倒装发光二极管芯片制造技术

本申请提供一种倒装发光二极管芯片。所述倒装发光二极管芯片从发光层出射的光，一部分直接射出所述衬底。一部分射向电流扩展层，经过反射层反射后射出所述衬底。由于光线在射出所述衬底时容易发生全反射，此部分光有机会经过所述反射层而后射出所述衬底。所述平台将所述衬底边缘设置的多个所述凸起结构覆盖。也就是说所述平台设置在所述反射层和所述凸起结构之间，使得所述反射层靠近所述衬底的表面为平坦结构，可以解决由图案化微结构导致的所述反射层起伏不平问题。从而，通过所述平台使得所述反射层靠近所述衬底的表面为平坦结构，提高了所述反射层的反射率，更加有效的反射射到此处的光线，提高了所述倒装发光二极管芯片的发光效率。

Flip LED chip

【技术实现步骤摘要】
倒装发光二极管芯片
本申请涉及半导体
，特别是涉及一种倒装发光二极管芯片。
技术介绍
发光二极管(LightEmittingDiode，LED)将电能转化为光能，发光黄、绿、蓝等各种颜色的可见光以及红外和紫外不可见光。与白炽等和氖灯相比，LED具有工作电压和电流低、可靠性高、寿命长且方便调节发光亮度等优点。随着LED灯市场爆发的日益临近，LED封装技术的研发竞争也十分激烈。倒装发光二极管芯片可以解决正装LED芯片由于电流拥挤衍生的散热问题。但是，传统的倒装发光二极管芯片由于设置有图案化蓝宝石衬底结构，使得倒装覆盖在隔离槽上的反射层起伏不平，进而使得光照射到反射层时会发生不可控的各个方向的反射，降低了反射层的反射率，从而不能有效的反射射到此处的光线，降低了传统倒装发光二极管芯片的发光效率。
技术实现思路
基于此，有必要针对传统的倒装发光二极管芯片的发光效率偏低的问题，提供一种提高了光提取效率的倒装发光二极管芯片。本申请提供一种倒装发光二极管芯片包括衬底、缓存层、第一半导体层、平台以及反射层。所述衬底具有相对的第一表面。所述第一表面图案化设置有多个凸起结构，形成图案化衬底。所述缓存层设置于所述第一表面的中部区域，并位于所述多个凸起结构远离所述第一表面的表面。所述第一半导体层设置于所述缓存层远离所述多个凸起结构的表面。所述平台位于所述第一表面的边缘，与所述缓存层和所述第一半导体层相邻设置，所述平台覆盖于所述凸起结构远离所述第一表面的表面。所述反射层设置于所述平台远离所述凸起结构的表面。在一个实施例中，所述第一半导体层的边缘、所述缓存层的边缘与所述第一表面包围形成隔离槽。所述平台设置于所述隔离槽。所述隔离槽内设置有所述凸起结构。所述平台将所述隔离槽内的多个所述凸起结构覆盖。在一个实施例中，所述平台、所述缓存层以及所述第一半导体层一体成型。在一个实施例中，所述缓存层朝所述第一表面边缘延伸，形成所述平台。在一个实施例中，所述第一表面远离所述平台的一侧边缘未设置所述凸起结构。在一个实施例中，所述第一半导体层远离所述缓存层表面设置有第一半导体平台。所述第一半导体平台设置有第一电极。所述第一半导体层远离所述缓存层表面依次设置有发光层、第二半导体层以及电流扩展层。且所述第一电极与所述发光层间隔设置于所述第一半导体层表面，用以将所述第一电极露出。在一个实施例中，所述电流扩展层远离所述第二半导体层的表面设置有第二电极。在一个实施例中，所述反射层设置于所述平台、所述电流扩展层远离所述第二半导体层的表面以及所述第一半导体层，用以将所述第一电极与所述第二电极露出。在一个实施例中，所述倒装发光二极管芯片还包括第一电极焊盘。所述第一电极焊盘设置于所述第一电极表面，且将所述第一电极覆盖实现电连接。在一个实施例中，所述倒装发光二极管芯片还包括第二电极焊盘。所述第二电极焊盘设置于所述第二电极表面，且将所述第二电极覆盖实现电连接。本申请提供一种上述倒装发光二极管芯片。所述倒装发光二极管芯片从发光层出射的光，一部分直接射出所述衬底。一部分射向电流扩展层，经过反射层反射后射出所述衬底。由于光线在射出所述衬底时容易发生全反射，此部分光有机会经过所述反射层而后射出所述衬底。所述平台将所述衬底边缘设置的多个所述凸起结构覆盖。也就是说所述平台设置在所述反射层和所述凸起结构之间，使得所述反射层靠近所述衬底的表面为平坦结构，可以解决由图案化微结构导致的所述反射层起伏不平问题。从而，通过所述平台使得所述反射层靠近所述衬底的表面为平坦结构，提高了所述反射层的反射率，更加有效的反射射到此处的光线，提高了所述倒装发光二极管芯片的发光效率。附图说明图1为本申请提供的一个实施例中倒装发光二极管芯片的整体结构示意图；图2为本申请提供的图1中A位置处的局部结构示意图；图3为本申请提供的另一个实施例中倒装发光二极管芯片的整体结构示意图；图4为本申请提供的又一个实施例中倒装发光二极管芯片的整体结构示意图；图5为本申请提供的又一个实施例中倒装发光二极管芯片的整体结构示意图。附图标记说明倒装发光二极管芯片100、衬底10、缓存层20、第一半导体层30、平台60、反射层40、第一表面110、第二表面120、凸起结构130、隔离槽50、第一半导体平台311、第一电极310、发光层320、第二半导体层330、电流扩展层340、第二电极341、第一电极焊盘710、第二电极焊盘720。具体实施方式为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下通过实施例，并结合附图，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。本文中为部件所编序号本身，例如“第一”、“第二”等，仅用于区分所描述的对象，不具有任何顺序或技术含义。而本申请所说“连接”、“联接”，如无特别说明，均包括直接和间接连接(联接)。在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。请参见图1，本申请提供一种倒装发光二极管芯片100包括衬底10、缓存层20、第一半导体层30、平台60以及反射层40。所述衬底10具有相对的第一表面110和第二表面120。所述第一表面110图案化设置有多个凸起结构130，形成图案化衬底。所述缓存层20设置于所述第一表面110的中部区域，并位于所述多个凸起结构130远离所述第一表面110的表面。所述缓存层20设置于部分所述多个凸起结构130。所述第一半导体层30设置于所述缓存层20远离所述多个凸起结构130的表面。所述平台60设置于所述第一表面110边缘，与所述缓存层20和所述第一半导体层30相邻设置。所述平台60覆盖于所述凸起结构130远离所述第一表面110的表面。且所述平台60将所述衬底10边缘设置的多个所述凸起结构130覆盖。所述反射层40设置于所述平台60远离所述凸起结构130的表面。所述倒装发光二极管芯片100从发光层320出射的光，一部分直接射出所述衬底10。一部分射向电流扩展层340，经过反射层反射后射出所述衬底10。由于光线在射出所述衬底10时容易发生全反射，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种倒装发光二极管芯片，其特征在于，包括：/n衬底(10)，具有第一表面(110)，所述第一表面(110)图案化设置有多个凸起结构(130)；/n缓存层(20)，设置于所述第一表面(110)的中部区域，并位于所述多个凸起结构(130)远离所述第一表面(110)的表面；/n第一半导体层(30)，设置于所述缓存层(20)远离所述多个凸起结构(130)的表面；/n平台(60)，位于所述第一表面(110)的边缘，与所述缓存层(20)和所述第一半导体层(30)相邻设置，所述平台(60)覆盖于所述凸起结构(130)远离所述第一表面(110)的表面；/n反射层(40)，设置于所述平台(60)远离所述凸起结构(130)的表面。/n

【技术特征摘要】
1.一种倒装发光二极管芯片，其特征在于，包括：
衬底(10)，具有第一表面(110)，所述第一表面(110)图案化设置有多个凸起结构(130)；
缓存层(20)，设置于所述第一表面(110)的中部区域，并位于所述多个凸起结构(130)远离所述第一表面(110)的表面；
第一半导体层(30)，设置于所述缓存层(20)远离所述多个凸起结构(130)的表面；
平台(60)，位于所述第一表面(110)的边缘，与所述缓存层(20)和所述第一半导体层(30)相邻设置，所述平台(60)覆盖于所述凸起结构(130)远离所述第一表面(110)的表面；
反射层(40)，设置于所述平台(60)远离所述凸起结构(130)的表面。


2.如权利要求1所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述第一半导体层(30)的边缘、所述缓存层(20)的边缘与所述第一表面(110)包围形成隔离槽(50)，所述平台(60)设置于所述隔离槽(50)，所述隔离槽(50)内设置有所述凸起结构(130)，所述平台(60)将所述隔离槽(50)内的多个所述凸起结构(130)覆盖。


3.如权利要求2所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述平台(60)、所述缓存层(20)以及所述第一半导体层(30)一体成型。


4.如权利要求3所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述缓存层(20)朝所述第一表面(110)边缘延伸，形成所述平台(60)。


5.如权利要求1所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：王晟，
申请(专利权)人：大连德豪光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：辽宁;21