本发明专利技术公开了一种芯片的砷化镓衬底的高温蚀刻方法，步骤如下：A．在药水槽中配制氨水、双氧水和水的混合液，当药水温度升至48℃～52℃时，将待蚀刻花篮放入药水槽中5～7分钟；B．取出蚀刻花篮，将芯片的平边在竖直面内旋转175°～185°；C．再次将蚀刻花篮浸入温度为48℃～52℃的药水槽中1分25秒～1分35秒；D．取出蚀刻花篮，将芯片的平边在竖直面内旋转175°～185°；E．将蚀刻花篮浸入温度为48℃～52℃的药水槽中25～35秒；F．取出蚀刻花篮直接浸入室温的盛有氨水、双氧水和水的混合液的药水槽中。该方法对砷化镓的选择比高，蚀刻的均匀性与彻底性好，芯片的发光效率提高了20%。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了，步骤如下：A．在药水槽中配制氨水、双氧水和水的混合液，当药水温度升至48℃～52℃时，将待蚀刻花篮放入药水槽中5～7分钟；B．取出蚀刻花篮，将芯片的平边在竖直面内旋转175°～185°；C．再次将蚀刻花篮浸入温度为48℃～52℃的药水槽中1分25秒～1分35秒；D．取出蚀刻花篮，将芯片的平边在竖直面内旋转175°～185°；E．将蚀刻花篮浸入温度为48℃～52℃的药水槽中25～35秒；F．取出蚀刻花篮直接浸入室温的盛有氨水、双氧水和水的混合液的药水槽中。该方法对砷化镓的选择比高，蚀刻的均匀性与彻底性好，芯片的发光效率提高了20%。【专利说明】
本专利技术涉及。
技术介绍
砷化镓是一种半导体材料，可以作为发光二极管的衬底，也可作为发光层。 砷化镓作为芯片的衬底，其高温蚀刻的方法多采用干式蚀刻，该蚀刻方法对砷化 镓的选择比低，蚀刻后的均匀性不好，并且砷化镓蚀刻不彻底，严重影响二极管的发光效 率，并且砷化镓毒性较大，会严重污染干式蚀刻机的蚀刻腔体。
技术实现思路
针对上述现有技术存在的问题，本专利技术提供一种芯片的砷化镓衬底的高温蚀刻方 法，该方法对砷化镓的选择比高，砷化镓的高温蚀刻具有良好的均匀性与彻底性，二极管的 发光效率较高，避免对干式蚀刻机蚀刻腔体污染的现象发生。 为了实现上述目的，本专利技术采用的技术方案是：一种芯片的砷化镓衬底的高温蚀 刻方法，包括如下步骤： A. 在药水槽中配制氨水、双氧水和水的混合液，当药水温度升至48°C?52°C时，将装 有衬底为砷化镓的芯片的蚀刻花篮放入药水槽中，计时5?7分钟； B. 取出蚀刻花篮，将蚀刻花篮内的芯片的平边在坚直面内旋转175°?185° ; C. 再次将蚀刻花篮浸入温度为48°C?52°C的药水槽中，计时1分25?1分35秒； D. 取出蚀刻花篮，将蚀刻花篮内的芯片的平边在坚直面内旋转175°?185° ; E. 再次将蚀刻花篮浸入温度为48°C?52°C的药水槽中，计时25?35秒； F. 取出蚀刻花篮直接浸入室温的盛有氨水、双氧水和水的混合液的药水槽中。 本专利技术采用化学药水为氨水、双氧水和水的混合液，即采用湿式蚀刻，该药水对砷 化镓的选择比高，且在药水槽中完成作业，避免了对干式蚀刻机的腔体造成污染，步骤A、C 和E，分不同的时间段分步蚀刻，使砷化镓彻底蚀刻干净，由于不同深度的蚀刻药水的浓度 和温度都有差异，因此增加步骤B与D即将芯片的平边在坚直面内旋转175°?185°，保 证砷化镓衬底的整个面都蚀刻均匀，采用该蚀刻方法后，芯片的发光效率提高了 20%。 【具体实施方式】 下面结合实施例对本专利技术做进一步的说明： 实施列一： ，包括如下步骤： A. 在药水槽中配制氨水、双氧水和水的混合液，当药水温度升至48°C时，将装有衬底为 砷化镓的芯片的蚀刻花篮放入药水槽中，计时5分钟； B. 取出蚀刻花篮，将蚀刻花篮内的芯片的平边在坚直面内旋转175° ; C. 再次将蚀刻花篮浸入温度为48°C的药水槽中，计时1分25秒； D. 取出蚀刻花篮，将蚀刻花篮内的芯片的平边在坚直面内旋转175° ; E. 再次将蚀刻花篮浸入温度为48°C的药水槽中，计时25秒； F. 取出蚀刻花篮直接浸入室温的盛有氨水、双氧水和水的混合液的药水槽中。 进一步，步骤B完成后，将蚀刻花篮置入去离子水槽中做漂流动作后，再完成步骤 C的操作，防止反应生成物附着在砷化镓衬底表面，影响出光率。 进一步，步骤D完成后，将蚀刻花篮置入去离子水槽中做漂流动作后，再完成步骤 E的操作，防止反应生成物附着在砷化镓衬底表面，影响出光率。 实施列二： ，包括如下步骤： A. 在药水槽中配制氨水、双氧水和水的混合液，当药水温度升至50°C时，将装有衬底为 砷化镓的芯片的蚀刻花篮放入药水槽中，计时6分钟； B. 取出蚀刻花篮，将蚀刻花篮内的芯片的平边在坚直面内旋转180° ; C. 再次将蚀刻花篮浸入温度为50°C的药水槽中，计时1分30秒； D. 取出蚀刻花篮，将蚀刻花篮内的芯片的平边在坚直面内旋转180° ; E. 再次将蚀刻花篮浸入温度为50°C的药水槽中，计时30秒； F. 取出蚀刻花篮直接浸入室温的盛有氨水、双氧水和水的混合液的药水槽中。 进一步，步骤B完成后，将蚀刻花篮置入去离子水槽中做漂流动作后，再完成步骤 C的操作，防止反应生成物附着在砷化镓衬底表面，影响出光率。 进一步，步骤D完成后，将蚀刻花篮置入去离子水槽中做漂流动作后，再完成步骤 E的操作，防止反应生成物附着在砷化镓衬底表面，影响出光率。 实施列三： ，包括如下步骤： A. 在药水槽中配制氨水、双氧水和水的混合液，当药水温度升至52°C时，将装有衬底为 砷化镓的芯片的蚀刻花篮放入药水槽中，计时7分钟； B. 取出蚀刻花篮，将蚀刻花篮内的芯片的平边在坚直面内旋转185° ; C. 再次将蚀刻花篮浸入温度为52°C的药水槽中，计时1分35秒； D. 取出蚀刻花篮，将蚀刻花篮内的芯片的平边在坚直面内旋转185° ; E. 再次将蚀刻花篮浸入温度为52°C的药水槽中，计时35秒； F. 取出蚀刻花篮直接浸入室温的盛有氨水、双氧水和水的混合液的药水槽中。 进一步，步骤B完成后，将蚀刻花篮置入去离子水槽中做漂流动作后，再完成步骤 C的操作，防止反应生成物附着在砷化镓衬底表面，影响出光率。 进一步，步骤D完成后，将蚀刻花篮置入去离子水槽中做漂流动作后，再完成步骤 E的操作，防止反应生成物附着在砷化镓衬底表面，影响出光率。【权利要求】1. ，其特征在于，包括如下步骤： A. 在药水槽中配制氨水、双氧水和水的混合液，当药水温度升至48°C?52°C时，将装 有衬底为砷化镓的芯片的蚀刻花篮放入药水槽中，计时5?7分钟； B. 取出蚀刻花篮，将蚀刻花篮内的芯片的平边在坚直面内旋转175°?185° ; C. 再次将蚀刻花篮浸入温度为48°C?52°C的药水槽中，计时1分25?1分35秒； D. 取出蚀刻花篮，将蚀刻花篮内的芯片的平边在坚直面内旋转175°?185° ; E. 再次将蚀刻花篮浸入温度为48°C?52°C的药水槽中，计时25?35秒； F. 取出蚀刻花篮直接浸入室温的盛有氨水、双氧水和水的混合液的药水槽中。2. 根据权利要求1所述的，其特征在于，所述 的步骤B完成后，将蚀刻花篮置入去离子水槽中做漂流动作后，再完成步骤C的操作。3. 根据权利要求1所述的，其特征在于，所述 的步骤D完成后，将蚀刻花篮置入去离子水槽中做漂流动作后，再完成步骤E的操作。【文档编号】H01L21/30GK104157766SQ201410381867【公开日】2014年11月19日 申请日期:2014年8月6日 优先权日:2014年8月6日 【专利技术者】韩忠贺 申请人:韩忠贺本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种芯片的砷化镓衬底的高温蚀刻方法，其特征在于，包括如下步骤：A．在药水槽中配制氨水、双氧水和水的混合液，当药水温度升至48℃～52℃时，将装有衬底为砷化镓的芯片的蚀刻花篮放入药水槽中，计时5～7分钟；B．取出蚀刻花篮，将蚀刻花篮内的芯片的平边在竖直面内旋转175°～185°；C．再次将蚀刻花篮浸入温度为48℃～52℃的药水槽中，计时1分25～1分35秒；D. 取出蚀刻花篮，将蚀刻花篮内的芯片的平边在竖直面内旋转175°～185°；E．再次将蚀刻花篮浸入温度为48℃～52℃的药水槽中，计时25～35秒；F. 取出蚀刻花篮直接浸入室温的盛有氨水、双氧水和水的混合液的药水槽中。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：韩忠贺，
申请(专利权)人：韩忠贺，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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