发光装置制造方法及图纸

本申请公开一种发光装置，包括一载体、一发光二极管芯片以及一波长转换结构。发光二极管芯片设置于载体上，用以发出一第一光束，其具有一介于900纳米与1000纳米之间的波峰，波长转换结构位于发光二极管芯片上，用以将部分的第一光束转换成一第二光束，其具有一介于400纳米与700纳米之间的转换频谱。因此，可以消除或降低红光的干扰影响。消除或降低红光的干扰影响。消除或降低红光的干扰影响。

【技术实现步骤摘要】
发光装置


[0001]本申请涉及一种发光装置，特别是涉及一种采用近红外光发光二极管的发光装置，其应用范围包括侦测器、监视器、车牌辨识用摄影机等。

技术介绍

[0002]随着居家及办公室的安全意识逐渐提高，越来越多人安装监视设备以达到自我保护的目的，而大多监视设备会采用具红外线摄像功能的摄影机。然传统的监视设备因红外光LED芯片仍会放射出部分红色波段的光，因此其红外光LED芯片位置会产生红色亮点。
[0003]然，目前实际应用上，红色亮点会产生诸多困扰。例如一般道路上车牌辨识系统是使用红光作为辨识光源，因此当监视设备产生红色亮点时会造成辨识上干扰。另外，对于路人，监视设备的红色亮点会与交通号志中的红色灯号产生混淆，影响道路安全。
[0004]为了避免此类摄影发出的红光对人眼及其他设备造成干扰，目前已见的做法是将红外光LED芯片与蓝光LED芯片封装在一起，且蓝光LED芯片与荧光粉配合使用，以同时达到产生白光照明与避免红光被察觉的效果。然而，上述的结构设计不利于产品的小型化。

技术实现思路

[0005]本申请的目的在于提供一种发光装置，其能将部分的红外光转换成可见光，并使剩余红外光的强度维持一定水准，以解决上述先前技术中存在的问题。
[0006]为了解决上述的技术问题，本申请所采用的其中一技术方案是提供一种发光装置，其包括一载体、一发光二极管芯片以及一波长转换结构。所述发光二极管芯片设置于所述载体上，所述发光二极管芯片用以发出一第一光束，所述第一光束具有一介于900纳米与1000纳米之间的波峰。所述波长转换结构位于所述发光二极管芯片上，所述波长转换结构用以将部分的所述第一光束转换成一第二光束，所述第二光束具有一介于400纳米与700纳米之间的转换频谱。另外，未经所述波长转换结构转换的所述第一光束具有一第一光强度，剩余的所述第一光束具有一第二光强度，且所述第二光强度为所述第一光强度的50％以上。
[0007]在本申请的一实施例中，所述波长转换结构包括一基材以及一设置于所述基材中的波长转换物质。
[0008]在本申请的一实施例中，所述波长转换物质均匀分布于所述基材中。
[0009]在本申请的一实施例中，所述发光装置还包括一透光层，所述透光层包覆所述发光二极管芯片，且所述波长转换结构形成于所述透光层上。
[0010]在本申请的一实施例中，所述发光二极管芯片具有一上发光面，所述波长转换结构覆盖在所述上发光面上，其中，所述发光装置还包括一透光层，且所述透光层包覆所述所述波长转换结构与所述发光二极管芯片。
[0011]在本申请的一实施例中，所述波长转换结构的一出光面为平面或曲面。
[0012]在本申请的一实施例中，所述波长转换物质选自于由以下化学式所示的荧光粉所
组成的群组：NaYF3:Yb、LaNbO4:Yb以及Gd2O2S:Yb,Er。
[0013]在本申请的一实施例中，所述波长转换物质包含一绿色荧光粉以及一蓝色荧光粉，所述绿色荧光粉的化学式为NaYF3:Yb或LaNbO4:Yb，所述蓝色荧光粉的化学式为NaYF3:Yb。
[0014]在本申请的一实施例中，以所述波长转换结构的总重为100wt％计，所述绿色荧光粉的浓度为2.5wt％至30wt％，且所述蓝色荧光粉的浓度为2.5wt％至30wt％。
[0015]在本申请的一实施例中，所述波长转换物质包含一绿色荧光粉以及一蓝色荧光粉，所述绿色荧光粉与所述蓝色荧光粉的化学式都为Gd2O2S:Yb,Er。
[0016]在本申请的一实施例中，以所述波长转换结构的总重为100wt％计，所述绿色荧光粉的浓度为2.5wt％至30wt％，且所述蓝色荧光粉的浓度为2.5wt％至30wt％。
[0017]在本申请的一实施例中，未经所述波长转换结构转换的所述第一光束具有一第一色度区块CIE坐标；剩余的所述第一光束与所述第二光束混合形成一第三光束，且所述第三光束具有一第二色度区块CIE坐标，其不同于所述第一色度区块CIE坐标。
[0018]在本申请的一实施例中，所述第二色度区块CIE坐标的X值介于0.28与0.35之间，Y值介于0.21与0.65之间。
[0019]本申请的其中一有益效果在于，本申请的发光装置，其能通过包括“所述发光二极管芯片用以发出一第一光束，其具有一介于900纳米与1000纳米之间的波峰，所述波长转换结构覆盖所述发光二极管芯片，用以将部分的所述第一光束转换成一第二光束，其具有一介于400纳米与700纳米之间的转换频谱”及“未经所述波长转换结构转换的所述第一光束具有一第一光强度，剩余的所述第一光束具有一第二光强度，且所述第二光强度为所述第一光强度的50％以上”的技术特征的技术方案，使得采用红外光作为工作光的装置能正常运作，同时又能消除或降低红光的干扰。
[0020]为使能更进一步了解本申请的特征及
技术实现思路
，请参阅以下有关本申请的详细说明与附图，然而所提供的附图仅用于提供参考与说明，并非用来对本申请加以限制。
附图说明
[0021]图1为本申请的发光装置的其中一结构示意图。
[0022]图2为本申请的发光装置的另外一结构示意图。
[0023]图3为本申请的发光装置的另外再一结构示意图。
[0024]图4显示化学式1绿色荧光粉被波长850纳米的光束激发后所产生的转换频谱。
[0025]图5显示化学式2绿色荧光粉被波长850纳米的光束激发后所产生的转换频谱。
[0026]图6显示化学式1绿色荧光粉被波长940纳米的光束激发后所产生的转换频谱。
[0027]图7显示化学式2绿色荧光粉被波长940纳米的光束激发后所产生的转换频谱。
[0028]图8显示发光波长850纳米的发光二极管芯片，根据不同的波长转换结构，在不同浓度的波长转换物质的存在下的出光效率。
[0029]图9显示发光波长940纳米的发光二极管芯片，根据不同的波长转换结构，在不同浓度的波长转换物质的存在下的出光效率。
[0030]图10显示不同发光波长的发光二极管芯片配合不同荧光粉或荧光粉组成所产生的色度坐标。
具体实施方式
[0031]以下是通过特定的具体实施例来说明本申请所公开有关“发光装置”的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本申请的优点与效果。本申请可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不背离本申请的构思下进行各种修改与变更。另外，本申请的附图仅为简单示意说明，并非依实际尺寸的描绘，事先声明。以下的实施方式将进一步详细说明本申请的相关
技术实现思路
，但所公开的内容并非用以限制本申请的保护范围。另外，本文中所使用的术语“或”，应视实际情况可能包括相关联的列出项目中的任一个或者多个的组合。
[0032]参阅图1至图3，本申请实施例提供一种发光装置D，其主要包括一载体1、一发光二极管芯片2及一波长转换结构3。发光二极管芯片2设置于载体1上，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光装置，其特征在于，所述发光装置包括：一载体；一发光二极管芯片，设置于所述载体上，所述发光二极管芯片用以发出一第一光束，所述第一光束具有一介于900纳米与1000纳米之间的波峰；以及一波长转换结构，位于所述发光二极管芯片上，所述波长转换结构用以将部分的所述第一光束转换成一第二光束，所述第二光束具有一介于400纳米与700纳米之间的转换频谱；其中，未经所述波长转换结构转换的所述第一光束具有一第一光强度，剩余的所述第一光束具有一第二光强度，且所述第二光强度为所述第一光强度的50％以上。2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述波长转换结构包括一基材以及一设置于所述基材中的波长转换物质。3.根据权利要求2所述的发光装置，其特征在于，所述波长转换物质均匀分布于所述基材中。4.根据权利要求2所述的发光装置，其特征在于，所述发光装置还包括一透光层，所述透光层包覆所述发光二极管芯片，且所述波长转换结构形成于所述透光层上。5.根据权利要求2所述的发光装置，其特征在于，所述发光二极管芯片具有一上发光面，所述波长转换结构覆盖在所述上发光面上，其中，所述发光装置还包括一透光层，且所述透光层包覆所述波长转换结构与所述发光二极管芯片。6.根据权利要求5所述的发光装置，其特征在于，所述波长转换结构的一出光面为平面或曲面。7.根据权利要求2、4或5所述的发光装置，其特征在于，所述波长转换物质选自于由以下化学式所示的荧光...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙芳瑢，徐世昌，
申请(专利权)人：光宝科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：