发光二极管封装结构及其制造方法技术

一种发光二极管封装结构的制造方法，包括：提供一发光二极管封装结构组合；其中，发光二极管封装结构组合包括有一基板层、位于该基板层上的一发光二极管芯片组、及包覆该发光二极管芯片组的一封装胶层；以一第一刀具自该封装胶层开始切割直至切割于该基板层，并在该基板层形成有多道切割槽；及以一第二刀具沿该基板层上的该些切割槽开始切割该基板层，直至穿透该基板层，以形成相互分离的多个发光二极管封装结构；其中，该第一刀具的硬度大于第二刀具的硬度，该第二刀具的厚度小于该第一刀具的厚度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关一种发光二极管，且特别是有关于一种发光二极管封装结构及其制造方法。
技术介绍
现有发光二极管封装结构的制造方法大都是以单个刀具，切割发光二极管封装结构组合以形成多个现有的发光二极管封装结构。其中，上述发光二极管封装结构组合是包含有硬度不同且相互堆叠的封装胶体与基板，而当以上述刀具切割相互堆叠的封装胶体与基板时，由于选用了较低硬度的封装胶体，受到刀具切削磨耗的部位较基板少，因而使得封装胶体的切割边缘易突伸出相邻的基板切割边缘，进而造成发光二极管封装结构的生产良率下降。于是，本专利技术人有感上述缺陷的可改善，乃特潜心研究并配合学理的运用，终于提出一种设计合理且有效改善上述缺陷的本专利技术。
技术实现思路
本专利技术实施例在于提供一种发光二极管封装结构及其制造方法，能有效地解决现有发光二极管封装结构及其制造方法所易产生的缺陷。本专利技术实施例提供一种发光二极管封装结构的制造方法，包括：提供一发光二极管封装结构组合；其中，发光二极管封装结构组合包括有一基板层、位于该基板层上的一第一金属层、位于该第一金属层上的一发光二极管芯片组、及包覆该第一金属层与该发光二极管芯片组的一封装胶层；以一第一刀具自该封装胶层开始切割直至切割于该基板层，并在该基板层形成有多道切割槽，以使该封装胶层形成相互分离的多个封装胶体；及以一第二刀具沿该基板层上的该些切割槽开始切割该基板层，直至穿透该基板层，以使该基板层形成相互分离的多个基板，并且该发光二极管封装结构组合形成相互分离的多个发光二极管封装结构；其中，该第一刀具的硬度大于该第二刀具的硬度，该第二刀具的厚度小于该第一刀具的厚度。其中，该基板层包含有一有效区块及围绕于该有效区块的一无效区块，该发光二极管封装结构组合定义有多条纵横排列的切割线，并且该些切割线的起讫标记设在该基板层的该无效区块上；而该第一刀具是沿着该些切割线自该封装胶层开始切割，任一切割线上的该封装胶层部位的厚度小于150μm。其中，该第一刀具切割至该基板层的深度大致为75±25μm。其中该第一刀具为一电镀法的钻石切割刀，该第二刀具为一树脂法的钻石切割刀，该第一刀具的厚度介于200～350μm，该第二刀具的厚度小于或等于200μm。本专利技术实施例另提供一种发光二极管封装结构，包括：一基板，具有位于相反侧的一第一板面与一第二板面、位于该第一板面与该第二板面之间的一外环侧面、及位在该第一板面与该外环侧面之间的一沟槽；其中，该沟槽呈环状且包含有相连于该第一板面的一内环侧面及相连于该内环侧面与该外环侧面之间的一阶面；一导电线路，位于该基板的该第一板面上；一发光二极管芯片，安装于该导电线路上；以及一封装胶体，形成于该基板的该第一板面上并且包覆该导电线路及该发光二极管芯片，该封装胶体包含有一第一区块及围绕在该第一区块周围的一第二区块；其中，该第二区块突伸出该基板的该第一板面，并且该第二区块的一环侧面与该基板的该外环侧面大致切齐。其中，该沟槽的宽度定义为该内环侧面与该外环侧面之间的距离，且该沟槽的宽度大致为50±25μm，该沟槽的深度定义为该第一板面与该阶面之间的距离，且该沟槽的深度大致为75±25μm。其中，该封装胶体为一甲基硅树脂，该封装胶体的肖氏硬度介于50～70之间，该封装胶体的拉伸长度大于100％并小于250％。其中，该封装胶体为一甲基硅树脂，该封装胶体的肖氏硬度介于50～60之间，该封装胶体的拉伸长度大于160％并小于190％，该封装胶体的光折射率大致为1.41。其中，该封装胶体的该第二区块厚度定义为T，该发光二极管芯片的可视角度定义为θ，并且该第二区块厚度以及该发光二极管芯片的可视角度符合方程式：θ＝138.75-(1.2T/25.4)。其中，该封装胶体的该第二区块厚度小于该基板的厚度，并且该封装胶体的该第二区块厚度大致为75～125μm。综上所述，本专利技术实施例所提供的发光二极管封装结构及其制造方法，透过先以厚度较厚且较硬的第一刀具切割封装胶层和部分的基板层，再以厚度较小且较软的第二刀具切割基板层，使得切割后所得到的每颗发光二极管封装结构的封装胶体的环侧面能够大致切齐于基板的外环侧面，借以有效地提升发光二极管封装结构的生产良率。为使能更进一步了解本专利技术的特征及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，但是此等说明与所附图式仅系用来说明本专利技术，而非对本专利技术的权利范围作任何的限制。附图说明图1为本专利技术发光二极管封装结构的制造方法的步骤S110示意图。图2为图1沿剖线Ⅱ-Ⅱ的剖视示意图。图3为本专利技术发光二极管封装结构的制造方法的步骤S130示意图。图4为图3沿剖线Ⅳ-Ⅳ的剖视示意图。图5为本专利技术发光二极管封装结构的制造方法的步骤S150示意图。图6为图5沿剖线Ⅵ-Ⅵ的剖视示意图。图7为本专利技术发光二极管封装结构的制造方法所完成的多个发光二极管封装结构示意图。图8为本专利技术发光二极管封装结构的立体示意图。图9为图8另一视角的立体示意图。图10为本专利技术发光二极管封装结构的分解示意图。图11为图10另一视角的分解示意图。图12为图8沿剖线XⅡ-XⅡ的剖视示意图。图13为本专利技术发光二极管封装结构省略封装胶体后的平面示意图。【符号说明】1000发光二极管封装结构组合100发光二极管封装结构10基板层10a有效区块1基板(如：陶瓷基板)11第一板面12第二板面13外环侧面14沟槽141内环侧面142阶面15导电柱10b无效区块10c切割槽20第一金属层2导电线路21第一线路211发光二极管固晶区块212齐纳二极管固晶区块213第一延伸部22第二线路221发光二极管打线区块222齐纳二极管打线区块223第二延伸部30第二金属层3金属垫组31焊垫32导热垫40发光二极管芯片组4发光二极管芯片(如：UVA发光二极管芯片)50齐纳二极管芯片组5齐纳二极管芯片60封装胶层6封装胶体61第一区块(如：凸透镜)62第二区块621环侧面P第一刀具(如：P法刀)B第二刀具(如：B法刀)T厚度(第二区块的厚度)L切割线M起讫标记D深度(沟槽的深度)W宽度(沟槽的宽度)W1厚度(第一刀具的厚度)W2厚度(第二刀具的厚度)具体实施方式[发光二极管封装结构的制造方法]请参阅图1至图7，其为本专利技术的一实施例，需先说明的是，本实施例对应图式所提及的相关数量，仅用以具体地说明本实施例的实施方式，以便于了解其内容，而非用以局限本专利技术的权利范围。再者，为便于解释本实施例的具体内容，下述说明所对应的图式主要以平面图呈现。本实施例提供一种发光二极管封装结构的制造方法，包括步骤如下：步骤S110：如图1和图2所示，提供一发光二极管封装结构组合1000。其中，上述发光二极管封装结构组合1000包含一基板层10、分别设置于基板层10相反两表面的一第一金属层20与一第二金属层30、设置于第一金属层20上的一发光二极管芯片组40与一齐纳二极管芯片组(图略)、及包覆该发光二极管芯片组40、第一金属层20、及齐纳二极管芯片组的一封装胶层60。其中，上述基板层10包含有一有效区块10a及围绕在上述有效区块10a旁的一无效区块10b；第一金属层20与第二金属层30形成于基板层10的有效区块10a上，且第一金属层20包含有形成于基板层10第一板面11的多个导电线路2，第二金本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于，所述发光二极管封装结构的制造方法包括：提供一发光二极管封装结构组合；其中，发光二极管封装结构组合包括有一基板层、位于该基板层上的一第一金属层、位于该第一金属层上的一发光二极管芯片组、及包覆该第一金属层与该发光二极管芯片组的一封装胶层；以一第一刀具自该封装胶层开始切割直至切割于该基板层，并在该基板层形成有多道切割槽，以使该封装胶层形成相互分离的多个封装胶体；及以一第二刀具沿该基板层上的该些切割槽开始切割该基板层，直至穿透该基板层，以使该基板层形成相互分离的多个基板，并且该发光二极管封装结构组合形成相互分离的多个发光二极管封装结构；其中，该第一刀具的硬度大于该第二刀具的硬度，该第二刀具的厚度小于该第一刀具的厚度。

【技术特征摘要】
2015.09.25 US 62/232,5221.一种发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于，所述发光二极管封装结构的制造方法包括：提供一发光二极管封装结构组合；其中，发光二极管封装结构组合包括有一基板层、位于该基板层上的一第一金属层、位于该第一金属层上的一发光二极管芯片组、及包覆该第一金属层与该发光二极管芯片组的一封装胶层；以一第一刀具自该封装胶层开始切割直至切割于该基板层，并在该基板层形成有多道切割槽，以使该封装胶层形成相互分离的多个封装胶体；及以一第二刀具沿该基板层上的该些切割槽开始切割该基板层，直至穿透该基板层，以使该基板层形成相互分离的多个基板，并且该发光二极管封装结构组合形成相互分离的多个发光二极管封装结构；其中，该第一刀具的硬度大于该第二刀具的硬度，该第二刀具的厚度小于该第一刀具的厚度。2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其中，该基板层包含有一有效区块及围绕于该有效区块的一无效区块，该发光二极管封装结构组合定义有多条纵横排列的切割线，并且该些切割线的起讫标记设在该基板层的该无效区块上；而该第一刀具是沿着该些切割线自该封装胶层开始切割，任一切割线上的该封装胶层部位的厚度小于150μm。3.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其中，该第一刀具切割至该基板层的深度大致为75±25μm。4.如权利要求1至3中任一权利要求所述的发光二极管封装结构的制造方法，其中该第一刀具为一电镀法的钻石切割刀，该第二刀具为一树脂法的钻石切割刀，该第一刀具的厚度介于200～350μm，该第二刀具的厚度小于或等于200μm。5.一种发光二极管封装结构，其特征在于，所述发光二极管封装结构包括：一基板，具...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭瀚兴，李恒毅，邱国铭，周孟松，
申请(专利权)人：光宝光电常州有限公司，光宝科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32