The utility model discloses a LED micro display array flip chip, comprising a substrate, a plurality of grooves etched array on the substrate, a transparent film layer and a substrate filled in the groove on the LED micro array of pixels, each pixel and the corresponding LED micro groove; the refractive index of transparent thin film layer was > 2.3, the blue or green light transmittance of > 97% LED; the micro pixel includes deposition of N type GaN layer on the substrate, a multi quantum well layer and P GaN layer; N type GaN layer of the LED micro pixel together to form a common cathode, the deposition of a N metal electrode contact layer the P type GaN layer; the LED micro pixel as a separate anode, the deposition of a P metal electrode contact layer; wherein, the P type GaN layer between P electrode and metal contact layer is also provided with a reflection layer. The utility model relates to a LED micro display array flip chip, which reduces the interference of light output between pixel units, and improves the resolution of the LED micro display array.
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及LED微显示,具体涉及一种LED微显示阵列倒装芯片。
技术介绍
发光二极管(LED)是一种高效节能、绿色环保、寿命长的固态半导体器件,目前在交通指示、户内外全色显示、液晶电视背光源、照明等方面有着广泛的应用。而基于LED阵列的微型显示技术,是在一个芯片上集成高密度微小尺寸的超高亮度发光二极管二维阵列,并采用硅基cmos电路对其进行驱动的显示技术,该微显示系统相比于现有技术的OLED、LCoS微显示系统,具有高亮度高对比度、牢固、响应快、成本低等优点。超高亮度GaN-LED微显示器是一种主动发光的单色显示器件,结构紧凑、清晰度高、对比度高、寿命长,其亮度达10000cd/m2以上,可以在-50~200℃温度范围内正常工作。将这种显示器件放置在眼镜、头盔、掌心等地方,通过一个透镜系统可以直接观察所显示的虚拟图像和数据。对于此类微显示器件,提高其分辨率最有的手段就是通过减小单个像素的尺寸来增加单位面积上集成的像素数目。但是如此高密度的LED像素阵列发光层的光经过n-GaN及蓝宝石衬底发射出来,很容易出现像素间光的干扰以及光斑的扩大。这是由于GaN的折射率(2~3)与蓝宝石折射率(1.77)相差较大,光经过GaN进入低折射率的蓝宝石上会发散。
技术实现思路
为解决上述问题,本技术提供了一种LED微显示阵列倒装芯片。上述目的是通过如下技术方案实现的:一种LED微显示阵列倒装芯片,包括衬底、阵列蚀刻在衬底上的多个凹槽、填充在凹槽中的透明薄膜层和设于衬底上的LED微像素阵列,各LED微像素和凹槽一一对应;所述透明薄膜层的折射率>2.3,对蓝光或绿光的透过率 ...
【技术保护点】
一种LED微显示阵列倒装芯片,其特征在于:包括衬底、阵列蚀刻在衬底上的多个凹槽、填充在凹槽中的透明薄膜层和设于衬底上的LED微像素阵列,各LED微像素和凹槽一一对应;所述透明薄膜层的折射率>2.3,对蓝光或绿光的透过率>97%;各LED微像素包括依次沉积在衬底上的N型GaN层、多量子阱层和P型GaN层;各LED微像素的N型GaN层连为一体形成共阴极,其上沉积有N电极金属接触层;各LED微像素的P型GaN层作为独立的阳极,其上沉积有P电极金属接触层;其中,P型GaN层和P电极金属接触层之间还设有一反射层。
【技术特征摘要】
1.一种LED微显示阵列倒装芯片,其特征在于:包括衬底、阵列蚀刻在衬底上的多个凹槽、填充在凹槽中的透明薄膜层和设于衬底上的LED微像素阵列,各LED微像素和凹槽一一对应;所述透明薄膜层的折射率>2.3,对蓝光或绿光的透过率>97%;各LED微像素包括依次沉积在衬底上的N型GaN层、多量子阱层和P型GaN层;各LED微像素的N型GaN层连为一体形成共阴极,其上沉积有N电极金属接触层;各LED微像素的P型GaN层作为独立的阳极,其上沉积有P电极金属接触层;其中,P型GaN层和P电极金属接触层之间还设有一反射层。2.根据权利要求1所述的LED微...
【专利技术属性】
技术研发人员:石素君,许键,张雪峰,
申请(专利权)人:上海君万微电子科技有限公司,
类型:新型
国别省市:上海;31
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