本实用新型专利技术公开了一种大功率LED封装结构，包括：基板；工作电路，所述工作电路设置在所述基板上；至少四颗LED芯片，所有所述LED芯片采用倒装方式固定在所述基板上，并通过所述工作电路连接在一起；还包括：TVS管，所述TVS管固定在所述基板上，并通过所述工作电路与所述LED芯片连接。本实用新型专利技术的大功率LED封装结构，由于封装有TVS管，TVS管能有效对封装LED芯片起到静电和过电压击穿的保护作用，提高了封装结构的工作稳定性。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体
，特别是涉及一种大功率LED封装结构。
技术介绍
LED作为一第四代照明光源，具有显著的节能和寿命优势。LED封装是获得优质LED照明光源的一个关键环节，现有技术的大功率LED封装，需要配合的外部静电保护及过电压击穿保护设计电路，结构复杂，成本高。
技术实现思路
针对上述现有技术现状，本技术所要解决的技术问题在于，提供一种具有静电和过电压保护功能、结构简单的大功率LED封装。为了解决上述技术问题，本技术所提供的一种大功率LED封装结构，包括:基板；工作电路，所述工作电路设置在所述基板上；至少四颗LED芯片，所有所述LED芯片采用倒装方式固定在所述基板上，并通过所述工作电路连接在一起；还包括:TVS管，所述TVS管固定在所述基板上，并通过所述工作电路与所述LED芯片连接。在其中一个实施例中，所述工作电路包括:正面电路，所述正面电路设置于所述基板正面；背面电路，所述背面电路设置于所述基板背面；和若干Via孔，若干所述Via孔设置于所述基板上，所述正面电路与所述背面电路通过若干所述Via孔进行电连接。在其中一个实施例中，所述背面电路包括从中间分隔开的正极电路和负极电路。在其中一个实施例中，所述基板为陶瓷基板。在其中一个实施例中，所有所述LED芯片并联或串联组成LED串，所述TVS管与所述LED串并联。在其中一个实施例中，所述的大功率LED封装结构包括四颗所述LED芯片，四颗所述LED芯片呈“田”字型结构布置。与现有技术相比，本技术的大功率LED封装结构，由于封装有TVS管，TVS管能有效对封装LED芯片起到静电和过电压击穿的保护作用，提高了封装结构的工作稳定性。本技术附加技术特征所具有的有益效果将在本说明书【具体实施方式】部分进行说明。【附图说明】图1为本技术实施例一中的大功率LED封装结构的主视图；图2为本技术实施例一中的大功率LED封装结构的后视图；图3为本技术实施例一中的大功率LED封装结构的侧视图；图4为本技术实施例一中的大功率LED封装结构的电路图；图5为本技术实施例二中的大功率LED封装结构的电路图。以上各图，10、基板；20、LED芯片；30、Via孔；40、TVS管；50、正面电路；60、背面电路；61、负极电路；62、正极电路。【具体实施方式】下面参考附图并结合实施例对本技术进行详细说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，以下各实施例及实施例中的特征可以相互组合。如图1-4所示，本技术实施例一中的大功率LED封装结构包括基板10)、工作电路、至少四颗LED芯片20及TVS管40，基板10为陶瓷基板；所述工作电路设置在所述基板10上，本实施例中的所述工作电路包括正面电路50、背面电路60和若干Via孔30，所述正面电路50设置于所述基板10正面；所述背面电路60设置于所述基板10背面；若干所述Via孔30设置于所述基板10上，所述正面电路50与所述背面电路60通过若干所述Via孔30进行电连接。较优地，所述背面电路60包括从中间分隔开的正极电路62和负极电路61，这样可以通过背面电路60的灵活设计，实现多颗倒装LED芯片20的并联或串联。所有所述LED芯片20采用倒装方式固定在所述基板10上，并通过所述工作电路连接在一起；本实施例中，所有所述LED芯片20并联组成LED串，所述TVS管40与所述LED串并联。进一步地，包括四颗所述LED芯片20，四颗所述LED芯片20呈“田”字型结构布置。所述TVS管40固定在所述基板10上，并通过所述工作电路与所述LED串并联。本技术的大功率LED封装结构，由于封装有TVS管40 (TRANSIENT VOLTAGESUPPRESSOR，瞬变电压抑制二极管)，TVS管能有效对封装LED芯片起到静电和过电压击穿的保护作用，提高了封装结构的工作稳定性。图5为本技术实施例二中的大功率LED封装结构的电路图。与实施例一不同的是，四颗所述LED芯片20串联组成LED串，所述TVS管40与所述LED串并联。从上面的实施例可知，通过本技术的大功率LED封装，串联或并联的TVS管能有效对封装LED芯片起到静电和过电压击穿的保护作用，提高了封装结构的工作稳定性。同时，背面电路形式灵活的串并联结构，能满足客户的不同电路要求。更进一步地，采用LED芯片，无需打金线，能够避免正装LED芯片布线问题，提高了可靠性能，解决了导线虚焊、脱焊现象。以上所述实施例仅表达了本技术的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本技术专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。【主权项】1.一种大功率LED封装结构，包括: 基板(10)； 工作电路，所述工作电路设置在所述基板(10)上； 至少四颗LED芯片(20)，所有所述LED芯片(20)采用倒装方式固定在所述基板(10)上，并通过所述工作电路连接在一起； 其特征在于，还包括: TVS管(40)，所述TVS管(40)固定在所述基板(10)上，并通过所述工作电路与所述LED芯片(20)连接。2.根据权利要求1所述的大功率LED封装结构，其特征在于，所述工作电路包括: 正面电路(50)，所述正面电路(50)设置于所述基板(10)正面； 背面电路(60)，所述背面电路(60)设置于所述基板(10)背面；和若干Via孔(30)，若干所述Via孔(30)设置于所述基板(10)上，所述正面电路(50)与所述背面电路￠0)通过若干所述Via孔(30)进行电连接。3.根据权利要求2所述的大功率LED封装结构，其特征在于，所述背面电路￠0)包括从中间分隔开的正极电路(62)和负极电路(61)。4.根据权利要求1所述的大功率LED封装结构，其特征在于，所述基板(10)为陶瓷基板。5.根据权利要求1至4中任意一项所述的大功率LED封装结构，其特征在于，所有所述LED芯片(20)并联或串联组成LED串，所述TVS管(40)与所述LED串并联。6.根据权利要求5所述的大功率LED封装结构，其特征在于，包括四颗所述LED芯片(20)，四颗所述LED芯片(20)呈“田”字型结构布置。【专利摘要】本技术公开了一种大功率LED封装结构，包括：基板；工作电路，所述工作电路设置在所述基板上；至少四颗LED芯片，所有所述LED芯片采用倒装方式固定在所述基板上，并通过所述工作电路连接在一起；还包括：TVS管，所述TVS管固定在所述基板上，并通过所述工作电路与所述LED芯片连接。本技术的大功率LED封装结构，由于封装有TVS管，TVS管能有效对封装LED芯片起到静电和过电压击穿的保护作用，提高了封装结构的工作稳定性。【IPC分类】H01L33/48, H01L25/075, H01L23/60【公开号】CN205069675【申请号】CN201520775139【专利技术人】王冬雷, 杨帆, 陆永飞, 张亚衔, 莫庆伟 【申请人】大连德豪光电科技有限公司【公开日】2016年3月2日【申请日】2015年10月8日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种大功率LED封装结构，包括：基板(10)；工作电路，所述工作电路设置在所述基板(10)上；至少四颗LED芯片(20)，所有所述LED芯片(20)采用倒装方式固定在所述基板(10)上，并通过所述工作电路连接在一起；其特征在于，还包括：TVS管(40)，所述TVS管(40)固定在所述基板(10)上，并通过所述工作电路与所述LED芯片(20)连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王冬雷，杨帆，陆永飞，张亚衔，莫庆伟，
申请(专利权)人：大连德豪光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：辽宁;21
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