电子设备及其过压保护电路制造技术

本实用新型专利技术提供一种电子设备及其过压保护电路，该过压保护电路包括供电输入引脚、接地引脚、稳压控制电路和开关电路，所述稳压控制电路与所述开关电路电连接，所述稳压控制电路、所述开关电路均与所述供电输入引脚和所述接地引脚电连接；所述稳压控制电路用于在输入电压大于预设电压阈值时生成供电断开信号，以及在输入电压小于预设电压阈值生成供电导通信号；所述开关电路用于在接收到所述供电断开信号时断开，以及在接收到所述供电导通信号时导通。本实用新型专利技术的电子设备及其过压保护电路可以在输入电压过高时断开供电，有效保护过压保护电路后端的负载电路，避免损坏和发生安全事故。

【技术实现步骤摘要】
电子设备及其过压保护电路
本技术特别涉及一种电子设备及其过压保护电路。
技术介绍
当今很多消费电子类产品使用直流电源适配器供电，而同一规格输出接口的电源适配器会有多种输出电压值，这样当用户使用多种电子产品时，就有用错电源适配器的情况，特别时当误插入输出电压高于配套电源适配器输出电压的电源适配器时，会导致电子产品损坏，甚至出现安全问题。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是为了克服现有技术中电子产品的输入电压因误操作过高导致的电子产品损坏的缺陷，提供一种电子设备及其过压保护电路。本技术是通过下述技术方案来解决上述技术问题：一种过压保护电路，包括供电输入引脚、接地引脚、稳压控制电路和开关电路，所述稳压控制电路与所述开关电路电连接，所述稳压控制电路、所述开关电路均与所述供电输入引脚和所述接地引脚电连接；所述稳压控制电路用于在输入电压大于预设电压阈值时生成供电断开信号，以及在输入电压小于预设电压阈值生成供电导通信号；所述开关电路用于在接收到所述供电断开信号时断开，以及在接收到所述供电导通信号时导通。较佳地，所述稳压控制电路包括一稳压二极管VD1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、三极管Q1和三极管Q2，所述开关电路包括PMOS管Q3；所述稳压二极管VD1的反向引脚与所述供电输入引脚电连接，所述稳压二极管的正向引脚与所述电阻R1的第一引脚电连接，所述电阻R1的第二引脚与所述接地引脚电连接；所述电阻R2的第一引脚与所述稳压二极管VD1的正向引脚电连接，所述电阻R2的第二引脚与所述三极管Q1的基极电连接，所述三极管Q1的发射极与所述接地引脚电连接，所述三极管Q1的集电极与所述电阻R3的第一引脚电连接，所述电阻R3的第二引脚与所述供电输入引脚电连接；所述电阻R4的第一引脚与所述三极管Q1的集电极电连接，所述电阻R4的第二引脚与所述三极管Q2的基极电连接；所述三极管Q2的发射极与所述接地引脚电连接，所述三极管Q2的集电极与所述PMOS(P沟道金属氧化物半导体)管Q3的栅极电连接，所述PMOS管Q3的源极与所述供电输入引脚电连接。较佳地，所述开关电路还包括电阻R5和电阻R6，所述电阻R5的第一引脚与所述三极管Q2的集电极电连接，所述电阻R5的第二引脚与所述PMOS管的栅极电连接，所述电阻R6的第一引脚与所述供电输入引脚电连接，所述电阻R6的第二引脚与所述PMOS管Q3的栅极电连接。较佳地，所述稳压控制电路还包括电容C1和电容C2，所述开关电路还包括电容C3；所述电容C1的第一引脚与所述三极管Q2的基极电连接，所述电容C1的第二引脚与所述接地引脚电连接；所述电容C2的第一引脚与所述三极管Q2的集电极电连接，所述电容C2的第二引脚与所述接地引脚电连接；所述电容C3的第一引脚与所述供电输入引脚电连接，所述电容C3的第二引脚与所述PMOS管Q3的栅极电连接。较佳地，所述开关电路还包括电阻R7和电容C4，所述电阻R7的第一引脚与所述供电输入引脚电连接，所述电阻R7的第二引脚与所述电容C4的第一引脚电连接，所述电容C4的第二引脚与所述PMOS管Q3的漏极电连接。较佳地，所述开关电路还包括电阻R8和电容C5，所述电阻R8的第一引脚与所述PMOS管Q3的栅极电连接，所述电阻R8的第二引脚与所述电容C5的第一引脚电连接，所述电容C5的第二引脚与所述PMOS管Q3的漏极电连接。较佳地，所述开关电路还包括电容C6和电容C7，所述电容C6的第一引脚与所述PMOS管Q3的漏极电连接，所述电容C6的第二引脚与所述接地引脚电连接，所述电容C7的第一引脚与所述PMOS管Q3的漏极电连接，所述电容C7的第二引脚与所述接地引脚电连接。较佳地，所述三极管Q1和三极管Q2均为NPN型三极管。较佳地，所述电阻R5与电阻R6应满足如下条件：Vgs(max)＞r6/(r5+r6)×Vin＞|Vgs(th)|，其中Vgs(max)为PMOS管Q3栅极与源极之间的最大耐压值，Vgs(th)为PMOS管Q3的栅极与源极之间的导通电压值，r6为电阻R6的阻值，r5为电阻R5的阻值，Vin为所述供电输入引脚的电压值。一种电子设备，所述电子设备包括所述的过压保护电路。本技术的积极进步效果在于：本技术的电子设备及其过压保护电路可以在输入电压过高时断开供电，有效保护过压保护电路后端的负载电路，避免损坏和发生安全事故。附图说明图1为本技术一较佳实施例的过压保护电路的结构示意图。具体实施方式下面举个较佳实施例，并结合附图来更清楚完整地说明本技术。如图1所示，一种过压保护电路，包括输入端V和输出端包括供电输入引脚Uin、接地引脚GND、稳压控制电路和开关电路，所述稳压控制电路与所述开关电路电连接，所述稳压控制电路、所述开关电路均与所述供电输入引脚Uin和所述接地引脚GND电连接；所述稳压控制电路用于在输入电压大于预设电压阈值时生成供电断开信号，以及在输入电压小于预设电压阈值生成供电导通信号；所述开关电路用于在接收到所述供电断开信号时断开，以及在接收到所述供电导通信号时导通。所述稳压控制电路包括一稳压二极管VD1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、三极管Q1和三极管Q2，所述开关电路包括PMOS管Q3；所述稳压二极管VD1的反向引脚与所述供电输入引脚Uin电连接，所述稳压二极管的正向引脚与所述电阻R1的第一引脚电连接，所述电阻R1的第二引脚与所述接地引脚GND电连接；所述电阻R2的第一引脚与所述稳压二极管VD1的正向引脚电连接，所述电阻R2的第二引脚与所述三极管Q1的基极电连接，所述三极管Q1的发射极与所述接地引脚GND电连接，所述三极管Q1的集电极与所述电阻R3的第一引脚电连接，所述电阻R3的第二引脚与所述供电输入引脚Uin电连接；所述电阻R4的第一引脚与所述三极管Q1的集电极电连接，所述电阻R4的第二引脚与所述三极管Q2的基极电连接；所述三极管Q2的发射极与所述接地引脚GND电连接，所述三极管Q2的集电极与所述PMOS管Q3的栅极电连接，所述PMOS管Q3的源极与所述供电输入引脚Uin电连接。所述PMOS管Q3的漏极作为所述供电输出引脚Uout。所述开关电路还包括电阻R5和电阻R6，所述电阻R5的第一引脚与所述三极管Q2的集电极电连接，所述电阻R5的第二引脚与所述PMOS管Q3的栅极电连接，所述电阻R6的第一引脚与所述供电输入引脚Uin电连接，所述电阻R6的第二引脚与所述PMOS管Q3的栅极电连接。其中，所述三极管Q1和三极管Q2均为NPN型三极管。所述稳压二极管为齐纳二极管。所述电阻R5与电阻R6应满足如下条件：Vgs(max)＞r6/(r5+r6)×Vin＞|Vgs(th)|，其中Vgs(max)为PMOS管Q3栅极与源极之间的最大耐压值，Vgs(th)为PMOS管Q3的栅极与源极之间的导通电压值，r6为电阻R6的阻值，r5为电阻R5的阻值，Vin为所述供电输入引脚Uin的电压值，通过选择电阻R5和电阻R6的阻值使所述PMOS管Q3实现开关功能。所述稳压控制电路还包括电容C1和电容C2，所述开关电路还包括电容C3；所述电容C1的第一引脚与所述三极管Q2的基极电连接，所述电容C1的第二引脚与所述接地引脚GND电连接；所述电容C2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种过压保护电路，其特征在于，包括供电输入引脚、接地引脚、稳压控制电路和开关电路，所述稳压控制电路与所述开关电路电连接，所述稳压控制电路、所述开关电路均与所述供电输入引脚和所述接地引脚电连接；所述稳压控制电路用于在输入电压大于预设电压阈值时生成供电断开信号，以及在输入电压小于预设电压阈值生成供电导通信号；所述开关电路用于在接收到所述供电断开信号时断开，以及在接收到所述供电导通信号时导通。

【技术特征摘要】
1.一种过压保护电路，其特征在于，包括供电输入引脚、接地引脚、稳压控制电路和开关电路，所述稳压控制电路与所述开关电路电连接，所述稳压控制电路、所述开关电路均与所述供电输入引脚和所述接地引脚电连接；所述稳压控制电路用于在输入电压大于预设电压阈值时生成供电断开信号，以及在输入电压小于预设电压阈值生成供电导通信号；所述开关电路用于在接收到所述供电断开信号时断开，以及在接收到所述供电导通信号时导通。2.如权利要求1所述的过压保护电路，其特征在于，所述稳压控制电路包括一稳压二极管VD1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、三极管Q1和三极管Q2，所述开关电路包括PMOS管Q3；所述稳压二极管VD1的反向引脚与所述供电输入引脚电连接，所述稳压二极管VD1的正向引脚与所述电阻R1的第一引脚电连接，所述电阻R1的第二引脚与所述接地引脚电连接；所述电阻R2的第一引脚与所述稳压二极管VD1的正向引脚电连接，所述电阻R2的第二引脚与所述三极管Q1的基极电连接，所述三极管Q1的发射极与所述接地引脚电连接，所述三极管Q1的集电极与所述电阻R3的第一引脚电连接，所述电阻R3的第二引脚与所述供电输入引脚电连接；所述电阻R4的第一引脚与所述三极管Q1的集电极电连接，所述电阻R4的第二引脚与所述三极管Q2的基极电连接；所述三极管Q2的发射极与所述接地引脚电连接，所述三极管Q2的集电极与所述PMOS管Q3的栅极电连接，所述PMOS管Q3的源极与所述供电输入引脚电连接。3.如权利要求2所述的过压保护电路，其特征在于，所述开关电路还包括电阻R5和电阻R6，所述电阻R5的第一引脚与所述三极管Q2的集电极电连接，所述电阻R5的第二引脚与所述PMOS管Q3的栅极电连接，所述电阻R6的第一引脚与所述供电输入引脚电连接，所述电阻R6的第二引脚与所述PMOS管Q3的栅极电连接。4.如权利要求2所述的过压保护电路，其特征在于，所述稳压控制电路还包括电容C1和电容C2，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙军，王卫，
申请(专利权)人：上海剑桥科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31