The invention discloses a charging circuit with overcurrent protection and overvoltage protection, including step-down transformer T, rectifier bridge UR, VT1, VT2, transistor transistor transistor, VT3 transistor VT4, VZ regulator, filter capacitor, resistor, C1 light-emitting diode, VD1 light emitting diode VD2, diode VD3, RT thermistor, battery E. The charging circuit is composed of discrete components, not only has the advantages of simple structure, low cost and circuit; the charging circuit with over-voltage protection, over-current protection, overheat protection, can avoid the battery in the charging process, the overcurrent, overvoltage or overheating, effectively improve the battery life of mobile phone.
【技术实现步骤摘要】
一种带有过流保护和过压保护的充电电路
本专利技术涉及手机电池充电
,尤其涉及一种带有过流保护和过压保护的充电电路。
技术介绍
随着手机用户的日益增多,如何保养手机成为了众多手机使用者面临的一个实际问题,而手机电池作为手机的一个重要组成部分,手机电池在手机的使用中占有重要的地位,直接影响了手机的使用寿命和性能。手机电池在充电过程中会经常出现过电流、过电压或过热现象,过电流、过电压或过热现象会严重降低电池的容量,减少手机电池的寿命。
技术实现思路
本专利技术为了避免手机电池在充电过程中出现过电流、过电压或过热现象,提供一种带有过流保护和过压保护的充电电路。为实现上述目的,本专利技术采用的技术方案是:一种带有过流保护和过压保护的充电电路,220V交流电源经过变压器T降压,再通过整流桥UR整流后,整流桥UR输出端正极与复合管相连,整流桥输出端负极接地;所述复合管包括晶体管VT1、晶体管VT2,晶体管VT1的发射极与晶体管VT2的基极相连,整流桥输出端正极分别通过电阻R2、电阻R3与晶体管VT1的基极、集电极相连;所述晶体管VT2的发射极与电阻R4相连,电阻R4两端分别与晶体管VT3的基极和发射极相连,晶体管VT3的集电极与晶体管VT1的基极相连;电阻R4与滤波电容C1正极相连,有电阻R5与电阻R7串联后并联在滤波电容C1两端,电阻R5、电阻R7公共端与晶体管VT4的基极相连,晶体管VT4的集电极与晶体管VT1的基极相连,晶体管VT4的发射极通过稳压管VZ与地相连,晶体管VT4的发射极还通过电阻R6与滤波电容C1正极相连;所述电阻R4通过二极管VD3与电池E正极相 ...
【技术保护点】
一种带有过流保护和过压保护的充电电路,其特征在于:220V交流电源经过变压器T降压,再通过整流桥UR整流后,整流桥UR输出端正极与复合管相连,整流桥输出端负极接地;所述复合管包括晶体管VT1、晶体管VT2,晶体管VT1的发射极与晶体管VT2的基极相连,整流桥输出端正极分别通过电阻R2、电阻R3与晶体管VT1的基极、集电极相连;所述晶体管VT2的发射极与电阻R4相连,电阻R4两端分别与晶体管VT3的基极和发射极相连,晶体管VT3的集电极与晶体管VT1的基极相连;电阻R4与滤波电容C1正极相连,有电阻R5与电阻R7串联后并联在滤波电容C1两端,电阻R5、电阻R7公共端与晶体管VT4的基极相连,晶体管VT4的集电极与晶体管VT1的基极相连,晶体管VT4的发射极通过稳压管VZ与地相连,晶体管VT4的发射极还通过电阻R6与滤波电容C1正极相连;所述电阻R4通过二极管VD3与电池E正极相连,电池E负极接地。
【技术特征摘要】
1.一种带有过流保护和过压保护的充电电路,其特征在于:220V交流电源经过变压器T降压,再通过整流桥UR整流后,整流桥UR输出端正极与复合管相连,整流桥输出端负极接地;所述复合管包括晶体管VT1、晶体管VT2,晶体管VT1的发射极与晶体管VT2的基极相连,整流桥输出端正极分别通过电阻R2、电阻R3与晶体管VT1的基极、集电极相连;所述晶体管VT2的发射极与电阻R4相连,电阻R4两端分别与晶体管VT3的基极和发射极相连,晶体管VT3的集电极与晶体管VT1的基极相连;电阻R4与滤波电容C1正极相连,有电阻R5与电阻R7串联后并联在滤波电容C1两端,电阻R5、电阻R7公共端与晶体管VT4的基极相连,晶体管VT4的集电极与晶体管VT1的基极相连,晶体管VT4的发射极通过稳压管VZ与地相连,晶体管VT4的发射极还通过电阻R6与滤波电容C1正极相连;所述电...
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