【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种关断系统，且特别是有关于一种储能装置的快速关断系统。
技术介绍
1、储能装置例如为锂电池、太阳能电池、燃料电池等模块，为了提高储能装置的安全性，在出现安全故障时，储能装置能够快速关断(shutdown)，当安全故障消失后，储能装置能够恢复发电。一般而言，太阳能光电系统中的各个光电模块需安装断路器(breaker)，当安全故障消失后，断路器重新开通，使连接断路器的光电模块能输出电能。也就是说，目前太阳能光电系统在法规要求下需加装由一系统控制器实现快速关断功能，此额外加装的设备为直流断路器(dc breaker)、控制逻辑继电器(relay)等，因而提高建置成本。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种储能装置的快速关断系统及快速关断方法，可将快速关断元件整合至升压电路中，以降低建置成本。
2、根据本专利技术的一方面，提出一种储能装置的快速关断系统，包括一电池模块、一升压电路、一第二开关元件以及一输出电路。该电池模块具有一第一端以及一第二端，该第一端与该第二端之间具有一直流电压，该升压电路包括一第一开关元件以及一主动或被动开关元件，该第一开关元件的一端连接该主动或被动开关元件，另一端连接该第二端，该第一开关元件受一第一控制讯号控制而导通或不导通于该第一端与该第二端之间。第二开关元件具有一第三端以及一第四端，该第三端连接该主动或被动开关元件。输出电路具有一第五端以及一第六端，第五端以及第六端之间具有一输出电压，该第五端连接该第四端，该第六端连接该第二
3、其中，该升压电路更包括一升压电容以及一升压电感，该升压电容的两端分别连接该第一端与该第二端，该升压电感的两端分别连接该第一端与该主动或被动开关元件。
4、其中，该被动开关元件为二极管。
5、其中，当该第一开关元件导通时，该二极管被逆偏而不导通；当该第一开关元件不导通时，该二极管被顺偏而导通。
6、其中，该第二开关元件与该二极管组成一双向截止的开关元件组或一绝缘栅双极晶体管。
7、其中，该主动开关元件为金属氧化物半导体场效晶体管(mosfet)。
8、其中，该第二开关元件与该主动开关元件组成一源极相对接的mosfet开关元件组。
9、其中，该输出电路包括一输出电容以及一输出电阻，该输出电容与该输出电组并联连接于该输出电路的该第五端与该第六端之间。
10、根据本专利技术的一方面，提出一种储能装置的快速关断系统，包括：一电池模块，具有一第一端以及一第二端；一升压电路，包括一第一开关元件以及一主动或被动开关元件，该第一开关元件的一端连接该主动或被动开关元件，另一端连接该第二端，该第一开关元件受一第一控制讯号控制而导通或不导通于该第一端与该第二端之间；一第二开关元件，具有一第三端以及一第四端，该第四端连接该第二端；以及一输出电路，具有一第五端以及一第六端，该第五端以及该第六端之间具有一输出电压，该第五端连接该主动或被动开关元件，该第六端连接该第二开关元件的该第三端，其中该第二开关元件受一第二控制讯号控制而导通或不导通于该升压电路与该输出电路之间。
11、其中，该升压电路更包括一升压电容以及一升压电感，该升压电容的两端分别连接该第一端与该第二端，该升压电感的两端分别连接该第一端与该主动或被动开关元件。
12、其中，该被动开关元件为二极管。
13、其中，当该第一开关元件导通时，该二极管被逆偏而不导通；当该第一开关元件不导通时，该二极管被顺偏而导通。
14、其中，该第二开关元件与该二极管组成一双向截止的开关元件组或一绝缘栅双极晶体管。
15、其中，该主动开关元件为金属氧化物半导体场效晶体管(mosfet)。
16、其中，该第一开关元件与该第二开关元件为金属氧化物半导体场效晶体管(mosfet)。
17、其中，该输出电路包括一输出电容以及一输出电阻，该输出电容与该输出电组并联连接于该输出电路的该第五端与该第六端之间。
18、根据本专利技术的一方面，提出一种用于上述储能装置的快速关断系统的快速关断方法，包括：输入一第一控制讯号控制该第一开关元件导通或不导通，其中该第一开关元件导通时，该主动或被动开关元件不导通；该第一开关元件不导通时，该主动或被动开关元件导通；以及输入一第二控制讯号控制该第二开关元件，以使该第二开关元件导通或不导通于该升压电路与该输出电路之间。
19、其中，该被动开关元件为二极管，该第二开关元件与该二极管组成一双向截止的开关元件组或一绝缘栅双极晶体管。
20、其中，该第二开关元件与该主动开关元件组成一源极相对接的mosfet开关元件组。
21、其中，该第二开关元件与该主动开关元件组成一双向截止的开关元件组。
22、为了对本专利技术的上述及其它方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合所附图式详细说明如下：
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1.一种储能装置的快速关断系统，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的快速关断系统，其特征在于，该升压电路更包括一升压电容以及一升压电感，该升压电容的两端分别连接该第一端与该第二端，该升压电感的两端分别连接该第一端与该主动或被动开关元件。
3.根据权利要求1所述的快速关断系统，其特征在于，该被动开关元件为二极管。
4.根据权利要求3所述的快速关断系统，其特征在于，当该第一开关元件导通时，该二极管被逆偏而不导通；当该第一开关元件不导通时，该二极管被顺偏而导通。
5.根据权利要求3所述的快速关断系统，其特征在于，该第二开关元件与该二极管组成一双向截止的开关元件组或一绝缘栅双极晶体管。
6.根据权利要求1所述的快速关断系统，其特征在于，该主动开关元件为金属氧化物半导体场效晶体管。
7.根据权利要求7所述的快速关断系统，其特征在于，该第二开关元件与该主动开关元件组成一源极相对接的MOSFET开关元件组。
8.根据权利要求1所述的快速关断系统，其特征在于，该输出电路包括一输出电容以及一输出电阻，该输出
9.一种储能装置的快速关断系统，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的快速关断系统，其特征在于，该升压电路更包括一升压电容以及一升压电感，该升压电容的两端分别连接该第一端与该第二端，该升压电感的两端分别连接该第一端与该主动或被动开关元件。
11.根据权利要求9所述的快速关断系统，其特征在于，该被动开关元件为二极管。
12.根据权利要求11所述的快速关断系统，其特征在于，当该第一开关元件导通时，该二极管被逆偏而不导通；当该第一开关元件不导通时，该二极管被顺偏而导通。
13.根据权利要求11所述的快速关断系统，其特征在于，该第二开关元件与该二极管组成一双向截止的开关元件组或一绝缘栅双极晶体管。
14.根据权利要求10所述的快速关断系统，其特征在于，该主动开关元件为金属氧化物半导体场效晶体管。
15.根据权利要求9所述的快速关断系统，其特征在于，该第一开关元件与该第二开关元件为金属氧化物半导体场效晶体管。
16.根据权利要求9所述的快速关断系统，其特征在于，该输出电路包括一输出电容以及一输出电阻，该输出电容与该输出电组并联连接于该输出电路的该第五端与该第六端之间。
17.一种用于权利要求1或9所述的储能装置的快速关断系统的快速关断方法，其特征在于，包括：
18.根据权利要求17所述的快速关断方法，其特征在于，该被动开关元件为二极管，该第二开关元件与该二极管组成一双向截止的开关元件组或一绝缘栅双极晶体管。
19.根据权利要求17所述的快速关断方法，其特征在于，该第二开关元件与该主动开关元件组成一源极相对接的MOSFET开关元件组。
20.根据权利要求17所述的快速关断方法，其特征在于，该第二开关元件与该主动开关元件组成一双向截止的开关元件组。
...【技术特征摘要】
1.一种储能装置的快速关断系统，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的快速关断系统，其特征在于，该升压电路更包括一升压电容以及一升压电感，该升压电容的两端分别连接该第一端与该第二端，该升压电感的两端分别连接该第一端与该主动或被动开关元件。
3.根据权利要求1所述的快速关断系统，其特征在于，该被动开关元件为二极管。
4.根据权利要求3所述的快速关断系统，其特征在于，当该第一开关元件导通时，该二极管被逆偏而不导通；当该第一开关元件不导通时，该二极管被顺偏而导通。
5.根据权利要求3所述的快速关断系统，其特征在于，该第二开关元件与该二极管组成一双向截止的开关元件组或一绝缘栅双极晶体管。
6.根据权利要求1所述的快速关断系统，其特征在于，该主动开关元件为金属氧化物半导体场效晶体管。
7.根据权利要求7所述的快速关断系统，其特征在于，该第二开关元件与该主动开关元件组成一源极相对接的mosfet开关元件组。
8.根据权利要求1所述的快速关断系统，其特征在于，该输出电路包括一输出电容以及一输出电阻，该输出电容与该输出电组并联连接于该输出电路的该第五端与该第六端之间。
9.一种储能装置的快速关断系统，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的快速关断系统，其特征在于，该升压电路更包括一升压电容以及一升压电感，该升压电容的两端分别连接该第一端与该第二端，该升压电感的两端分别连接该第一端与该主动或被动开关元件。
【专利技术属性】
技术研发人员：陈军翰，
申请(专利权)人：光宝科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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