本实用新型专利技术公开了一种大功率LED封装结构，其特征在于，芯片与芯片之间及与外部封装体之间的连接过程中P\N极金线串晶连接，连接过程中先在第一焊接点焊上金球，并引出线，至第二点焊接扇形后在扇形上再焊上金球。通过对大功率LED封装中串晶传统连接结构的改进，降低了芯片N\P极焊接处断裂几率，避免了LED因此造成的死灯现象。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种大功率LED封装结构的改进，属于LED发光二极管领域。
技术介绍
发光二极管(英语Light-Emitting Diode),简称 LED ,是一种能发光的半导体电子元件。这种电子元件早在1962年出现，早期只能发出低光度的红光，之后发展出其他单色光，通过不断的研究开发，目前LED能发出的光已遍及可见光、红外线及紫外线，亮度也提高到一定的水平。而用途也由刚开始用作为指示灯、显示板等，随着白光发光二极管的出现而续渐开始被用于日常照明。LED电流只能往一个方向导通，叫作正向偏压，当电流通过时，电子与电洞在其内重合而发出单色光，这叫电致发光效应，而光线的波长、颜色跟其所采用的半导体物料种类与渗入的兀素杂质有关。具有效率闻、寿命长、不易破损、开关速度闻、可罪性闻等传统光源不及的优点。白光LED的发光效率，随着技术的不断革新，在近几年来已经有明显的提升，同时，LED也因市场的激烈竞争每千流明的购入价格明显下降，促进LED的普及使用。虽然越来越多人使用LED照明作办公室、家具、装饰、招牌甚至路灯用途，但在技术上，LED仍然存在很多亟待解决的问题，比如LED引焊接连接接口容易断裂，致使LED死灯现象等。
技术实现思路
本技术的专利技术人为降低LED死灯现象，为提高LED灯的性能，设计了一种新型大功率LED芯片连接结构。芯片与芯片之间及与外部封装体之间的连接过程中P\N极金线串晶连接，连接过程中先在第一焊接点焊上金球，并引出线，至第二焊接点用扇形焊接于电极上后，再在扇形上焊上金球，如图I、图2所示。传统工艺第二焊接点只是以扇形焊接结束，如图3所示，其焊接颈处易断裂，本技术通过在其焊接颈处再焊一金球，以此巩固接线，防止断裂。第二点焊接处的金球圆心在引线与扇形焊接的连接处。所述的连接其所用的金线直径大于或等于I. OmiI，小于或等于2. Omi 1，所述的金球直径大于或等于金线直径的2倍，小于或等于金线直径的3倍。所述的连接所用的金线其在第一焊接及第二焊接处的引线传统工艺为节约原材料，或其他方面的考量，其一般连接如图4、图5所示，本技术专利中连接两点的线均是弧形结构，如图6所示，金球上部至金线最高点的高为h，h高于I. 5个金球，小于4个金球的高度。金线的弧形结构一方面可以防止LED灯在关闭、使用时温差所致金线热胀冷缩焊接处的断裂，另一方面金线的弧形结构增加了 LED灯在使用过程中的散热，提高了 LED灯的使用寿命。附图说明本专利技术中附图仅为了对本专利技术进一步解释，不得作为本专利技术专利技术范围的限制。图I本专利技术新型大功率LED芯片连接结构示意图图2本专利技术新型大功率LED芯片连接结构示意俯视图图3传统工艺第二焊接点示意图图4传统工艺第一焊接及第二焊接处的引线示意图图5传统工艺第一焊接及第二焊接处的引线示意图图6本专利技术新型大功率LED芯片连接结构示意图，h为金球至金线最高处的高度I为第一焊接点；2为第二焊接点；3为两焊接点弧形连线；4为焊接颈实施方式本专利技术的实施例仅为对本专利技术进行解释，便于本领域普通技术人员能根据本专利技术 内容能实施本专利技术，不得作为本专利技术专利技术范围的限制。在大功率LED封装过程中，芯片与芯片之间P\N极及P\N极与外部封装体之间应用本专利技术的连接方法通过对P\N极金线串晶连接，连接过程中先在第一焊接点I焊上金球，并引出线，至第二焊接点2用扇形焊接于电极上后，如图3所示再在扇形焊接颈4处焊上金球，以此巩固接线，防止断裂。第二点焊接处的金球圆心在引线与扇形焊接的连接处。所述的连接其所用的金线直径为l.Omil，所述的金球直径为2.0mil，两焊接点之间通过弧形连线3进行连接，如图6所示，金球上部至金线最高点的高为4. OmiI。金线的弧形结构一方面可以防止LED灯在关闭、使用时温差所致金线热胀冷缩焊接处的断裂，另一方面金线的弧形结构增加了 LED灯在使用过程中的散热，提高了 LED灯的使用寿命。权利要求1.一种大功率LED封装结构，其特征在于，芯片与芯片之间及与外部封装体之间的连接过程中P\N极金线串晶连接，连接过程中先在第一焊接点焊上金球，并引出线，至第二点焊接扇形后在扇形上再焊上金球。2.权利要求I所述的封装结构，第二点焊接处的金球圆心在引线与扇形的连接处。3.权利要求I所述的封装结构，其特征在于，所述的连接其所用的金线直径大于或等于I. Omil,小于或等于2. Omil。4.权利要求I所述的封装结构，其特征在于，所述的连接所用的金线其在第一焊接及第二焊接处的弓I线均是弧形结构。5.权利要求I所述的封装结构，其特征在于，所述的金球直径大于或等于金线直径的2倍，小于或等于金线直径的3倍。专利摘要本技术公开了一种大功率LED封装结构，其特征在于，芯片与芯片之间及与外部封装体之间的连接过程中P\N极金线串晶连接，连接过程中先在第一焊接点焊上金球，并引出线，至第二点焊接扇形后在扇形上再焊上金球。通过对大功率LED封装中串晶传统连接结构的改进，降低了芯片N\P极焊接处断裂几率，避免了LED因此造成的死灯现象。文档编号H01L33/62GK202678415SQ20122030263公开日2013年1月16日 申请日期2012年6月27日 优先权日2012年6月27日专利技术者王姵淇, 孙明, 庄文荣 申请人:江苏汉莱科技有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种大功率LED封装结构，其特征在于，芯片与芯片之间及与外部封装体之间的连接过程中P\N极金线串晶连接，连接过程中先在第一焊接点焊上金球，并引出线，至第二点焊接扇形后在扇形上再焊上金球。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王姵淇，孙明，庄文荣，
申请(专利权)人：江苏汉莱科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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