半导体器件、照明设备和用于制造半导体器件的方法技术

提出一种半导体器件(1)，所述半导体器件具有：‑半导体芯片(2)，所述半导体芯片具有设置用于产生辐射的有源区域(20)；‑辐射出射面(10)，所述辐射出射面平行于有源区域伸展；‑成形体(4)，所述成形体局部地模制到半导体芯片上，并且所述成形体至少局部地形成半导体器件的至少一个侧面(12)；‑安装面(11)，所述安装面设置用于固定半导体器件；和‑间隔件(3)，所述间隔件沿垂直于辐射出射面伸展的竖直方向突出于辐射出射面。此外，提出一种照明设备(9)和一种用于制造半导体器件的方法。

Semiconductor device, lighting device, and method for manufacturing semiconductor device

A semiconductor device (1), the semiconductor device has: semiconductor chip (2), the semiconductor chip is provided for generating active region radiation (20); radiation emitting surface (10), the radiation surface extending parallel to the active region; forming body (4), the formed molded body partially to the semiconductor chip, and the at least one side of the body at least partially forming a semiconductor device (12); mounting surface (11), the mounting surface is provided for mounting semiconductor devices; and spacers (3), the spacer along the vertical direction perpendicular to the radiating surface extends out from the jet exit surface radiation. In addition, an illumination device (9) and a method for manufacturing a semiconductor device are provided.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本申请涉及一种半导体器件、一种具有半导体器件的照明设备和一种用于制造光电子半导体器件的方法。
技术介绍
在手持式电子设备、即例如移动式无线电设备中，通常应用背光照明的液晶显示器。对此，光源的辐射能够侧向地耦合输入到光导体中。然而，这需要精确地定位光源和光导体，因为所述光源和光导体鉴于紧凑的结构形状和良好的光耦合输入一方面应尽可能彼此靠紧地设置。另一方面，当光导体和光源的发射面接触时，在光导体的边缘处会出现亮的区域和色差。
技术实现思路
一个目的是，在制造照明设备时简化光源和光导体的相对定位。此外，应提出一种方法，借助所述方法能够简单且成本适宜地制造半导体器件。所述目的还通过根据独立权利要求的方法或半导体器件来实现。其他的设计方案和适宜方案是从属权利要求的主题。根据至少一个实施方式，半导体器件具有至少一个设置用于产生辐射的半导体芯片。至少一个半导体芯片具有设置用于产生辐射的有源区域。有源区域尤其设置用于产生在可见的、紫外的或红外的光谱范围中的辐射。例如，有源区域是半导体器件的具有半导体层序列的半导体本体的一部分。为了电接触半导体芯片，半导体芯片适当地具有第一接触部和第二接触部。例如，半导体芯片具有两个前侧的接触部，其中将在运行中进行放射的一侧视作为前侧。根据半导体器件的至少一个实施方式，半导体器件具有辐射出射面。将半导体器件的外面视作为辐射出射面，其中在半导体器件运行时在半导体芯片中产生的辐射在穿过辐射出射面的情况下离开半导体器件。换言之，辐射出射面形成与半导体器件的周围环境、例如与空气的边界面。辐射出射面能够通过半导体芯片或通过设置在半导体芯片上的层形成。辐射出射面尤其平行于有源区域的主延伸平面伸展。特别地，光电子半导体器件具有刚好一个辐射出射面。根据半导体器件的至少一个实施方式，半导体器件具有安装面，所述安装面设置用于固定半导体器件。半导体器件例如构成为可表面安装的器件(surfacemounteddevice，smd)。根据半导体器件的至少一个实施方式，半导体器件具有间隔件。例如，间隔件在竖直方向上具有在15μm和500μm之间、优选在35μm和350μm之间、尤其优选在50μm和100μm之间的扩展，其中包括边界值。特别地，间隔件在垂直于辐射出射面伸展的竖直方向上突出于辐射出射面。间隔件例如构成为是电绝缘的。例如，间隔件包含介电材料，例如聚合物材料。间隔件沿着竖直方向例如在间隔件的后侧和间隔件的前侧之间延伸。辐射出射面例如沿着竖直方向观察设置在间隔件的前侧和后侧之间。此外，间隔件的后侧沿竖直方向观察在半导体芯片的后侧和辐射出射面之间伸展。间隔件例如至少局部地邻接于半导体芯片。在半导体器件的俯视图中，间隔件和辐射出射面例如无叠加地彼此并排地设置。根据半导体器件的至少一个实施方式，半导体器件具有成形体，所述成形体局部地模制到半导体芯片上。特别地，成形体模制到半导体芯片的至少一个侧面上、例如半导体芯片的两个尤其相对置的侧面或全部侧面上。在成形体模制到半导体芯片上所处的部位处，成形体尤其直接邻接于半导体芯片。成形体例如一件式地构成。此外，成形体例如构成为是电绝缘的。成形体构成为尤其对于由半导体芯片在运行时产生的辐射是不可穿透的。成形体尤其至少局部地形成半导体器件的至少一个侧面。成形体也能够形成半导体器件的两个或更多个、例如还有全部侧面。在有疑问的情况下，将侧面理解为半导体器件的如下外面：所述外面倾斜于或垂直于辐射出射面伸展。换言之，侧面在成形体的背离辐射出射面的后侧和与后侧相对置的前侧之间伸展。在半导体器件的至少一个实施方式中，半导体器件具有半导体芯片，所述半导体芯片具有设置用于产生辐射的有源区域。半导体器件的辐射出射面平行于有源区域的主延伸平面伸展。半导体器件具有成形体，所述成形体局部地模制到半导体芯片上并且所述成形体至少局部地形成半导体器件的至少一个侧面。半导体器件的安装面设置用于固定半导体器件。半导体器件具有间隔件，所述间隔件在垂直于辐射出射面伸展的竖直方向上突出于辐射出射面。借助于间隔件确保：辐射出射面也在光学元件、例如光导体直接邻接于半导体器件设置的情况下与所述光学元件间隔开。因此，通过间隔件预设在辐射出射面和光学元件之间的最小间距。所述最小间距尤其能够在制造半导体器件时经由间隔件的竖直扩展来简单地且可靠地设定。换言之，半导体器件提供用于光学元件的止挡部。在制造具有这种半导体器件和光导体的照明设备时，能够以简单的且可复现的方式实现：光导体在任何部位都不直接邻接于辐射出射面。因此，能够避免以相对大的角度到光导体中的辐射耦合输入和光导体的伴随于此的具有过大亮度和/或色差的边缘的危险。根据半导体器件的至少一个实施方式，辐射出射面垂直于或基本上垂直于安装面伸展。将基本上垂直理解为相对于垂直取向为最高10°的偏差。根据半导体器件的至少一个实施方式，间隔件突出于辐射出射面至少5μm且至多500μm、优选至少10μm和至多300μm。在该区域中，在结构形状紧凑的同时，实现在辐射出射面和邻接于半导体器件的元件、例如光导体或光学元件之间的气隙。根据半导体器件的至少一个实施方式，间隔件在辐射出射面的俯视图中局部地遮盖半导体芯片。例如，间隔件完全地遮盖半导体芯片的至少一个棱边。间隔件也能够框架形地围绕半导体芯片伸展并且遮盖半导体芯片的全部四个棱边。半导体器件也能够具有多于一个的间隔件。例如半导体器件具有两个横向彼此间隔开的间隔件，所述间隔件例如完全地或至少局部地遮盖半导体芯片的相对置的棱边。根据半导体器件的至少一个实施方式，间隔件和有源区域在辐射出射面的俯视图中无叠加地彼此并排地设置。因此，间隔件不引起对有源区域的遮挡。特别地，间隔件也能够是辐射不可穿透的。根据半导体器件的至少一个实施方式，间隔件和半导体芯片在辐射出射面的俯视图中无叠加地彼此并排地设置。因此，间隔件在辐射出射面的俯视图中在任何部位都不遮盖半导体芯片。根据半导体器件的至少一个实施方式，成形体形成安装面。安装面例如倾斜于或垂直于辐射出射面伸展。但是，安装面也能够平行于有源区域伸展。例如，成形体的后侧形成安装面。在半导体器件的辐射出射面处，半导体芯片适当地完全地或至少局部地没有成形体。因此，半导体芯片在辐射出射面的俯视图中不由或仅局部地由成形体覆盖。成形体尤其对于在有源区域中产生的辐射不可穿透地构成。例如，成形体对于所产生的辐射反射性地构成，例如具有至少60％、例如至少80％的反射率。然而，成形体也能够对于辐射透明地或至少半透明地构成。根据半导体器件的至少一个实施方式，成形体至少局部地覆盖半导体芯片的背离辐射出射面的后侧。特别地，成形体能够覆盖半导体芯片的整个后侧。根据半导体器件的至少一个实施方式，辐射出射面通过辐射转换元件形成，所述辐射转换元件设置在半导体芯片上。辐射转换元件设置用于：将在半导体芯片中产生的初级辐射完全地或至少部分地转换成具有与初级辐射不同的峰值波长的次级辐射。根据半导体器件的至少一个实施方式，辐射转换元件至少局部地直接邻接于间隔件。例如，间隔件在辐射转换元件的至少两侧或全部侧上形成横向的限界部。与其不同地，辐射转换元件也能够与间隔件间隔开地构成。根据半导体器件的至少一个实施方式，半导体器件具有接触结构。接触结构与半导体芯本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件(1)，所述半导体器件具有：‑半导体芯片(2)，所述半导体芯片具有设置用于产生辐射的有源区域(20)；‑辐射出射面(10)，所述辐射出射面平行于所述有源区域的主延伸平面伸展；‑成形体(4)，所述成形体局部地模制到所述半导体芯片上并且至少局部地形成所述半导体器件的至少一个侧面(12)；‑安装面(11)，所述安装面设置用于固定所述半导体器件；和‑间隔件(3)，所述间隔件沿垂直于所述辐射出射面伸展的竖直方向突出于所述辐射出射面。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.07.29 DE 102014110719.51.一种半导体器件(1)，所述半导体器件具有：-半导体芯片(2)，所述半导体芯片具有设置用于产生辐射的有源区域(20)；-辐射出射面(10)，所述辐射出射面平行于所述有源区域的主延伸平面伸展；-成形体(4)，所述成形体局部地模制到所述半导体芯片上并且至少局部地形成所述半导体器件的至少一个侧面(12)；-安装面(11)，所述安装面设置用于固定所述半导体器件；和-间隔件(3)，所述间隔件沿垂直于所述辐射出射面伸展的竖直方向突出于所述辐射出射面。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述间隔件突出于所述辐射出射面至少5μm并且至多500μm。3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中在所述辐射出射面的俯视图中，所述间隔件局部地遮盖所述半导体芯片。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中在所述辐射出射面的俯视图中，所述间隔件和所述有源区域无叠加地彼此并排地设置。5.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中在所述辐射出射面的俯视图中，所述间隔件和所述半导体芯片无叠加地彼此并排地设置。6.根据上述权利要求中任一项所述的半导体器件，其中所述成形体至少局部地覆盖所述半导体芯片的背离所述辐射出射面的后侧(292)。7.根据上述权利要求中任一项所述的半导体器件，其中所述辐射出射面通过辐射转换元件(6)形成，所述辐射转换元件设置在所述半导体芯片上。8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述辐射转换元件至少局部地直接邻接于所述间隔件。9.根据上述权利要求中任一项所述的半导体器件，其中-所述半导体器件具有接触结构(50)，所述接触结构与所述半导体芯片导电连接；-所述接触结构具有用于外部电接触所述半导体器件的第一接触面(51)和第二接触面(52)；和-所述第一接触面和所述第二接触面在所述安装面处是可触及的。10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述接触结构在所述间隔件之上引导。11.根据权利要求9或10所述的半导体器件，其中所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：马蒂亚斯·斯佩尔，弗兰克·辛格，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE