本发明专利技术涉及一种单芯片倒装先封装后蚀刻基岛埋入封装结构及其制造方法，它包括基岛（1）、引脚（2）和芯片（3），所述芯片倒装于基岛正面和引脚正面，所述芯片底部与基岛正面和引脚正面之间设置有底部填充胶（14）,所述基岛外围的区域、基岛和引脚之间的区域、引脚与引脚之间的区域、基岛和引脚上部的区域、基岛和引脚下部的区域以及芯片的外围均包封有塑封料（4），所述引脚背面的塑封料上开设有小孔（5），所述小孔与引脚背面相连通，所述小孔内设置有金属球（7），所述金属球与引脚背面相接触。本发明专利技术的有益效果是：降低了制造成本，提高了封装体的安全性和可靠性，减少了环境污染，能够真正做到高密度线路的设计和制造。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种。属于半导体封装
技术介绍
传统的高密度基板封装结构的制造エ艺流程如下所示 步骤一、參见图28，取一玻璃纤维材料制成的基板， 步骤ニ、參见图29，在玻璃纤维基板上所需的位置上开孔， 步骤三、參见图30，在玻璃纤维基板的背面被覆ー层铜箔， 步骤四、參见图31，在玻璃纤维基板打孔的位置填入导电物质， 步骤五、參见图32，在玻璃纤维基板的正面被覆ー层铜箔， 步骤六、參见图33，在玻璃纤维基板表面被覆光阻膜， 步骤七、參见图34，将光阻膜在需要的位置进行曝光显影开窗， 步骤八、參见图35，将完成开窗的部分进行蚀刻， 步骤九、參见图36，将基板表面的光阻膜剥除， 步骤十、參见图37，在铜箔线路层的表面进行防焊漆(俗称绿漆)的被覆， 步骤十一、參见图38，在防焊漆需要进行后エ序的装片以及打线键合的区域进行开窗， 步骤十二、參见图39，在步骤十一进行开窗的区域进行电镀，相对形成基岛和引脚， 步骤十三、完成后续的装片、打线、包封、切割等相关エ序。上述传统高密度基板封装结构存在以下不足和缺陷 1、多了ー层的玻璃纤维材料，同样的也多了ー层玻璃纤维的成本；2、因为必须要用到玻璃纤维，所以就多了ー层玻璃纤维厚度约10(Tl50Mffl的厚度空间； 3、玻璃纤维本身就是ー种发泡物质，所以容易因为放置的时间与环境吸入水分以及湿气，直接影响到可靠性的安全能力或是可靠性等级； 4、玻璃纤维表面被覆了ー层约5(Tl00Mffl的铜箔金属层厚度，而金属层线路与线路的蚀刻距离也因为蚀刻因子的特性只能做到5(Tl00Mffl的蚀刻间隙(蚀刻因子最好制做的能力是蚀刻间隙约等同于被蚀刻物体的厚度，參见图40)，所以无法真正的做到高密度线路的设计与制造； 5、因为必须要使用到铜箔金属层，而铜箔金属层是采用高压粘贴的方式，所以铜箔的厚度很难低于50Mm的厚度，否则就很难操作如不平整或是铜箔破损或是铜箔延展移位等等; 6、也因为整个基板材料是采用玻璃纤维材料，所以明显的增加了玻璃纤维层的厚度10(Tl50Mm,无法真正的做到超薄的封装； 7、传统玻璃纤维加贴铜箔的エ艺技术因为材质特性差异很大(膨胀系数)，在恶劣环境的エ序中容易造成应カ变形，直接的影响到元件装载的精度以及元件与基板粘着性与可靠性。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服上述不足，提供一种，其エ艺简单，不需使用玻璃纤维层，減少了制作成本，提高了封装体的安全性和可靠性，減少了玻璃纤维材料带来的环境污染，而且金属基板线路层采用的是电镀方法，能够真正做到高密度线路的设计和制造。本专利技术的目的是这样实现的一种，它包括基岛、引脚和芯片，所述芯片倒装于基岛正面和引脚正面，所述芯片底部与基岛和引脚正面之间设置有底部填充胶，所述基岛外围的区域、基岛和引脚之间的区域、引脚与引脚之间的区域、基岛和引脚上部的区域、基岛和引脚下部的区域以及芯片的外围均包封有塑封料，所述引脚背面的塑封料上开设有小孔，所述小孔与引脚背面相连通，所 述小孔内设置有金属球，所述金属球与引脚背面相接触。本专利技术ー种，所述方法包括以下エ艺步骤 步骤一、取金属基板 步骤ニ、金属基板表面预镀铜 在金属基板表面镀ー层铜材薄膜； 步骤三、贴光阻膜作业 在完成预镀铜材薄膜的金属基板的正面及背面分别贴上可进行曝光显影的光阻膜； 步骤四、金属基板正面去除部分光阻膜 利用曝光显影设备将步骤三完成贴光阻膜作业的金属基板正面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，以露出金属基板背面后续需要进行电镀的区域图形； 步骤五、电镀惰性金属线路层 在步骤四中金属基板正面去除部分光阻膜的区域内电镀上惰性金属线路层； 步骤六、电镀金属线路层 在步骤五中的惰性金属线路层表面镀上多层或是单层金属线路层，金属电镀完成后即在金属基板上形成相应的基岛上部和引脚上部； 步骤七、去除光阻膜 去除金属基板表面的光阻膜； 步骤八、装片及芯片底部填充 在步骤六形成的基岛上部和引脚上部倒装芯片及芯片底部填充环氧树脂； 步骤九、包封 将步骤八中的金属基板正面采用塑封料进行塑封； 步骤十、贴光阻膜作业 在完成塑封工作的金属基板的正面以及背面分别贴上可进行曝光显影的光阻膜； 步骤十一、金属基板背面去除部分光阻膜 利用曝光显影设备将步骤十完成贴光阻膜作业的金属基板背面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，以露出金属基板正面后续需要进行化学蚀刻的区域图形；步骤十二、化学蚀刻 将步骤十一中完成曝光显影的区域进行化学蚀刻； 步骤十三、电镀金属线路层 在惰性金属线路层表面镀上单层或是多层的金属线路层，金属电镀完成后即在金属基板上形成相应的基岛下部和引脚下部； 步骤十四、去除光阻膜 去除金属基板表面的光阻膜； 步骤十五、包封 将步骤十四中的金属基板背面采用塑封料进行塑封； 步骤十六、塑封料表面开孔 在金属基板背面预包封塑封料的表面进行需要后续植金属球的区域进行开孔； 步骤十七、清洗 在金属基板背面塑封料开孔处进行清洗； 步骤十八、植球 在金属基板背面塑封体开孔处内植入金属球，使金属球与引脚背面相接触； 步骤十九、切割成品 将步骤十八完成植球的半成品进行切割作业，使原本以阵列式集合体方式集成在一起并含有芯片的塑封体模块ー颗颗切割独立开来，制得单芯片倒装先封装后蚀刻基岛埋入封装结构，可采用常规的钻石刀片以及常规的切割设备即可。所述步骤十七中对金属基板背面塑封料开孔处进行清洗同时进行金属保护层被覆。所述基岛有多个。所述引脚与引脚之间跨接有无源器件，所述无源器件跨接于引脚正面与引脚正面之间或跨接于弓I脚背面与引脚背面之间。所述引脚有多圏。所述基岛包括基岛上部、基岛下部和中间阻挡层，所述基岛上部和基岛下部均由单层或多层金属电镀而成，所述中间阻挡层为镍层或钛层或铜层。所述引脚包括引脚上部、引脚下部和中间阻挡层，所述引脚上部和引脚下部均由单层或多层金属电镀而成，所述中间阻挡层为镍层或钛层或铜层。与现有技术相比，本专利技术具有以下有益效果 1、本专利技术不需要使用玻璃纤维层，所以可以减少玻璃纤维层所帯来的成本； 2、本专利技术没有使用玻璃纤维层的发泡物质，所以可靠性的等级可以再提高，相对对封装体的安全性就会提高； 3、本专利技术不需要使用玻璃纤维层物质，所以就可以减少玻璃纤维材料所帯来的环境污染； 4、本专利技术的ニ维金属基板线路层所采用的是电镀方法，而电镀层的总厚度约在l(Tl5Mffl，而线路与线路之间的间隙可以轻松的达到25ΜΠ1以下的间隙，所以可以真正地做到高密度内引腳線路平铺的技术能力； 5、本专利技术的ニ维金属基板因采用的是金属层电镀法，所以比玻璃纤维高压铜箔金属层的エ艺来得简单，且不会有金属层因为高压产生金属层不平整、金属层破损以及金属层延展移位的不良或困惑； 6、本专利技术的ニ维金属基板线路层是在金属基材的表面进行金属电镀，所以材质特性基本相同，所以镀层线路与金属基材的内应カ基本相同，可以轻松的进行恶劣环境的后工程(如高温共晶装片、高温锡材焊料装片以及高温被动元件的表面贴装工作)而不容易产生应カ变形。附图说明图广图19为本专利技术单芯片倒装先封装后蚀刻基岛埋入封装结构及制作方法实施例I的各エ本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种单芯片倒装先封装后蚀刻基岛埋入封装结构，其特征在于它包括基岛（1）、引脚（2）和芯片（3），所述芯片（3）倒装于基岛（1）正面和引脚（2）正面，所述芯片（3）底部与基岛（1）和引脚（2）正面之间设置有底部填充胶（14），所述基岛（1）外围的区域、基岛（1）和引脚（2）之间的区域、引脚（2）与引脚（2）之间的区域、基岛（1）和引脚（2）上部的区域、基岛（1）和引脚（2）下部的区域以及芯片（3）的外围均包封有塑封料（4），所述引脚（2）背面的塑封料（4）上开设有小孔（5），所述小孔（5）与引脚（2）背面相连通，所述小孔（5）内设置有金属球（7），所述金属球（7）与引脚（2）背面相接触。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王新潮，梁志忠，李维平，
申请(专利权)人：江苏长电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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