多芯片正装先蚀刻后封装基岛埋入封装结构及其制造方法技术

技术编号:8162581 阅读:130 留言:0更新日期:2013-01-07 20:10
本发明专利技术涉及一种多芯片正装先蚀刻后封装基岛埋入封装结构及其制造方法,所述结构包括基岛(1)和引脚(2),所述基岛(1)正面设置有芯片(4),所述芯片(4)正面与引脚(2)正面之间用金属线(5)相连接,所述基岛(1)和引脚(2)周围区域以及芯片(4)和金属线(5)外均包封有塑封料(6),所述引脚(2)下部的塑封料(6)表面上开设有小孔(7),所述小孔(7)与引脚(2)背面相连通,所述小孔(7)内设置有金属球(9),所述金属球(9)与引脚(2)背面相接触。本发明专利技术的有益效果是:降低了制造成本,提高了封装体的安全性和可靠性,减少了环境污染,能够真正做到高密度线路的设计和制造。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及ー种。属于半导体封装

技术介绍
传统的高密度基板封装结构的制造エ艺流程如下所示 步骤一、參见图38,取一玻璃纤维材料制成的基板, 步骤ニ、參见图39,在玻璃纤维基板上所需的位置上开孔, 步骤三、參见图40,在玻璃纤维基板的背面被覆ー层铜箔, 步骤四、參见图41,在玻璃纤维基板打孔的位置填入导电物质, 步骤五、參见图42,在玻璃纤维基板的正面被覆ー层铜箔, 步骤六、參见图43,在玻璃纤维基板表面被覆光阻膜, 步骤七、參见图44,将光阻膜在需要的位置进行曝光显影开窗, 步骤八、參见图45,将完成开窗的部分进行蚀刻, 步骤九、參见图46,将基板表面的光阻膜剥除, 步骤十、參见图47,在铜箔线路层的表面进行防焊漆(俗称绿漆)的被覆, 步骤十一、參见图48,在防焊漆需要进行后エ序的装片以及打线键合的区域进行开窗, 步骤十二、參见图49,在步骤十一进行开窗的区域进行电镀,相对形成基岛和引脚, 步骤十三、完成后续的装片、打线、包封、切割等相关エ序。上述传统高密度基板封装结构存在以下不足和缺陷 1、多了ー层的玻璃纤维材料,同样的也多了ー层玻璃纤本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多芯片正装先蚀刻后封装基岛埋入封装结构,其特征在于它包括基岛(1)和引脚(2),所述基岛(1)正面通过导电或不导电粘结物质(3)设置有多个芯片(4),所述芯片(4)正面与引脚(2)正面之间用金属线(5)相连接,所述基岛(1)外围的区域、基岛(1)和引脚(2)之间的区域、引脚(2)与引脚(2)之间的区域、基岛(1)和引脚(2)上部的区域、基岛(1)和引脚(2)下部的区域以及芯片(4)和金属线(5)外均包封有塑封料(6),所述引脚(2)背面的塑封料(6)上开设有小孔(7),所述小孔(7)与引脚(2)背面相连通,所述小孔(7)内设置有金属球(9),所述金属球(9)与引脚(2)背面相接触。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:王新潮李维平梁志忠
申请(专利权)人:江苏长电科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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