一种高亮度LED芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高亮度LED芯片，其包括：衬底；设于所述衬底表面的外延层，其中所述外延层依次包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；设于所述第一半导体层的第一电极；设于所述第二半导体层的第二电极；所述第一电极与第二电极具有倾斜表面。本实用新型专利技术还公开了一种上述高亮度LED芯片的制备方法以及封装方法。实施本实用新型专利技术，可有效减少了电极面积，同时保证不减少封装打线面积，有效提升了LED芯片的亮度与效能。

A high brightness LED chip

【技术实现步骤摘要】
一种高亮度LED芯片
本技术涉及发光二极管
，尤其涉及一种高亮度LED芯片。
技术介绍
发光二极管(LED)是一种能够将电能转化为可见光的固态的半导体器件，作为照明器件，相对传统照明器件，发光二极管有相当大的优势——寿命长、光效高、无辐射、低功耗、绿色环保。目前LED主要用于显示屏、指示灯、背光源等领域。LED芯片与封装最为密切的就是在于打线，此打线连结了芯片与封装支架进而导通电流，达成封装器件。由于打线时设备(磁嘴/劈刀)较大，就要求LED芯片的电极较大。但是对于一些高光效的产品，电流应用很小，不需要大面积的电极。这样，就会造成一些电极面积的浪费，增加成本；同时较大的电极也会导致发光区减少，降低LED芯片的发光效率。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题在于，提供一种高亮度LED芯片，其可增大芯片的发光面，提升亮度；同时可节省电极成本。为了解决上述技术问题，本技术提供了一种高亮度LED芯片，其包括：衬底；设于所述衬底表面的外延层，其中所述外延层依次包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高亮度LED芯片，其特征在于，包括：/n衬底；/n设于所述衬底表面的外延层，其中所述外延层依次包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；/n设于所述第一半导体层的第一电极；和/n设于所述第二半导体层的第二电极；/n所述第一电极和/或第二电极具有倾斜表面。/n

【技术特征摘要】
20190311 CN 20192030869391.一种高亮度LED芯片，其特征在于，包括：
衬底；
设于所述衬底表面的外延层，其中所述外延层依次包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；
设于所述第一半导体层的第一电极；和
设于所述第二半导体层的第二电极；
所述第一电极和/或第二电极具有倾斜表面。


2.如权利要求1所述的高亮度LED芯片，其特征在于，所述第一电极包括第一底层与第一顶层；所述第二电极包括第二底层与第二顶层；
所述第一底层与第二底层具有平坦的表面；
所述第一顶层与第二顶层具有倾斜的表面。


3.如权利要求2所述的高亮度LED芯片，其特征在于，所述第一底层与第二底层的厚度为0.01-5μm；所述第一顶层与第二顶层的厚度为1-50μm。


4.如权利要求3所述的高亮度LED芯片，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：仇美懿，庄家铭，
申请(专利权)人：佛山市国星半导体技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44