一种发光二极管的封装结构及其封装方法技术

本发明专利技术公开一种发光二极管的封装结构，包括发光二极管支架、发光二极管晶体、封装片、荧光胶体和透明框架；所述发光二极管晶体安装在发光二极管支架上，所述发光二极管晶体的上表面固定有封装片，所述封装片外侧设置有透明框架；所述透明框架与发光二极管晶体之间的空间内设置有荧光胶体。本发明专利技术通过在发光二极管晶体的四周均匀涂有荧光胶体，且在封装片上表面涂有呈凹型状的荧光胶体，具有利用率高、节约能源的特点，同时保证荧光胶体中的荧光粉能够同一时间发出亮光；通过对透明框架的内壁角采用圆角设计，保证荧光胶体发出的亮光能够均匀透过透明框架；通过采用批量生产，不仅能够提高生产效率，而且能够大大降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体的封装
，涉及到一种发光二极管的封装结构及其封装方法。
技术介绍
发光二极管简称为LED。由含镓(Ga)、砷(As)、磷(P)、氮(N)等的化合物制成。当电子与空穴复合时能辐射出可见光，因而可以用来制成发光二极管。在电路及仪器中作为指示灯，或者组成文字或数字显示。砷化镓二极管发红光，磷化镓二极管发绿光，碳化硅二极管发黄光，氮化镓二极管发蓝光。因化学性质又分有机发光二极管OLED和无机发光二极管LED。发光二极管是半导体二极管的一种，可以把电能转化成光能；常简写为LED。发光二极管与普通二极管一样是由一个PN结组成，也具有单向导电性。当给发光二极管加上正向电压后，从P区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子，在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P区的空穴复合，产生自发辐射的荧光。不同的半导体材料中电子和空穴所处的能量状态不同。当电子和空穴复合时释放出的能量多少不同，释放出的能量越多，则发出的光的波长越短。常用的是发红光、绿光或黄光的二极管。目前现有技术中提到的发光二极管的封装结构，通过在发光二极管晶体表面涂有荧光粉，然后通过透明树脂固定成球冠形，采用该种方式会导致涂覆在二极管晶粒表面的荧光粉在中央位置的厚度较厚而周边较薄，导致其发光二极管晶粒发出的光线对中央位置和周边厚度不同的荧光粉的激发效果不同，周边厚度较薄，很容易充分激发，而中央位置较厚，外表面的荧光粉由于内层荧光粉对光线的吸收和阻挡而处于欠激发状态，并且光线在中央位置较厚的荧光粉层中多次反射而发不出去，不仅导致光源的利用效率低，而且会导致发光二极管过热，造成了能源的浪费。目前市场上的发光二极管的透明框架的内部设计有直角，导致荧光粉发出的光透过透明框架会发生折射，使得经透明框架射出的光线不均匀，造成发光二极管的使用寿命短且发光不均匀的问题。
技术实现思路
本专利技术提供的一种发光二极管的封装结构及其封装方法，通过在发光二极管晶体的四周均匀涂有荧光胶体，且在封装片上表面涂有中间呈凹型的荧光胶体；通过对透明框架的内壁角进行采用圆角设计，解决了现有技术中发光二极管发光不均匀且成本高的问题。本专利技术的目的可以通过以下技术方案实现：一种发光二极管的封装结构，包括发光二极管支架、发光二极管晶体、封装片、荧光胶体和透明框架；所述发光二极管晶体安装在发光二极管支架上，所述发光二极管晶体的上表面固定有封装片，所述封装片外侧设置有透明框架；所述透明框架与发光二极管晶体之间的空间内设置有荧光胶体。进一步地，所述二极管晶体的侧壁均匀涂盖有荧光胶体，且涂的厚度为0.1-0.3mm。进一步地，所述封装片的上表面涂盖有荧光胶体，所述封装片上表面的荧光胶体为凹型设计。进一步地，所述荧光剂涂盖的厚度小于等于透明框架与发光二极管晶体之间的距离。进一步地，所述封装片上表面尺寸大于等于发光二极管晶体的上表面尺寸。进一步地，所述透明框架的顶部内表面高于封装片所在的位置在0.5-1.0mm，且所述透明框架的内侧壁与发光二极管晶体侧壁间的间距为0.5-1.0mm，所述透明框架顶部的四个顶角采用圆角设计。进一步地，所述发光二极管支架上安装的发光二极管晶体的数量至少为一个，所述发光二极管晶体呈阵列分布，相邻两所述发光二极管晶体间的间距为1-3.0mm，其中每个发光二极管晶体的上表面分别设置有一封装片。一种发光二极管的封装方法，包括以下步骤：S1、将一个或多个发光二极管晶体固定在发光二极管支架上,且相邻两发光二极管晶体存有间距；S2、封装片进行裁切，并将裁切后的封装片通过环氧树脂、硅胶或硅橡胶安装在发光二极管晶体的上表面；S3、制备荧光胶体；S4、将配置好的荧光胶体涂在发光二极管晶体的侧壁和封装片的上表面；S5、对相邻两发光二极管晶体进行切割，形成多个独立的发光二极管晶体；S6、将透明框架固定在发光二极管支架上，且独立的发光二极管晶体置于透明框架内。进一步地，所述荧光胶体采用荧光粉与透明胶体进行配置，所述荧光粉与透明胶体的比例为3:2。本专利技术的有益效果：本专利技术通过在发光二极管晶体的四周均匀涂有荧光胶体，且在封装片上表面涂有中间呈凹型的荧光胶体，不仅提高光源的利用率，而且具有节约能源的特点，同时保证荧光胶体中的荧光粉能够同一时间发出亮光；通过对透明框架的内壁角采用圆角设计，保证荧光胶体发出的亮光能够均匀透过透明框架；通过采用批量生产，不仅能够提高生产效率，而且能够大大降低生产成本。附图说明为了便于本领域技术人员理解，下面结合附图对本专利技术作进一步的说明。图1为本专利技术一种发光二极管的封装结构剖面图；图2为本专利技术一种发光二极管的封装结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。请参阅图1、2所示，一种发光二极管的封装结构，包括发光二极管支架1、发光二极管晶体2、封装片3、荧光胶体4和透明框架5；发光二极管支架1水平放置，发光二极管晶体2安装在发光二极管支架1的上表面上，发光二极管晶体2的上表面固定有封装片3，封装片3外侧设置有透明框架5，透明框架5顶部的四个顶角采用圆角设计；透明框架5与发光二极管晶体2之间的空间内设置有荧光胶体4；荧光胶体4均匀涂在发光二极管晶体2的侧壁，封装片3的上表面涂盖有荧光胶体4，且对应发光二极管晶体2中心位置的封装片3的上表面的荧光胶体4为凹型设计；荧光剂4涂盖的厚度小于等于透明框架5与发光二极管晶体2之间的距离，在保证发光二极管在使用的过程中，能够发射均匀的光。封装片3上表面尺寸大于等于发光二极管晶体2的上表面尺寸，保证能够完全覆盖发光二极管晶体2的上表面；透明框架5的顶部内表面高于封装片3所在的位置在0.5-1.0mm，且透明框架5的内侧壁与发光二极管晶体2侧壁间的间距为0.5-1.0mm。封装片3和透明框架5均采用透明的玻璃材料制成，其中封装片3为矩形结构，厚度为0.1-0.5mm，透明框架5的厚度为0.5-1.0mm。安装在发光二极管支架1上的发光二极管晶体2的数量至少为一个，发光二极管晶体2呈阵列的形式分布，相邻两发光二极管晶体2间的间距为1-3.0mm，其中每个发光二极管晶体2的上表面分别设置有一封装片3。一种发光二极管的封装方法，包括如下步骤：S1、将一个或多个发光二极管晶体2固定在发光二极管支架1上,且相邻两发光二极管晶体2之间设置有一定的间隙；S2、对封装片3进行裁切，并将裁切后的封装片3通过环氧树脂、硅胶或硅橡胶安装在发光二极管晶体2的上表面；S3、制备荧光胶体4，按照荧光粉与透明胶体3:2的比例进行配置；S4、将配置好的荧光胶体4均匀涂在发光二极管晶体2的侧壁上，在封装片3的上表面涂盖荧光胶体4，且上表面涂盖的中心位置为凹形设计；S5、对相邻两发光二极管晶体2进行切割，形成多个独立的发光二极管晶体2；S6、将透明框架5固定在发光二极管支架1上，且独立的发光二极管晶体置2于透明框架5内。本专利技术通过在发光二极管晶体的四周均匀涂有荧光胶体，且在封装片上表面涂有中间呈凹型的荧光胶体，不仅提高光源的利用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管的封装结构，其特征在于：包括发光二极管支架(1)、发光二极管晶体(2)、封装片(3)、荧光胶体(4)和透明框架(5)；所述发光二极管晶体(2)安装在发光二极管支架(1)上，所述发光二极管晶体(2)的上表面固定有封装片(3)，所述封装片(3)外侧设置有透明框架(5)；所述透明框架(5)与发光二极管晶体(2)之间的空间内设置有荧光胶体(4)。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管的封装结构，其特征在于：包括发光二极管支架(1)、发光二极管晶体(2)、封装片(3)、荧光胶体(4)和透明框架(5)；所述发光二极管晶体(2)安装在发光二极管支架(1)上，所述发光二极管晶体(2)的上表面固定有封装片(3)，所述封装片(3)外侧设置有透明框架(5)；所述透明框架(5)与发光二极管晶体(2)之间的空间内设置有荧光胶体(4)。2.根据权利要求1所述的一种发光二极管的封装结构，其特征在于：所述二极管晶体(2)的侧壁均匀涂盖有荧光胶体(4)，且涂的厚度为0.1-0.3mm。3.根据权利要求1所述的一种发光二极管的封装结构，其特征在于：所述封装片(3)的上表面涂盖有荧光胶体(4)，所述封装片(3)上表面的荧光胶体(4)为凹型设计。4.根据权利要求1所述的一种发光二极管的封装结构，其特征在于：所述荧光剂(4)涂盖的厚度小于等于透明框架(5)与发光二极管晶体(2)之间的距离。5.根据权利要求1所述的一种发光二极管的封装结构，其特征在于：所述封装片(3)上表面尺寸大于等于发光二极管晶体(2)的上表面尺寸。6.根据权利要求1所述的一种发光二极管的封装结构，其特征在于：所述透明框架(5)的顶部内表面高于封装片(3)所在的位置在0.5-1.0mm，且所述透明框架(5...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭勇，尤文胜，
申请(专利权)人：合肥市华达半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34