【技术实现步骤摘要】
基于场控可调硅基发光的单片集成光电微显示器件
本专利技术属于半导体微显示
，涉及一种发光二极管，具体地说是一种基于场控可调硅基发光的单片集成光电微显示器件。
技术介绍
微显示技术是为适应互联网技术和智能设备快速发展的新兴技术，因其具有以较小尺寸和较低的功耗实现大屏幕高品质图像显示的优势，在投影仪和VR技术等应用领域拥有着巨大的潜力。微显示技术的核心部件为发光二极管。发光二极管是利用电子和空穴的复合辐射出可见光的半导体装置，广泛应用于照明、平面显示和光纤通讯等领域。经过多年的研究，现已开发出多种材料不同类型的发光二极管，主要可分为普通发光二极管（LED）和有机发光二极管（OLED）。普通发光二极管通常使用Ⅲ-Ⅴ族无机半导体材料和化学气相沉淀（CVD）制造，只能以点光源的形式应用，使得LED运作时结温升高，造成内部量子转换效率降低，且寿命大大缩短。OLED通常使用小分子的有机材料作为发光材料，因为其发光面积较大，所以解决了散热的问题，然而OLED技术的开发门槛非常高，成熟产品较少，现有的传统工艺流程非常复杂，固定投...
【技术保护点】
1.一种基于场控可调硅基发光的单片集成光电微显示器件，其特征在于：它包括自下而上依次设置的硅衬底、发光结构、金属互联层、隔离层和金属反射层；/n所述发光结构嵌于硅衬底中，发光结构包括由外而内依次设置的n型阱、n
【技术特征摘要】
1.一种基于场控可调硅基发光的单片集成光电微显示器件，其特征在于：它包括自下而上依次设置的硅衬底、发光结构、金属互联层、隔离层和金属反射层；
所述发光结构嵌于硅衬底中，发光结构包括由外而内依次设置的n型阱、n+型有源区、p+型有源区、薄氧化层和多晶硅栅，n+型有源区与n型阱的内壁之间设置有场氧化层，场氧化层的外壁与硅衬底相连、内壁与n+型有源区相连。
2.根据权利要求1所述的基于场控可调硅基发光的单片集成光电微显示器件，其特征在于：所述n+型有源区包括第一n+型有源分区和第二n+型有源分区，第一n+型有源分区和第二n+型有源分区的横截面都是条形结构、二者对称设于p+型有源区的两侧、且未与p+型有源区连通。
3.根据权利要求1所述的基于场控可调硅基发光的单片集成光电微显示器件，其特征在于：所述场氧化层的横截面为环形。
4.根据权利要求1-3任意一项所述的基于场控可调硅基发光的单片集成光电微显示器件，其特征在于：所述多晶硅栅包括S个横截面为条状且相互平行的多晶硅栅单元，每个多晶硅栅单元外分别包裹有一层薄氧化层，p+型有源区包括横截面为条状且相互平行的第一～第S+1p+型有源分区，第一～第S+1p+型有源分区与S个多晶硅栅单元相间平行设置，第一～第S+1p+型有源分区的首端相连通、尾端相连通；
所述S∈[1,3]。
5.根据权利要求1-3任意一项所述的基于场控可调硅基发光的单片集成光电微显示器件，其特征在于：所述隔离层包括设置在硅衬底上表面中部的横截面为矩形的第一隔离层分区、围绕第一隔离层分区且厚度逐渐增加的第二隔离层分区、围绕第二隔离层分区且厚...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐开凯，张鸿桥，曾德贵，曾尚文，赵建明，张宁，范洋，朱煜开，张正元，许栋梁，田旭，李建全，廖楠，施宝球，徐银森，陈勇，
申请(专利权)人：电子科技大学，四川晶辉半导体有限公司，广安职业技术学院，成都智芯微科技有限公司，四川芯合利诚科技有限公司，重庆中科渝芯电子有限公司，四川蓝彩电子科技有限公司，广东气派科技有限公司，四川遂宁市利普芯微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51
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