具有单侧基板设计的半导体封装及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种半导体封装及其制造方法，该半导体封装包括基板单元、电性连接至多个第一接触垫的管芯以及覆盖第一图案化导电层与管芯的封装主体。基板单元包括：(1)第一图案化导电层；(2)暴露出第一图案化导电层的一部分以形成第一接触垫的第一介电层；(3)第二图案化导电层；(4)定义出多个从第一图案化导电层延伸至第二图案化导电层的开口的第二介电层，其中第二图案化导电层包括多个被第二介电层所暴露出的第二接触垫；(5)多个从第一图案化导电层延伸至穿过开口的第二接触垫的导电凸块，每一导电凸块填充一个对应的开口。至少其中的一个导电凸块定义出凹穴。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】本申请是申请日为2011年3月3日且专利技术名称为“”的中国专利技术专利申请201110050611.3的分案申请。
本专利技术涉及一种半导体元件封装及其制造方法，且特别是涉及一种具有单侧基板设计的半导体元件封装及其制造方法。
技术介绍
集成电路(IC)封装技术在电子产业中扮演着重要角色。随着轻质、紧密性及高效率已变为消费者电子元件及通信产品的典型要求，芯片封装应提供优良电特性、较小总体积及大量I/o埠。此等芯片封装中使用的基板常具有可使用线路(traces)及/或通孔(vias)电连接的多个金属层。随着芯片封装的尺寸减小，此等用于连接多个金属层的线路及通孔可变得更小且更紧密间隔，此可增加集成电路封装工艺的成本及复杂性。因此，需要开发出一种基板，其具有薄构型、通过较不复杂的工艺进行制造、适于大量生产，且可以高生产良率生产。亦需要开发出包括所述基板的对应封装，以及所述基板及所述对应封装的制造方法。正是对照已知技术才需要开发出本文描述的半导体封装及相关方法。
技术实现思路
本专利技术的示例有关于一种半导体封装。在实施例中，半导体封装包括基板单元、管芯以及封装主体。基板单元包括:(I)具有上表面的第一图案化导电层；(2)配置于第一图案化导电层的上表面的第一介电层，第一介电层暴露出第一图案化导电层的一部分以形成多个第一接触垫；(3)位于第一图案化导电层下方且具有下表面的第二图案化导电层；(4)位于第一图案化导电层与第二图案化导电层之间的第二介电层，其中第二介电层定义出多个从第一图案化导电层延伸至第二图案化导电层的开口，且其中第二图案化导电层包括多个被第二介电层所暴露出的第二接触垫；以及(5)多个导电凸块，每一导电凸块经由位于第二介电层中对应的一个开口自第一图案化导电层延伸至对应的一个第二接触垫，且每一导电凸块填充于位于第二介电层中对应的依各开口。至少其中的一个导电凸块定义出凹槽。管芯电性连接至第一接触垫。封装主体覆盖第一图案化导电层与管芯。本专利技术的另一示例有关于一种基板的制作方法。在实施例中，此方法包括:(I)提供具有上表面与下表面的承载器，且形成邻近承载器的上表面的第一金属层；(2)形成多个至第一金属层垂直延伸的第一导电块，每一第一导电块具有上表面；(3)形成定义出多个第一开口的第一介电层，每一第一开口暴露出对应的一个第一导电块的上表面的一部分；(4)形成第一导电凸块以及第一图案化导电层，每一第一导电凸块从对应的一个第一导电块延伸至第一图案化导电层，并填充于对应的一个第一开口 ；以及(5)移除承载器以暴露出第一金属层。本专利技术的另一示例有关于一种半导体封装的制作方法。在实施例中，此方法包括:(I)提供基板，其包括(a)金属层；(b)多个形成邻近金属层的导电块，每一导电块具有上表面；(C)定义出开口的介电层，每一开口暴露出对应的一个导电块的上表面的一部分；(d)图案化导电层；以及(e)多个导电凸块，每一导电凸块从对应的一个导电块延伸至图案化导电层，并填充于对应的一个开口 ；(2)电性连接芯片至图案化导电层；(3)形成封装主体覆盖介电层与管芯；以及(4)移除金属层以暴露出导电块。本专利技术的其他示例及实施例。以上概述及以下详细描述并非意欲将本专利技术限于任何特定实施例，而是仅意在描述本专利技术的一些实施例。【附图说明】图1为本专利技术的实施例的一种半导体封装的剖面示意图。图2为本专利技术的实施例的一种半导体封装的剖面示意图。图3为本专利技术的实施例的一种半导体封装的剖面示意图。图4为本专利技术的实施例的一种半导体封装的剖面示意图。图5为本专利技术的实施例的一种半导体封装的剖面示意图。图6为本专利技术的实施例的一种半导体封装的剖面示意图。图7为本专利技术的实施例的一种半导体封装的剖面示意图。图8为本专利技术的实施例的一种半导体封装的剖面示意图。图9为本专利技术的实施例的一种半导体封装的剖面示意图。图10为本专利技术的实施例的一种半导体封装的剖面示意图。图1lA至图1lY为本专利技术的实施例的一种半导体封装的制作方法的剖面示意图。图12为本专利技术的实施例的一种半导体封装的剖面示意图。图13为图12的半导体封装的俯视示意图。为更好地理解本专利技术的一些实施例的性质及目的，应参考结合附图作出的以下详细描述。在附图中，除非上下文另外清楚地规定，否则相同参考标号表示相同元件。附图标记说明100、200、300、400、500、600、700、800、900、1000、1200:半导体封装102,302:管芯104、204:基板单元106:封装主体110、210、610、710、810、910、1146、1210:图案化导电层112、142、146、1102、1120、1121:上表面114、1110、1111:导电块116、134、144、234、1104:下表面118、124、218、228、424、524、624、724、1148、1149、1156:介电层120、402、502、611、711、811、911、1107a、1107b、1109a、1109b、1124a、1124b、1126a、1126b、1130a、1130b、1132a、1132b、1140、1141:开口122、122a、222a、222b、622、722、822、922、1137a、1137b:导电凸块126,226a,226b:第一接触垫130、130a、230、230a、230b:第二接触垫133:电性接点136:焊线138:主动表面140、940:管芯粘着层141:底胶148、248b、249:线路150:厚度214、1103、1105、1116、1117、1122、1123、1128、1129、1142、1142，,1144:导电层227、1150:表面处理层/电镀层335:熔融导电凸块723、823、923:凹槽1100:承载器1106、1108、1138、1139:光致抗蚀剂层1112、1114、1134、1136:层1152:基板1154:模制结构1158、1160:虚线623:凹槽1162、1164、1166、1168:阻障层1110a、Illla:第一部分IllObUlllb:第二部分1190:玻纤1112a:第一开口1180、1181:种子层1182a、1182b:部分1172:厚度1250:接地层【具体实施方式】首先，请先参考图1，其说明本专利技术的实施例的一种半导体封装的剖面示意图。半导体封装100包括管芯102、基板单元104以及封装主体106。基板单元104包括具有上表面112的图案化导电层110以及具有下表面116的一或多个导电块114。图案化导电层110横向延伸于基板单元104内。基板单元104亦包括介于图案化导电层110与导电块114之间的介电层118。介电层118具有下表面134。介电层118定义出多个从图案化导电层110延伸至导电块114的开口 120。每一导电凸块122经由对应的一个开口 120从图案化导电层110延伸至对应的导电块114。导电凸块122亦可形成如同一导电层，例如是种子层(请参考图11K)。或者，导电凸块122亦可包括形成如同一导电层，例如是种子层(请参考图11K)的第一部分以及形成于种子层(请参考图11M)上的第二部分。导电凸块122的第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装，包括：基板单元，包括：第一图案化导电层，具有上表面，其中该第一图案化导电层是由两导电层与位于该些导电层之间的种子层所组成；第一介电层，配置于该第一图案化导电层的该上表面，该第一介电层暴露出该第一图案化导电层的一部分以形成多个第一接触垫；第二图案化导电层，位于该第一图案化导电层的下方且具有下表面；第二介电层，位于该第一图案化导电层与该第二图案化导电层之间，其中该第二介电层定义出多个从该第一图案化导电层延伸至该第二图案化导电层的开口，以及该第二图案化导电层包括多个被该第二介电层所暴露出的第二接触垫；以及多个导电凸块，是由部分该种子层所定义，每一导电凸块经由位于该第二介电层中的对应的一个开口从该第一图案化导电层延伸至对应的一个第二接触垫，每一导电凸块填充于位于该第二介电层中的对应的一个开口内；管芯，电性连接该多个第一接触垫；以及封装主体，覆盖该第一图案化导电层与该管芯。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：苏洹漳，黄士辅，李明锦，陈嘉成，谢佳雄，陈姿慧，陈光雄，谢宝明，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71