发光二极管封装结构制造技术

本发明专利技术公开一种发光二极管封装结构。发光二极管封装结构包括一载体、一发光单元、一波长转换层及一反射结构。载体具有一承载面。发光单元设置于承载面上，并具有一发光面。波长转换层设置于发光单元上，波长转换层具有面向发光面的一入光面、相对于入光面的一上出光面，以及连接上出光面及入光面的一侧出光面。反射结构设置于承载面上，反射结构具有一内侧反射面，反射结构环绕发光单元以及波长转换层，反射结构的顶部具有一上反射面，其与内侧反射面相连。上反射面所在的高度位置高于入光面的高度位置，且低于上出光面的高度位置。如此，发光二极管封装结构具有较佳的发光效率。发光二极管封装结构具有较佳的发光效率。发光二极管封装结构具有较佳的发光效率。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管封装结构


[0001]本专利技术涉及一种封装结构，特别是涉及一种发光二极管封装结构。

技术介绍

[0002]发光二极管具有低耗电、寿命长以及发光效率佳的优点，且可耐受多次重复开关的动作，因此，发光二极管逐渐取代市面上的荧光灯，作为照明用光源。一般来说，发光二极管中的材料与金属电极，容易因外界的水气与氧气而氧化，因此，为了防止水气及氧气与发光二极管接触，一般会对发光二极管进行封装。
[0003]请参阅图12所示，图12为现有技术中的其中一种发光二极管封装结构。发光二极管作为一发光单元20
’
，并设置于一载体10
’
上。发光单元20
’
上设置有一波长转换层40
’
，如此一来，当发光单元20
’
发出的光线通过波长转换层40
’
之后，便会转换成特定的颜色。另可在发光单元20
’
与波长转换层40
’
之间设置一黏着层30
’
。载体10
’
上设置有一反射结构50
’
，反射结构50
’
环绕发光单元20
’
以及波长转换层40
’
，且反射结构50
’
的一上反射面51
’
与波长转换层40
’
的一上出光面42
’
齐平。
[0004]然而，在图12的发光二极管封装结构中，波长转换层40
’<br/>的全部侧出光面43
’
以及发光单元20
’
的全部侧面22
’
皆与反射结构50
’
接触，因此，波长转换层40
’
的全部侧出光面43
’
和发光单元20
’
的全部侧面22
’
所发出的光无法宣泄出来，进而对发光二极管封装结构的发光亮度产生负面影响，且容易产生黄晕现象(yellow-ring effect)。
[0005]图13是图12所示的发光二极管封装结构的配光曲线仿真图(simulation diagram of light distribution curve)。由图13可得知，现有技术中的发光二极管封装结构，在各个角度的光强度差距较大，故具有出光均匀性较差的问题。
[0006]请参阅图14所示，图14为现有技术中的另外一种发光二极管封装结构。图14所示的发光二极管封装结构与图12所示的发光二极管封装结构相似，其差异在于：发光二极管封装结构还进一步包括一填隙胶体70
’
，并且，发光单元20包括多个发光二极管芯片。多个发光二极管芯片彼此间隔排列，因此，填隙胶体70不仅填充于发光单元20与反射结构50之间，也填充于多个发光二极管芯片之间。
[0007]类似的，在图14的发光二极管封装结构中，反射结构50
’
的上反射面51
’
与波长转换层40
’
的上出光面42
’
齐平。因此，图14的发光二极管封装结构，也具有发光效率较差以及容易产生黄晕现象(yellow-ring effect)的问题。
[0008]据此，现有技术中的发光二极管的封装结构仍有待改善，以维持发光二极管本身体积小的优势，并提升发光二极管于封装后的发光效率。

技术实现思路

[0009]本专利技术所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种发光二极管封装结构。
[0010]为了解决上述的技术问题，本专利技术所采用的其中一技术方案是提供一种发光二极
管封装结构。所述发光二极管封装结构包括一载体、一发光单元、一波长转换层以及一反射结构。所述载体具有一承载面。所述发光单元设置于所述承载面上，所述发光单元具有一发光面。所述波长转换层设置于所述发光单元上，所述波长转换层具有面向所述发光面的一入光面，及相对于所述入光面的一上出光面，以及连接所述上出光面及所述入光面的一侧出光面。所述反射结构设置于所述承载面上，所述反射结构具有一内侧反射面，其环绕所述发光单元以及所述波长转换层，所述反射结构的顶部具有一上反射面，其与所述内侧反射面相连。其中，所述上反射面所在的高度位置高于所述入光面的高度位置，且低于所述上出光面的高度位置。
[0011]本专利技术的其中一有益效果在于，本专利技术所提供的发光二极管封装结构，其能通过“所述上反射面所在的高度位置高于所述入光面的高度位置，且低于所述上出光面的高度位置”的技术方案，以提升发光二极管封装结构的发光效率。
[0012]为使能更进一步了解本专利技术的特征及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，然而所提供的附图仅用于提供参考与说明，并非用来对本专利技术加以限制。
附图说明
[0013]图1为本专利技术第一实施例的发光二极管封装结构的侧视剖面图。
[0014]图2为本专利技术第二实施例的发光二极管封装结构的侧视剖面图。
[0015]图3为本专利技术第三实施例的发光二极管封装结构的侧视剖面图。
[0016]图4为本专利技术第四实施例的发光二极管封装结构的侧视剖面图。
[0017]图5为本专利技术第五实施例的发光二极管封装结构的侧视剖面图。
[0018]图6为本专利技术第六实施例的发光二极管封装结构的侧视剖面图。
[0019]图7为本专利技术第七实施例的发光二极管封装结构的侧视剖面图。
[0020]图8为本专利技术第八实施例的发光二极管封装结构的侧视剖面图。
[0021]图9为本专利技术第九实施例的发光二极管封装结构的侧视剖面图。
[0022]图10为本专利技术第十实施例的发光二极管封装结构的侧视剖面图。
[0023]图11为本专利技术第一实施例的发光二极管封装结构的配光曲线仿真图。
[0024]图12为现有技术中其中一发光二极管封装结构的侧视剖面图。
[0025]图13为图12所示的发光二极管封装结构的配光曲线仿真图。
[0026]图14为现有技术中另外一发光二极管封装结构的侧视剖面图。
具体实施方式
[0027]以下是通过特定的具体实例，来说明本专利技术所公开有关“发光二极管封装结构”的实施方式。
[0028]为了克服现有的发光二极管于封装后，发光效率降低的缺点，本专利技术提供一种发光二极管封装结构。在本专利技术的发光二极管封装结构中，反射结构环绕于波长转换层，但不完全遮挡波长转换层的侧出光面。如此，可减少被反射结构吸收的光线，并达到提升发光效率的效果。
[0029]请参阅图1所示，本专利技术的发光二极管封装结构包括：一载体10、一发光单元20、一黏着层30、一波长转换层40以及一反射结构50。
[0030]载体10具有一承载面11。
[0031]发光单元20设置于载体10的承载面11上，发光单元20具有一发光面21及一侧面22，发光面21位于发光单元20背对本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管封装结构，其特征在于，所述发光二极管封装结构包括：一载体，其具有一承载面；一发光单元，其设置于所述承载面上，所述发光单元具有一发光面；一波长转换层，其设置于所述发光单元上，所述波长转换层具有面向所述发光面的一入光面，及相对于所述入光面的一上出光面，以及连接所述上出光面及所述入光面的一侧出光面；以及一反射结构，其设置于所述承载面上，所述反射结构具有一内侧反射面，其环绕所述发光单元以及所述波长转换层，所述反射结构的顶部具有一上反射面，其与所述内侧反射面相连；其中，所述上反射面所在的高度位置高于所述入光面的高度位置，且低于所述上出光面的高度位置。2.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述反射结构的所述上反射面与所述承载面平行。3.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述反射结构的所述上反射面相对于所述承载面倾斜一预定角度，所述预定角度为大于0度至小于90度。4.根据权利要求3所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述预定角度为25度至65度。5.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述发光二极管封装结构还进一步包括一透光体，所述透光体设置于所述上反射面上，并且与所述波长转换层的所述侧出光面相接触。6.根据权利要求5所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述透光体的...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾树勇，李鹏飞，张利，
申请(专利权)人：光宝光电常州有限公司，
类型：发明
国别省市：