一种导热硅胶片及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种导热硅胶片及其制作方法,该导热硅胶片用作功率半导体模块上的导热材料，所述导热硅胶片中埋入了用于测量功率半导体模块的一个或多个位置上的温度的多个温度检测单元。该制作方法包括：将一个或多个温度检测单元放置于模具中，放置的位置对应预先设定好的待测功率半导体模块的一个或多个测温点，向所述模具内注入硅胶材料并成型为具有所述温度检测单元的导热硅胶片。采用该导热硅胶片，可提高功率半导体模块温度测量的准确性和实时性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及功率半导体器件测温技术，特别是涉及一种导热硅胶片及其制作方法。
技术介绍
随着电能转换和控制的需求不断增长，以绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，简称IGBT)为代表的功率半导体器件使用的越来越频繁。功率半导体器件在运行时会产生大量的热量，过多的热量累积会导致器件失效甚至爆炸、燃烧等恶劣后果。所以针对功率半导体器件的散热和温度检测设计，一直是功率半导体期间使用过程中的核心课题。功率半导体器件10的热量发生一般集中在其PN结，并通过铜基板12、导热材料、散热器等向外扩散，最终由散热器通过自然或强迫的方式向环境中散去。目前所使用的温度传感器件11一般置于功率半导体器件10的铜基板12上，如图1所示，或者是置于远离铜基板的散热器13上，如图2所示。传统的测温结构设计导致了测量的不准确性和滞后性，有较大隐患。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于针对现有技术的不足，提供一种导热硅胶片及其本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种导热硅胶片，用作功率半导体模块上的导热材料，其特征在于,所述导热硅胶片中埋入了用于测量功率半导体模块的一个或多个位置上的温度的多个温度检测单元。

【技术特征摘要】
1.一种导热硅胶片，用作功率半导体模块上的导热材料，其特征在
于,所述导热硅胶片中埋入了用于测量功率半导体模块的一个或多个位置
上的温度的多个温度检测单元。
2.如权利要求1所述的导热硅胶片，其特征在于,所述多个温度检测
单元至少对应功率半导体模块中的多个发热源而布置在所述导热硅胶片
中。
3.如权利要求1所述的导热硅胶片，其特征在于,所述多个温度检
测单元至少对应分布在功率半导体模块的多条散热途径中的不同点而布
置在所述导热硅胶片中。
4.如权利要求1至3任一项所述的导热硅胶片，其特征在于,所述多
个温度检测单元在所述导热硅胶片中呈阵列布置。
5.如权利要求1至3任一项所述的导热硅胶片，其特征在于,所述多
个温度检测单元中的部分或全部温度检测单元的引出导线在所述导热硅
胶片中部聚集成束，并在所述导热硅胶片的一侧引出。
6.如权利要求1至5任一项所述的导热硅胶片，其特征在于,所述温
度检测单元为单板式NTC热敏电阻陶瓷片。
7.如权利要求1至5任一项所述的导热硅胶片，其特征在于,所述功
率半导体模块为IGBT，所述温度检测单元根据所述IGBT的PN结位置关系
和相关热测量要求布置在所...

【专利技术属性】
技术研发人员：傅俊寅，汪之涵，王浩兰，李玉容，
申请(专利权)人：深圳青铜剑电力电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44