硅基材的电极介层孔中完整地进行接合，这也直接导致芯片的发光效果不佳，影响到厂商的产品良率。另外，在后续利用胶带封住电极介层孔然后形成封装胶体(molding compound)的制程中，也容易发生溢胶的问题。
技术实现思路
鉴于现有技术的种种缺失，本专利技术提供一种发光二极管的封装结构及其封装方法，可避免导电层于电极介层孔中接合不良的问题，简化制程步骤，节省时间，更提升产品整体良率。本专利技术所提供的发光二极管的封装结构包括娃基材，具有相对的第一及第二表面、形成于该硅基材内部并连通至该第一表面的反射腔、及多个贯穿该反射腔底面及第二表面的电极介层孔；形成于该第二表面上的第一导电层；形成于该第一表面、反射腔及电极介层孔表面的第一绝缘层；形成于该反射腔壁面的第一绝缘层上的反射层；形成于该电极介层孔的表面并连接该第一导电层的第二导电层；形成于该第二导电层表面上的金属层；设置在该反射腔中并电性连接该金属层的芯片；以及形成于该反射腔及电极介层孔中，并覆盖该第一绝缘层、反射层、金属层及芯片的封装胶体。为得到该发光二极管的封装结构，本专利技术还提供一种发光二极管的封装方法，包括以下步骤提供具有相对的第一及第二表面的硅基材，且该第二表面上形成有第一导电层；自该第一表面向该硅基材内部形成反射腔，并形成多个贯穿该反射腔底面及第二表面的电极介层孔；于该第一表面、反射腔及电极介层孔表面形成第一绝缘层；于该反射腔壁面的第一绝缘层上形成反射层；于该电极介层孔的表面形成连接该第一导电层的第二导电层；于该第二导电层表面上形成金属层；于该反射腔中设置芯片，并电性连接该芯片及金属层；以及于该反射腔及电极介层孔中形成封装胶体，以覆盖该第一绝缘层、反射层、金属层及芯片。相较于现有技术，本专利技术无须实施至少两次镀覆处理以于电极介层孔中连接硅基材上下表面的导电层，且可避免导电层于电极介层孔中接合不良的问题，不但简化制程步骤，节省时间，更提升产品整体良率。而由于本案的技术能借由第一导电层先行封住电极介层孔，所以在后续形成封装胶体(molding compound)的制程中也不易发生溢胶的缺失。附图说明图IA至图IT为本专利技术发光二极管的封装结构及其制法示意图，其中，图1K’图IK的上视图；图1T’用于显示芯片覆晶于反射腔中的示意图。主要组件符号说明 10,10a, 10b, IOc 娃基材100 第一表面101 第二表面11a, lib, Ilc 第一导电层12反射腔13a, 13b电极介层孔14a, 14b, 14c 第一绝缘层15a, 15b, 15c 金属膜16a, 16b, 16c 第二绝缘层17a, 17b, 17c, 17d, He, 17f, 17g 第二导电层18a, 18b, 18c, 18d, 18e, 18f, 18g 金属层19 芯片30封装胶体20a, 20b, 21a, 21b 介电层22 干膜22’图案化干膜23a，23b图案化光阻24 开口25, 25a, 25b, 25c 第一阻层26a, 26b, 26c, 26d 第二阻层250第一阻层开口。具体实施例方式以下借由特定的具体实施例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本专利技术的其它优点及功效。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技艺的人士的了解与阅读，并非用以限定本专利技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本专利技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本专利技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“第一”、“第二”及“底面”等用语，也仅为便于叙述的明了，而非用以限定本专利技术可实施的范围，其相对关的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当也视为本专利技术可实施的范畴。请依序参阅图IA至图1T，以充分了解本案提供的发光二极管的封装结构及发光二极管的方法。参照图IA至图IE可知，其先提供具有相对的第一表面100及第二表面101的硅基材10,并于娃基材10的第二表面101形成第一导电层11a, lib。如图IA所不,娃基材10的第一表面100可依序形成有例如为SiO2的介电层20a及例如为SiNx的介电层21a，同时，第二表面101也可依序形成有例如为SiO2的介电层20b及例如为SiNx的介电层21b。当然，也可仅形成一层介电层，端视不同的需求而定。又如图IB及图IC所示，通过涂覆干膜22及如微影的图案化手段，于该第二表面101上的介电层20b，21b上形成图案化干膜22’。接着，移除未为该图案化干膜22’覆盖的 介电层20b,21b,以外露出第二表面101。再如图ID所不，于外露出的第二表面101沉积(deposite)形成第一导电层Ila及第一导电层11b，同时，于中央的图案化干膜22’上也可沉积有第一导电层11c。而如图IE所示，移除该图案化干膜22’及其覆盖的介电层20b，21b，也就是说，剥除(strip)第二表面101中央区域上残留的第一导电层11c、图案化干膜22’、介电层20b，21b,以令第二表面101能从第一导电层Ila及第一导电层Ilb间外露。参照图IF至图IL可知,其说明在完成第一导电层11a, Ilb后,于第一表面100形成反射腔12,并形成贯穿第一表面100及第二表面101的电极介层孔13a, 13b。如图IF所示，于该第一表面100上的介电层21a形成图案化光阻(photoresist) 23a，23b，而图案化光阻23a，23b间形成有开口(opening) 24，开口 24外露出部份该介电层21a,且外露出的部份介电层21a的投影面积涵盖第一导电层11a, Ilb间外露出的第二表面101的面积。接着，将开口 24中未被图案化光阻23a，23b覆盖的介电层20a及介电层21a利用如蚀刻(etch)的方式予以去除,如图IG所不，以露出部份的第一表面100。又如图IH所示，又以图案化光阻23a，23b为屏蔽，利用蚀刻的方式向该硅基材10内部形成例如为梯形的反射腔12，而反射腔12连通至第一表面100。再如图II所示，在形成反射腔12后，移本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管的封装结构，其包括：硅基材，其具有相对的第一及第二表面、形成于该硅基材内部并连通至该第一表面的反射腔及多个贯穿该反射腔底面及第二表面的电极介层孔；第一导电层，其形成于该第二表面上；第一绝缘层，其形成于该第一表面、反射腔及电极介层孔表面；反射层，其形成于该反射腔壁面的第一绝缘层上；第二导电层，其形成于该电极介层孔的表面并连接该第一导电层；金属层，其形成于该第二导电层表面上；芯片，其设置在该反射腔中，并电性连接该金属层；以及封装胶体，其形成于该反射腔及电极介层孔中，并覆盖该第一绝缘层、反射层、金属层及芯片。

【技术特征摘要】
2011.07.29 TW 1001269531.一种发光二极管的封装结构，其包括 娃基材，其具有相对的第一及第二表面、形成于该娃基材内部并连通至该第一表面的反射腔及多个贯穿该反射腔底面及第二表面的电极介层孔； 第一导电层，其形成于该第二表面上； 第一绝缘层，其形成于该第一表面、反射腔及电极介层孔表面； 反射层，其形成于该反射腔壁面的第一绝缘层上； 第二导电层，其形成于该电极介层孔的表面并连接该第一导电层； 金属层，其形成于该第二导电层表面上； 芯片，其设置在该反射腔中，并电性连接该金属层；以及 封装胶体，其形成于该反射腔及电极介层孔中，并覆盖该第一绝缘层、反射层、金属层及芯片。2.根据权利要求I所述的发光二极管的封装结构，其特征在于，该第一导电层外露出部份该第二表面，且该第二表面对应位于该芯片下方。3.根据权利要求I所述的发光二极管的封装结构，其特征在于，该反射层包括形成于该第一绝缘层上的金属膜及包覆该金属膜的第二绝缘层。4.根据权利要求I所述的发光二极管的封装结构，其特征在于，该反射层还形成于该反射腔底面的第一绝缘层上。5.根据权利要求I所述的发光二极管的封装结构，其特征在于，该第二导电层及金属层突出该反射腔底面。6.一种发光二极管的封装方法，其包括以下步骤 提供具有相对的第一及第二表面的娃基材，且该第二表面上形成有第一导电层；自该第一表面向该硅基材内部形成反射腔，并形成多个贯穿该反射腔底面及第二表面的电极介层孔； 于该第一表面、反射腔及电极介层孔表面形成第一绝缘层； 于该反射腔壁面的第一绝缘层上形成反射层； 于该电极介层孔的表面形成连接该第一导电层的第二导电层； 于该第二导电层表面上形成金属层； 于该反射腔中设置芯片，并电性连接该芯片及金属层；以及 ...

【专利技术属性】
技术研发人员：王日富，黄建屏，李文豪，陈贤文，李明修，
申请(专利权)人：矽品精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：