封装结构制造技术

本申请提出了一种封装结构，该封装结构包括基板，扇出型基板桥上芯片封装结构设置于基板上，第一重布线层设置于基板和扇出型基板桥上芯片封装结构之间，被配置成电性连接基板和扇出型基板桥上芯片封装结构。由于通过第一重布线层电性连接基板和扇出型基板桥上芯片封装结构，不需要使用焊接，因此，封装结构的横向尺寸可以免受焊接接合件的尺寸限制，因而能够减小，以及I/O密度和数量可以免受焊接接合件的尺寸限制，因而能够增加。并且，由于电连接件使用的材料进行了替换，不再使用焊接接合件，可以减小在FOCoS‑B封装技术中，由于FO(扇出)结构与基板通过焊接接合件进行连接产生的阻抗。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体封装，具体涉及一种封装结构。

技术介绍

1、目前的半导体先进封装技术，若要推行扇出型封装，势必往多层数发展，或者采用focos-b(扇出型基板桥上芯片封装，或，带有桥裸片的扇出型基板上芯片封装)技术。

2、对于focos-b封装结构，i/o数随着芯片性能的提高而增加，并且，其发展趋势为focos-b封装结构的尺寸日益缩小，然而，受限于焊接接合件的尺寸，最小的ubump(微凸块)或者copper pillar bump(铜柱凸块)横向宽度有10-20μm，如果焊接接合件的尺寸无法缩小，focos-b封装结构的横向尺寸会因此受到限制，最终i/o密度和数量也会受到限制。

技术实现思路

1、本申请提出了一种封装结构。

2、第一方面，本申请提供封装结构，包括：基板；扇出型基板桥上芯片封装结构，设置于所述基板上；第一重布线层，设置于所述基板和所述扇出型基板桥上芯片封装结构之间，被配置成电性连接所述基板和所述扇出型基板桥上芯片封装结构。

3、在一些可选的实施方式中，所述扇本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种封装结构，包括：

2.根据权利要求1所述的封装结构，其中，所述扇出型基板桥上芯片封装结构包括桥裸片以及与所述桥裸片并排设置的集成无源元件。

3.根据权利要求2所述的封装结构，其中，所述桥裸片和所述集成无源元件通过粘着材料与所述第一重布线层连接。

4.根据权利要求2所述的封装结构，其中，所述扇出型基板桥上芯片封装结构包括至少一个芯片，所述集成无源元件设置于所述芯片往所述基板方向的投影范围内。

5.根据权利要求2所述的封装结构，其中，所述集成无源元件是深沟槽电容器元件。

6.根据权利要求1所述的封装结构，其中，所述第一重布线...

【技术特征摘要】

1.一种封装结构，包括：

2.根据权利要求1所述的封装结构，其中，所述扇出型基板桥上芯片封装结构包括桥裸片以及与所述桥裸片并排设置的集成无源元件。

3.根据权利要求2所述的封装结构，其中，所述桥裸片和所述集成无源元件通过粘着材料与所述第一重布线层连接。

4.根据权利要求2所述的封装结构，其中，所述扇出型基板桥上芯片封装结构包括至少一个芯片，所述集成无源元件设置于所述芯片往所述基板方向的投影范围内。

5.根据权利要求2所述的封装结构，其中，所述集成无源元件是深沟槽电容器元件。

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【专利技术属性】
技术研发人员：施钧崴，杨盛文，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：