【技术实现步骤摘要】
本技术是有关于一种无机光电半导体装置，且特别是有关于一种密封式无机光电半导体装置。
技术介绍
1、现行光电半导体装置通常会预留逃气孔及通道使腔体与外在环境连接，然而，光电半导体装置在操作过程中，环境中的侵害物(水气或灰尘)会经由此逃气孔及通道进入腔体中，进而使腔体内的光电半导体组件受到外界侵害物的侵害(腐蚀、劣化和/或功能失效等)。
技术实现思路
1、根据本技术的一实施例，提出一种无机光电半导体装置。无机光电半导体装置包括一无机基板、一光电半导体组件、一第一金属墙及一无机透光板。光电半导体组件配置在无机基板上。光电半导体组件包括一感测组件、一发光组件或其组合。第一金属墙配置在无机基板上且环绕光电半导体组件。无机透光板配置在第一金属墙上且覆盖光电半导体组件。无机基板、第一金属墙与无机透光板之间形成一封闭空间。藉由封闭空间，可防止外界侵害物进入封闭空间，进而避免光电半导体组件受到外界侵害物的侵害。
2、在本技术的一实施例中，该第一金属墙为封闭式环状结构，且具有一开口露出该光电半导体组件，该无机透光板覆盖整个该开口。
3、在本技术的一实施例中，该无机透光板具有一底面覆盖该光电半导体组件，该底面与该第一金属墙的一上表面重迭的区域为一重迭区域，该重迭区域的面积与该底面的面积的比例等于或大于32％且小于或等于95％。
4、在本技术的一实施例中，该无机透光板具有一底面覆盖该光电半导体组件，该底面与该第一金属墙的一上表面重迭的区域为一重迭区域，该重迭区域的靠近该
5、在本技术的一实施例中，该密封式无机光电半导体装置还包括：
6、一第二金属墙，共形地配置在该第一金属墙上。
7、在本技术的一实施例中，该无机透光板具有一底面覆盖该光电半导体组件，该底面与该第一金属墙的一上表面重迭的区域为一重迭区域，该重迭区域的面积与该底面的面积的比例等于或大于26％，且小于或等于90％。
8、在本技术的一实施例中，该无机透光板具有一底面覆盖该光电半导体组件，该底面与该第一金属墙的一上表面重迭的区域为一重迭区域，该重迭区域的靠近该光电半导体组件的一内缘与远离该光电半导体组件的一外缘之间的最短距离大于或等于350微米，且小于或等于950微米。
9、在本技术的一实施例中，其特征在于，该密封式无机光电半导体装置还包括：
10、一黏合层，形成于该重迭区域上。
11、在本技术的一实施例中，该无机透光板与该第二金属墙之间具有一空隙。
12、在本技术的一实施例中，该密封式无机光电半导体装置还包括：
13、一黏合层，填满该空隙。
14、为了对本技术的上述及其他方面有更佳的了解，以下结合附图和具体实施例对本技术进行详细描述。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种密封式无机光电半导体装置，其特征在于，该密封式无机光电半导体装置包括：
2.如权利要求1所述的密封式无机光电半导体装置，其特征在于，该第一金属墙为封闭式环状结构，且具有一开口露出该光电半导体组件，该无机透光板覆盖整个该开口。
3.如权利要求1所述的密封式无机光电半导体装置，其特征在于，该无机透光板具有一底面覆盖该光电半导体组件，该底面与该第一金属墙的一上表面重迭的区域为一重迭区域，该重迭区域的面积与该底面的面积的比例等于或大于32％且小于或等于95％。
4.如权利要求1所述的密封式无机光电半导体装置，其特征在于，该无机透光板具有一底面覆盖该光电半导体组件，该底面与该第一金属墙的一上表面重迭的区域为一重迭区域，该重迭区域的靠近该光电半导体组件的一内缘与远离该光电半导体组件的一外缘之间的最短距离大于或等于400微米，且小于或等于980微米。
5.如权利要求1所述的密封式无机光电半导体装置，其特征在于，该密封式无机光电半导体装置还包括：
6.如权利要求5所述的密封式无机光电半导体装置，其特征在于，该无机透光板具有一底面
7.如权利要求5所述的密封式无机光电半导体装置，其特征在于，该无机透光板具有一底面覆盖该光电半导体组件，该底面与该第一金属墙的一上表面重迭的区域为一重迭区域，该重迭区域的靠近该光电半导体组件的一内缘与远离该光电半导体组件的一外缘之间的最短距离大于或等于350微米，且小于或等于950微米。
8.如权利要求3、4、6或7所述的密封式无机光电半导体装置，其特征在于，该密封式无机光电半导体装置还包括：
9.如权利要求5、6或7所述的密封式无机光电半导体装置，其特征在于，该无机透光板与该第二金属墙之间具有一空隙。
10.如权利要求9所述的密封式无机光电半导体装置，其特征在于，该密封式无机光电半导体装置还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种密封式无机光电半导体装置，其特征在于，该密封式无机光电半导体装置包括：
2.如权利要求1所述的密封式无机光电半导体装置，其特征在于，该第一金属墙为封闭式环状结构，且具有一开口露出该光电半导体组件，该无机透光板覆盖整个该开口。
3.如权利要求1所述的密封式无机光电半导体装置，其特征在于，该无机透光板具有一底面覆盖该光电半导体组件，该底面与该第一金属墙的一上表面重迭的区域为一重迭区域，该重迭区域的面积与该底面的面积的比例等于或大于32％且小于或等于95％。
4.如权利要求1所述的密封式无机光电半导体装置，其特征在于，该无机透光板具有一底面覆盖该光电半导体组件，该底面与该第一金属墙的一上表面重迭的区域为一重迭区域，该重迭区域的靠近该光电半导体组件的一内缘与远离该光电半导体组件的一外缘之间的最短距离大于或等于400微米，且小于或等于980微米。
5.如权利要求1所述的密封式无机光电半导体装置，其特征在于，该密封式无机光电半导体装置还包括：<...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡心伟，谢宜妏，杨淑桦，
申请(专利权)人：光宝科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。