荧光透明陶瓷LED封接结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种荧光透明陶瓷LED封接结构，包括两片平面式透明荧光氧化物基板和一个以上LED芯片，至少在其中一个氧化物基板的正面设置导电图案，在导电图案上预留有LED结合区，LED芯片排布在LED结合区上，其两面分别与两个氧化物基板的正面贴合，两个氧化物基板之间的间隙填充满隔离胶。本实用新型专利技术提供的荧光透明陶瓷LED封接结构，打破了传统的单面出光的结构，提高了出光效率，改善了其散热能力；同时在氧化物基板上直接涂覆导电图案，省却了单颗产品需要跳线的问题；整版式封装方法提高了产品的可靠性和一致性，适于产业化快速、高效生产；另外，该方法避免了隔离胶的使用，可以有效提高产品的使用寿命。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及LED封装技术，尤其涉及一种荧光透明陶瓷LED封接结构及其封接方法。
技术介绍
随着LED在照明领域中的不断发展，人们对其出光效率的要求越来越高，LED的封装材料、封装结构和封装方法都是影响其出光效率的重要因素；目前主要通过透明衬底技术、金属膜反射技术、倒装芯片技术来提高LED的出光效率。通常蓝光、绿光LED芯片是通过MOCVD (金属有机化合物化学气相沉淀)技术在蓝宝石衬底上生长GaN (氮化镓)基的LED晶片结构层，由P/N结发光区发出的光透过上面的P型区射出；由于P型GaN传导性能不佳，为获得良好的电流扩展，需要通过蒸镀技术在P·区表面形成一层Ni-Au组成的金属电极层，P区引线通过该层金属电极层引出；为了获得好的电流扩展，Ni-Au金属电极层就不能太薄，为此，LED芯片的发光效率就会受到很大影响，因而金属电极层的厚度通常需要同时兼顾电流扩展与出光效率二个因素。为了克服以上缺点，提出了倒装LED芯片，其是将LED晶片通过倒装焊接在硅基板上，以提高出光率；但此结构原则上依然是LED晶片单侧出光，同时增加了后续二次配光的成本与难度，很不利于市场的推广及应用。总之，由于不本文档来自技高网...

【技术保护点】
荧光透明陶瓷LED封接结构，其特征在于：该LED封接结构包括两片平面式透明荧光氧化物基板（4）和一个以上LED芯片（1），至少在其中一个氧化物基板（4）的正面设置导电图案（2），在导电图案（2）上预留有LED结合区，LED芯片（1）排布在LED结合区上，其两面分别与两个氧化物基板（4）的正面贴合，两个氧化物基板（4）之间的间隙填充满隔离胶（3）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：高鞠，王媛，
申请(专利权)人：苏州晶品光电科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：