一种砷化镓基高电压黄绿光发光二极管芯片及其制作方法技术

一种砷化镓基高电压黄绿光发光二极管芯片及其制作方法，属于光电子技术领域，特点是在 p型载流子限制层上依次沉积形成GaP电阻层和GaP窗口层，形成的产品在p型载流子限制层和GaP窗口层之间还设置了GaP电阻层。本发明专利技术制作工艺简单、合理，制成的产品优质、稳定。在不牺牲产品可靠性的同时将串联电阻集成在LED芯片中，在 20 mA工作电流条件下，7 mil ×7 mil尺寸LED芯片的工作电压可达2.35 V以上 ，可以直接使用与GaP基二元系高电压黄绿光LED兼容的驱动电路。

【技术实现步骤摘要】
201610191079

【技术保护点】
一种砷化镓基底高电压黄绿光发光二极管芯片，其特征在于：包括依次设置在n型GaAs基片一侧的n型GaAs缓冲层、n型Bragg反射镜层、n型载流子限制层、多量子阱有源区层、p型载流子限制层、GaP电阻层和GaP窗口层，在GaP窗口层上设，在GaP窗口层下方设置GaP电阻层。

【技术特征摘要】
1.一种砷化镓基底高电压黄绿光发光二极管芯片，其特征在于：包括依次设置在n型
GaAs基片一侧的n型GaAs缓冲层、n型Bragg反射镜层、n型载流子限制层、多量子阱有源区
层、p型载流子限制层、GaP电阻层和GaP窗口层，在GaP窗口层上设，在GaP窗口层下方设置
GaP电阻层。
2.根据权利要求1所述砷化镓基底高电压黄绿光发光二极管芯片，其特征在于：所述n
型GaAs基片为室温下载流子浓度低于4×1017cm-3的低载流子浓度n型GaAs基片。
3.根据权利要求1或2所述砷化镓基底高电压黄绿光发光二极管芯片，其特征在于：所
述GaP电阻层材料中同时使用镁元素作为p型掺杂剂、硅元素作为n型掺杂剂，GaP电阻层材
料的块体电阻率>9×10-3Ω?m。
4.如根据权利要求1所述的砷化镓基底高电压黄绿光发光二极管芯片的制作方法，包
含以下步骤：
1）将n型GaAs基片置于MOCVD系统中的反应腔体中，加热至600℃～700℃，去除基...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵宇，林鸿亮，张双翔，杨凯，何胜，李洪雨，田海军，
申请(专利权)人：扬州乾照光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32