高度反射倒装芯片LED管芯制造技术

LED管芯（40）包括外延生长在透明生长衬底（46）的第一表面之上的N型层（18）、P型层（22）和有源层（20）。光通过与第一表面相对的衬底的第二表面发射并且通过磷光体层（30）波长转换。在中心区域（42）中并且沿管芯的边缘（44）蚀刻开口（42,44）以暴露衬底（46）的第一表面。诸如银之类的高度反射金属（50）沉积在开口中并且与金属P接触件绝缘。反射金属可以通过沿每一个开口的内部边缘电气连接到N型层的所暴露侧面来传导用于N型层的电流。反射金属反射由磷光体层发射的向下的光以改进效率。由反射金属提供的反射区域可以形成管芯区域的10%‑50%。

High reflection flip chip LED core

【技术实现步骤摘要】
高度反射倒装芯片LED管芯
本专利技术涉及具有诸如磷光体层之类的波长转换层的发光二极管（LED）的金属化，并且具体地涉及用于金属化这样的LED管芯的表面以改进光的向上反射的技术。
技术介绍
一种类型的常规LED是具有沉积在其顶部发光表面之上的磷光体层的蓝光发射LED。LED通常是基于GaN的。蓝光激发磷光体，并且由磷光体发射的经波长转换的光与通过磷光体漏出的蓝光组合。实际上可以因此创建任何颜色，诸如白光。以下更加详细讨论的关于这样的经磷光体转换的LED（PCLED）的一个问题在于，由磷光体层发射的光是各向同性的，其中一些光向上发射并且离开LED管芯，而一些光在回到管芯的半导体部分中的方向上发射。该光的大部分然后被LED管芯的底表面上的金属接触件向上反射回来。为了最小化反射率损失，金属接触件应当具有在整个可见光谱中的非常高的反射率特性的特征，这通常难以实现。LED封装效率是在已经生成/转换光之后从LED提取光的能力。改进这样的封装效率当今被视为增加LED的光效能方面的主要阻碍之一。经磷光体转换的LED中的增加的封装效率可以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管（LED）管芯结构，包括：/n包含N型层、P型层和发射光的有源层的LED半导体层；/n具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的生长衬底；/nN型层、P型层和有源层生长在第一表面上；/nN型层、P型层和有源层布置成使得由有源层生成的光的至少部分进入衬底的第一表面并且通过衬底的第二表面离开；/n叠覆衬底的第二表面的波长转换层；/nLED半导体层具有一个或多个开口并且至少一个开口暴露衬底的第一表面；以及/n沉积在一个或多个开口中并且覆盖衬底的第一表面的至少部分以便反射来自波长转换层的光的反射材料,/n其中一个或多个开口包括跨LED管芯分布的开口。/n

【技术特征摘要】
20130718 US 61/8476031.一种发光二极管（LED）管芯结构，包括：
包含N型层、P型层和发射光的有源层的LED半导体层；
具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的生长衬底；
N型层、P型层和有源层生长在第一表面上；
N型层、P型层和有源层布置成使得由有源层生成的光的至少部分进入衬底的第一表面并且通过衬底的第二表面离开；
叠覆衬底的第二表面的波长转换层；
LED半导体层具有一个或多个开口并且至少一个开口暴露衬底的第一表面；以及
沉积在一个或多个开口中并且覆盖衬底的第一表面的至少部分以便反射来自波长转换层的光的反射材料,
其中一个或多个开口包括跨LED管芯分布的开口...

【专利技术属性】
技术研发人员：T洛佩兹，KHH蔡，
申请(专利权)人：亮锐控股有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL