一种IGBT过压保护电路及一种IGBT过压保护方法技术

本发明专利技术公开了一种IGBT过压保护电路及一种IGBT过压保护方法，其中IGBT过压保护电路包括IGBT、驱动电源、集电极过压保护电路和驱动控制电路，其中驱动电源与IGBT的门极相连；集电极过压保护电路用于监测IGBT的集电极的电压，当IGBT的集电极的电压超过预定值时，集电极过压保护电路将过压信号传输给驱动控制电路，并传输电流使IGBT的门极电位上升以抑制IGBT集电极电压的上升；驱动控制电路在接收到所述过压信号时中止IGBT的关断。由于在本发明专利技术提供的IGBT过压保护电路产生过压保护时还通过驱动控制电路来控制停止IGBT的关断，使得IGBT门极充电的电流需求较小，大大缩短了过压保护的响应时间，更加及时的保护IGBT。

【技术实现步骤摘要】
一种IGBT过压保护电路及一种IGBT过压保护方法
本专利技术涉及IGBT
，尤其涉及一种IGBT过压保护电路及一种IGBT过压保护方法。
技术介绍
IGBT广泛应用于新型的电力电子变换领域，光伏、风力发电、变频、电动汽车等热门行业都能见到IGBT在其中发挥非常重要的作用。在工作过程中，IGBT在开通和关断中不断地切换，IGBT失效主要是由于过流及过压两种原因引起；IGBT过流会引起IGBT芯片内部温度升高，当温度超过芯片内部结温的承受范围，则会发生PN结击穿，导致IGBT失效。目前实际使用中，由于针对IGBT器件都会有过流及短路保护电路，所以一般情况下IGBT都不会因为过流而直接导致IGBT器件失效。而由于IGBT本身是电压敏感型器件，一旦电压超过芯片承受电压，则IGBT就会击穿失效。根据统计，IGBT器件失效占市场返修产品的50％以上，而过压导致的IGBT失效，占IGBT器件失效的75％以上；绝大部分IGBT失效都是因为IGBT承受了超过器件本身承受的电压所致。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术提出一种IGBT过压保护电路及一种IGBT过压保护方法，能够准确地监测I本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种IGBT过压保护电路，包括IGBT和驱动电源，所述驱动电源与所述IGBT的门极相连，其特征在于，还包括集电极过压保护电路和驱动控制电路；所述集电极过压保护电路用于监测所述IGBT的集电极的电压，当所述IGBT的集电极的电压超过预定值时，所述集电极过压保护电路将过压信号传输给所述驱动控制电路，并传输电流使所述IGBT的门极电位上升以抑制IGBT集电极电压的上升；所述驱动控制电路在接收到所述过压信号时中止所述IGBT的关断。

【技术特征摘要】
1.一种IGBT过压保护电路，包括IGBT和驱动电源，所述驱动电源与所述IGBT的门极相连，其特征在于，还包括集电极过压保护电路和驱动控制电路；所述集电极过压保护电路用于监测所述IGBT的集电极的电压，当所述IGBT的集电极的电压超过预定值时，所述集电极过压保护电路将过压信号传输给所述驱动控制电路，并传输电流使所述IGBT的门极电位上升以抑制IGBT集电极电压的上升；所述驱动控制电路在接收到所述过压信号时中止所述IGBT的关断，其中：所述集电极过压保护电路包括TVS管和第一二极管，所述TVS管的负极与所述IGBT的集电极相连，所述TVS管的正极与所述驱动控制电路相连，所述TVS管的正极还与所述IGBT的门极相连，所述第一二极管的正极与所述IGBT的门极相连，所述第一二极管的负极与所述驱动电源相连；所述驱动控制电路包括缓冲器、或非门、第一MOS管和第二MOS管，其中所述缓冲器的输入端和所述或非门的第一输入端相连，所述或非门的第二输入端与所述集电极过压保护电路的所述TVS管的正极相连并接地；所述第一MOS管的门极与所述缓冲器的输出端相连，所述第一MOS管的漏极与所述驱动电源相...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄辉，李燕飞，汪之涵，
申请(专利权)人：深圳青铜剑电力电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44