倒装发光二极管芯片制造技术

本申请提供一种倒装发光二极管芯片。所述倒装发光二极管芯片从发光层出射的光，一部分直接射出所述衬底。一部分射向电流扩展层，经过反射层反射后射出所述衬底。由于光线在射出所述衬底时容易发生全反射，此部分光有机会经过所述反射层而后射出所述衬底。所述平台将所述衬底边缘设置的多个所述凸起结构覆盖。也就是说所述平台设置在所述反射层和所述凸起结构之间，使得所述反射层靠近所述衬底的表面为平坦结构，可以解决由图案化微结构导致的所述反射层起伏不平问题。从而，通过所述平台使得所述反射层靠近所述衬底的表面为平坦结构，提高了所述反射层的反射率，更加有效的反射射到此处的光线，提高了所述倒装发光二极管芯片的发光效率。

Flip LED chip

【技术实现步骤摘要】
倒装发光二极管芯片
本申请涉及半导体
，特别是涉及一种倒装发光二极管芯片。
技术介绍
发光二极管(LightEmittingDiode，LED)将电能转化为光能，发光黄、绿、蓝等各种颜色的可见光以及红外和紫外不可见光。与白炽等和氖灯相比，LED具有工作电压和电流低、可靠性高、寿命长且方便调节发光亮度等优点。随着LED灯市场爆发的日益临近，LED封装技术的研发竞争也十分激烈。倒装发光二极管芯片可以解决正装LED芯片由于电流拥挤衍生的散热问题。但是，传统的倒装发光二极管芯片由于设置有图案化蓝宝石衬底结构，使得倒装覆盖在隔离槽上的反射层起伏不平，进而使得光照射到反射层时会发生不可控的各个方向的反射，降低了反射层的反射率，从而不能有效的反射射到此处的光线，降低了传统倒装发光二极管芯片的发光效率。
技术实现思路
基于此，有必要针对传统的倒装发光二极管芯片的发光效率偏低的问题，提供一种提高了光提取效率的倒装发光二极管芯片。本申请提供一种倒装发光二极管芯片包括衬底、缓存层、第一半导体层、平台以及反射层。所述衬底具有相对的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种倒装发光二极管芯片，其特征在于，包括：/n衬底(10)，具有第一表面(110)，所述第一表面(110)图案化设置有多个凸起结构(130)；/n缓存层(20)，设置于所述第一表面(110)的中部区域，并位于所述多个凸起结构(130)远离所述第一表面(110)的表面；/n第一半导体层(30)，设置于所述缓存层(20)远离所述多个凸起结构(130)的表面；/n平台(60)，位于所述第一表面(110)的边缘，与所述缓存层(20)和所述第一半导体层(30)相邻设置，所述平台(60)覆盖于所述凸起结构(130)远离所述第一表面(110)的表面；/n反射层(40)，设置于所述平台(60)远离所述凸起...

【技术特征摘要】
1.一种倒装发光二极管芯片，其特征在于，包括：
衬底(10)，具有第一表面(110)，所述第一表面(110)图案化设置有多个凸起结构(130)；
缓存层(20)，设置于所述第一表面(110)的中部区域，并位于所述多个凸起结构(130)远离所述第一表面(110)的表面；
第一半导体层(30)，设置于所述缓存层(20)远离所述多个凸起结构(130)的表面；
平台(60)，位于所述第一表面(110)的边缘，与所述缓存层(20)和所述第一半导体层(30)相邻设置，所述平台(60)覆盖于所述凸起结构(130)远离所述第一表面(110)的表面；
反射层(40)，设置于所述平台(60)远离所述凸起结构(130)的表面。


2.如权利要求1所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述第一半导体层(30)的边缘、所述缓存层(20)的边缘与所述第一表面(110)包围形成隔离槽(50)，所述平台(60)设置于所述隔离槽(50)，所述隔离槽(50)内设置有所述凸起结构(130)，所述平台(60)将所述隔离槽(50)内的多个所述凸起结构(130)覆盖。


3.如权利要求2所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述平台(60)、所述缓存层(20)以及所述第一半导体层(30)一体成型。


4.如权利要求3所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述缓存层(20)朝所述第一表面(110)边缘延伸，形成所述平台(60)。


5.如权利要求1所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：王晟，
申请(专利权)人：大连德豪光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：辽宁;21