本发明专利技术公开了一种发光装置，包括一基础结构、一光源部及一波长转换结构。光源部设置于基础结构上，用以发出波长在380纳米至700纳米的范围内的第一光，波长转换结构设置于第一光的光路径上，波长转换结构适可将部分的第一光转换成第二光，且第二光与剩余的第一光结合后形成一结合频谱。结合频谱具有380纳米至620纳米的第一波长段、660纳米至780纳米的第二波长段及接续在第一波长段与第二波长段之间的中间波长段，第一波长段的强度值呈上升趋势，第二波长段的强度值呈下降趋势，第二波长段的强度值的下降趋势比第一波长段的强度值的上升趋势更陡。借此，可以消除或降低由红光引起的干扰。干扰。干扰。
【技术实现步骤摘要】
发光装置
[0001]本专利技术涉及一种发光装置，特别是涉及一种结合频谱范围涵盖紫光波段到红光波段的发光装置。
技术介绍
[0002]随着居家及办公室的安全意识逐渐提高，越来越多人安装监视设备以达到自我保护的目的，而大多监视设备会采用具红外线摄像功能的摄影机，以在天色昏暗的情况下能拍摄到清楚的影像。然而摄影机中的红外光光源通常包含红光波段，因此当摄影机驱动时会被路人察觉到红色光点(俗称红暴现象)。为消除此种红暴现象，有一些摄影机制造商会在红外光光源附近加装可见光发光元件以平衡红色亮点，然而可见光发光元件也包含些微的红外光波段，又会影响到摄影机的影像清晰度。对此，可在可见光发光元件上加装一红外光滤波器以移除红外光波段，然而此作法会降低能量利用率，并且会增加成本。
[0003]对此，如何降低红暴现象并提高能量利用率，为业界亟欲解决的课题。
技术实现思路
[0004]本专利技术主要着重于解决红光干扰问题，所采用的技术手段是：利用波长转换结构将光源部所发出波长在350纳米至700纳米的范围内的第一光部分转换成第二光，且第二光与剩余的第一光结合后形成一特殊形式的结合频谱。
[0005]为了解决上述的技术问题，本专利技术所采用的一技术方案是提供一种发光装置，其包括一基础结构、一光源部及一波长转换结构。所述光源部设置于所述基础结构上，用以发出波长在350纳米至700纳米的范围内的第一光。所述波长转换结构设置于所述第一光的光路径上，所述波长转换结构适可将部分的所述第一光转换成第二光，且所述第二光与剩余的所述第一光结合后形成一结合频谱。所述结合频谱具有380纳米至620纳米的第一波长段、660纳米至780纳米的第二波长段及接续在所述第一波长段与所述第二波长段之间的中间波长段，所述第一波长段的强度值呈上升趋势，所述第二波长段的强度值呈下降趋势，且所述第二波长段的强度值的下降趋势比所述第一波长段的强度值的上升趋势更陡。
[0006]在本专利技术的一实施例中，所述第二波长段的强度值的下降斜率的绝对值大于所述第一波长段的强度值的上升斜率的绝对值。
[0007]在本专利技术的一实施例中，所述中间波长段具有一波峰。
[0008]在本专利技术的一实施例中，所述第一波长段在440纳米波长处具有小于所述波峰的峰值强度的30％的强度。
[0009]在本专利技术的一实施例中，所述第一波长段在600纳米波长处具有小于所述波峰的峰值强度的80％的强度。
[0010]在本专利技术的一实施例中，所述结合频谱中对应380纳米至所述波峰峰值的积分面积与对应所述波峰峰值至780纳米的积分面积的比值为1.403
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5.248:1。在本专利技术的一实施例中，所述光源部包括一或多个350纳米至420纳米的发光元件、一或多个420纳米至480纳
米的发光元件、一或多个600纳米至700纳米的发光元件或它们的任意组合。
[0011]在本专利技术的一实施例中，所述波长转换结构含有一波长转换材料，且所述波长转换材料包括一蓝色荧光粉、一黄色荧光粉、一绿色荧光粉、一橘色荧光粉、一红色荧光粉或它们的任意组合。
[0012]在本专利技术的一实施例中，所述光源部包括一或多个350纳米至420纳米的发光元件。
[0013]在本专利技术的一实施例中，所述光源部更包括一600纳米至700纳米的发光元件。
[0014]在本专利技术的一实施例中，所述波长转换结构仅设置于所述一或多个350纳米至420纳米的发光元件上。
[0015]在本专利技术的一实施例中，所述光源部包括一350纳米至420纳米的发光元件及一420纳米至480纳米的发光元件。
[0016]在本专利技术的一实施例中，所述波长转换结构包括第一波长转换层及第二波长转换层，所述第一波长转换层设置于所述350纳米至420纳米的发光元件上，且包含第一波长转换材料，所述第二波长转换层设置于所述420纳米至480纳米的发光元件上，且包含第二波长转换材料；其中，所述第一波长转换材料为一橘色荧光粉、一绿色荧光粉与一蓝色荧光粉的组合，且所述第二波长转换材料为一红色荧光粉与一绿色荧光粉的组合。
[0017]在本专利技术的一实施例中，所述光源部包括一350纳米至420的紫光发光元件、一420纳米至480纳米的蓝光发光元件及一600纳米至700纳米的红光发光元件。
[0018]在本专利技术的一实施例中，所述波长转换结构包括第一波长转换层及第二波长转换层，所述第一波长转换层设置于所述350纳米至420纳米的发光元件上，且包含第一波长转换材料，所述第二波长转换层设置于所述420纳米至480纳米的发光元件上，且包含第二波长转换材料；其中，所述第一波长转换材料为一绿色荧光粉与一蓝色荧光粉的组合，所述第二波长转换材料为一红色荧光粉与一绿色荧光粉的组合。
[0019]在本专利技术的一实施例中，所述基础结构包括一载体及一设置于所述载体上的反射结构，所述载体与所述反射结构构成一容置腔，用以容置一350纳米至420纳米的发光元件、一420纳米至480纳米的发光元件或一600纳米至700纳米的发光元件。
[0020]在本专利技术的一实施例中，所述载体具有第一区域及第二区域，所述第一区域内设有一导电界面，所述350纳米至420纳米的发光元件、所述420纳米至480纳米的发光元件或所述600纳米至700纳米的发光元件设置于所述第二区域内，并与所述导电界面形成电连接。
[0021]在本专利技术的一实施例中，所述基础结构更包括位于所述第一区域与所述第二区域之间的一绝缘层，且所述绝缘层将所述350纳米至420纳米的发光元件、所述420纳米至480纳米的发光元件或所述600纳米至700纳米的发光元件与所述导电界面分隔开。
[0022]在本专利技术的一实施例中，所述350纳米至420纳米的发光元件、所述420纳米至480纳米的发光元件或所述600纳米至700纳米的发光元件通过一导线与所述导电界面形成电连接，所述导线从所述第一区域延伸至所述第二区域，且经过所述绝缘层的上方。
[0023]在本专利技术的一实施例中，所述绝缘层的厚度小于所述350纳米至420纳米的发光元件、所述420纳米至480纳米的发光元件或所述600纳米至700纳米的发光元件的高度。
[0024]本专利技术的其中一有益效果在于，本专利技术的发光装置，其能通过“所述波长转换结构
设置于所述第一光的光路径上，所述波长转换结构适可将部分的所述第一光转换成第二光，且所述第二光与剩余的所述第一光结合后形成一结合频谱”以及“所述结合频谱具有380纳米至620纳米的第一波长段、660纳米至780纳米的第二波长段及接续在所述第一波长段与所述第二波长段之间的中间波长段，所述第一波长段的强度值呈上升趋势，所述第二波长段的强度值呈下降趋势，且所述第二波长段的强度值的下降趋势比所述第一波长段的强度值的上升趋势更陡”的技术特征，以维持实际应用需要的红光强度，同时又不会产生红暴现象。
[0025]更进一步来说，本专利技术的发光装置在实际应用时，可以避免人眼察觉到红光(红本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种发光装置，其特征在于，所述发光装置包括：一基础结构；一光源部，设置于所述基础结构上，用以发出波长在350纳米至700纳米的范围内的一第一光；以及一波长转换结构，设置于所述第一光的一光路径上，所述波长转换结构适可将部分的所述第一光转换成一第二光，且所述第二光与剩余的所述第一光结合后形成一结合频谱；其中，所述结合频谱具有380纳米至620纳米的第一波长段、660纳米至780纳米的第二波长段及接续在所述第一波长段与所述第二波长段之间的中间波长段，所述第一波长段的强度值呈上升趋势，所述第二波长段的强度值呈下降趋势，且所述第二波长段的强度值的下降趋势比所述第一波长段的强度值的上升趋势更陡。2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述第二波长段的强度值的下降斜率的绝对值大于所述第一波长段的强度值的上升斜率的绝对值。3.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述中间波长段具有一波峰。4.根据权利要求3所述的发光装置，其特征在于，所述第一波长段在440纳米波长处具有小于所述波峰的峰值强度的30％的强度。5.根据权利要求3所述的发光装置，其特征在于，所述第一波长段在600纳米波长处具有小于所述波峰的峰值强度的80％的强度。6.根据权利要求3所述的发光装置，其特征在于，所述结合频谱中对应380纳米至所述波峰峰值的积分面积与对应所述波峰峰值至780纳米的积分面积的比值为2.304
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5.248:1。7.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述光源部包括一或多个350纳米至420纳米的发光元件、一或多个420纳米至480纳米的发光元件、一或多个600纳米至700纳米的发光元件或它们的任意组合。8.根据权利要求7所述的发光装置，其特征在于，所述波长转换结构含有一波长转换材料，且所述波长转换材料包括一蓝色荧光粉、一黄色荧光粉、一绿色荧光粉、一橘色荧光粉、一红色荧光粉或它们的任意组合。9.根据权利要求7所述的发光装置，其特征在于，所述光源部包括一或多个350纳米至420纳米的发光元件。10.根据权利要求9所述的发光装置，其特征在于，所述光源部更包括一600纳米至700纳米的发光元件。11.根据权利要求9所述的发光装置，其特征在于，所述波长转换结构仅设置于所述一或多个350纳米至420纳米的发光元件上。12.根据权利要求7所述的发光装置，其特征在于，所述光源部包括一350纳米至420纳米的发光元件及一420纳米至480纳米的发光元件。13.根据权利要求12所述的发光装置，其特征在于，所述波长转换结构包括第一波长转换...
【专利技术属性】
技术研发人员：贾树勇，李鹏飞，
申请(专利权)人：光宝光电常州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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