金属薄膜芯片制造方法以及金属薄膜芯片制造装置制造方法及图纸

为了实现用低成本可以使金属薄膜的大的凹凸平坦化的金属薄膜芯片制造方法及金属薄膜芯片制造装置以及金属薄膜，本发明专利技术的金属薄膜芯片制造装置在容器（９）内具有：包含绝缘性基板（３）与加压部件（４）的加压装置（１３）；芯片设置台（５）；加热装置（１２），包含线圈（７）和向该线圈（７）供给交流电流的电源（８）。而且，在上述容器（９）中，设有排出该容器（９）内的空气的真空泵（１１）。通过上述线圈（７）产生的磁通量，贯通被放置于上述芯片设置台（５）上的金属薄膜芯片（１０）中的金属薄膜（１）。若磁通量贯通上述金属薄膜（１），则通过电磁感应，涡电流在该金属薄膜（１）内被感应。金属薄膜（１）通过该涡电流被加热到熔点或接近熔点。再者，由芯片设置台（５）产生的荷重，使绝缘性基板（２）或绝缘性基板（３）表面的轮廓转移到金属薄膜（１）并被平坦化。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术是关于金属薄膜芯片制造方法以及金属薄膜芯片制造装置。
技术介绍
以往，在表面等离子体共振法(SPR法)(Surface Plasmon Resonancemethod)等中，以光学的方式观查固着于金薄膜芯片(chip)的金薄膜上的配合基(ligand)与分析物(analyte)的相互作用。在此SPR法中，光学观测形成于金薄膜上的配合基与结合于配合基的分析物之间的相互作用变化。上述金薄膜芯片中的金薄膜一般使用蒸镀法(evaporationmethod)形成。此外，在岛田理化工业股份有限公司、“高频加热装置的介绍”、、、网络<URLhttp//www.spc.co.jp/heating/tec.002.htm>中，记载有加热金属的高频加热装置。而且，在日本特开2003-254904号公报(2003年9月10日公开)、日本特开2003-161694号公报(2003年6月6日公开)、日本特开2003-75447号公报(2003年3月12日公开)、日本特开2002-257720号公报(2002年9月11日公开)、日本特开平11-6834号公报(1999年1月12日公开)或日本特开平10-267834号公报(1998年10月9日公开)中揭示有表面等离子体共振法传感器芯片的制作方法。但是，以上述蒸镀法形成的金薄膜，其表面的凹凸比较大。特别是在SPR法中，因固着有配合基的金薄膜表面的凹凸，即使在相同条件下固定相同的配合基，也有无法得到再现性佳的数据(data)的情形，造成研究的阻碍。而且，为了形成具有更平坦表面的金薄膜，正在改进溅镀法(sputtering method)等蒸镀法自身。但是，对于改进蒸镀法自身中，由于费用增多，故有一片金薄膜芯片的价格与实际应用的价格相互背离的问题。
技术实现思路
本专利技术乃鉴于上述问题点而提出，其目的为提供一种可用低成本使金属薄膜的大的凹凸平坦化的金属薄膜芯片制造装置及金属薄膜芯片制造方法。为了解决上述课题，本专利技术的金属薄膜芯片制造装置为使形成于第一绝缘性基板上的金属薄膜的表面平坦化，其特征包含设置台，设置上述金属薄膜芯片；加压装置，由第二绝缘性基板，从垂直于金属薄膜的表面的方向，夹住设置于设置台上的金属薄膜芯片的金属薄膜，并对其进行加压；以及加热装置，加热设置于设置台上的金属薄膜芯片的金属薄膜。而且，在本专利技术的金属薄膜芯片制造装置中，上述加热装置具备磁通量产生装置，磁通量产生装置产生磁通量，以使磁通量贯通设置于设置台上的金属薄膜芯片的金属薄膜，并且优选通过上述磁通量加热金属薄膜。而且，在本专利技术的金属薄膜芯片制造装置中，上述加热装置优选为具备作为上述磁通量产生装置的线圈(coil)的高频加热装置。根据上述结构，设置于上述设置台并被加压的金属薄膜芯片中的金属薄膜，被上述加热装置加热。上述加热装置中的磁通量产生装置产生磁通量。而且，在上述加热装置为具备线圈的高频加热装置的情况下，若上述高频加热装置中的线圈被供给交流电流，则在线圈产生磁通量。在本专利技术的金属薄膜芯片制造装置中，由上述磁通量产生装置产生的磁通量贯通设置于上述设置台上的金属薄膜芯片中的金属薄膜。如此，若磁通量贯通上述金属薄膜，则通过电磁感应，涡电流在该金属薄膜内被感应。金属薄膜通过此涡电流被加热到熔点或接近熔点。如上所述，被加热到熔点或接近熔点的金属薄膜的表面变软。而且，由于此金属薄膜被上述第一绝缘性基板与上述第二绝缘性基板夹住并被加压，故在该金属薄膜的表面被转移(transfer)所接触的第二绝缘性基板面的轮廓(profile)。如上所述，在金属薄膜芯片的金属薄膜上，可转移第二绝缘性基板面的轮廓。作为该第二绝缘性基板，通过使用与金属薄膜接触的面的表面粗糙度(面上的凹凸大小)比金属薄膜的表面粗糙度小的基板，可改善金属薄膜的表面粗糙度。因此，通过本专利技术的金属薄膜芯片制造装置被平坦化的金属薄膜芯片与通过高度的蒸镀法制作的金属薄膜芯片，更容易制造，而且也不需花很多成本。而且，在本专利技术的金属薄膜芯片制造装置中，进而可以急速地加热金属薄膜芯片的金属薄膜，故可实现能够容易进行自动化的金属薄膜芯片制造装置。而且，本专利技术的金属薄膜芯片制造装置中，上述加热装置优选通过微波的照射来加热金属薄膜芯片的金属薄膜。再者，上述加热装置优选为具备微波产生装置的介电加热装置，微波产生装置产生照射上述金属薄膜芯片的金属薄膜的微波。根据上述结构，上述微波产生装置把微波照射到金属薄膜芯片的金属薄膜上。因此，在金属薄膜表面附近，自由电子的振动变得活跃。而且，金属薄膜被加热到熔点或接近熔点的温度，并且变成像半熔化状态般容易变形的状态。而且，通过加压装置对金属薄膜的加压，可改善金属薄膜的表面粗糙度。而且，在本专利技术的金属薄膜芯片制造装置中，上述设置台以及加压装置优选由介电损耗小的材料构成。据此，即使磁通量贯通，涡电流也不会被感应，而且不会被加热。因此，在上述金属薄膜芯片制造装置中，可仅加热金属薄膜，并且可防止上述设置台以及加压装置因被加热而变形。而且，上述加热装置在通过微波的照射而加热金属薄膜芯片的金属薄膜的情况下，具有如下效果由于上述设置台以及加压装置由介电损耗小的材料构成，因此所通过的微波变多，而且不会因微波照射而被加热，第一绝缘性基板或转移用的第二绝缘性基板不会由热传导而被加热。而且，本专利技术的金属薄膜芯片制造装置优选具备处理室，该处理室在真空状态或惰性气体环境下密闭设置于上述设置台上的金属薄膜芯片。据此，可防止金属薄膜芯片的金属薄膜的氧化，并且可防止金属薄膜表面质量的劣化。而且，本专利技术的金属薄膜芯片制造装置优选具备处理室，该处理室在与大气相同环境下封闭设置于上述设置台上的金属薄膜芯片。由于微波具有还原性，故根据上述结构，可防止金属薄膜表面的氧化。因此，根据上述结构，与具备在真空状态或惰性气体环境下密闭金属薄膜芯片的处理室的情况比较，能够避免在脱气(去氧)或惰性气体下进行室内置换的麻烦。而且，本专利技术的金属薄膜芯片制造装置优选具备在由第二绝缘性基板夹住金属薄膜芯片的金属薄膜的状态下进行固定的固定装置。据此，可防止上述金属薄膜芯片与上述第二绝缘性基板错开。而且，在本专利技术的金属薄膜芯片制造装置中，上述设置台以及加压装置优选具有使上述微波通过的特性。根据上述结构，上述设置台以及加压装置因具有使微波通过的特性，故由上述微波产生装置产生的微波的大部分通过上述设置台以及加压装置，到达金属薄膜。因此，可发挥提高金属薄膜的加热效率的功效。而且，在本专利技术的金属薄膜芯片制造装置中，上述金属薄膜优选由金构成。据此，为了使SPR法的检测中所使用的金蒸镀芯片的金蒸镀膜面平坦化，而使用本专利技术的金属薄膜芯片制造装置的情况下，能够用低成本提供表面平坦化良好的金蒸镀芯片。而且，在本专利技术的金属薄膜芯片制造装置中，上述第二绝缘性基板中的与金属薄膜接触的面，优选具有1nm以下的表面粗糙度。据此，在上述金属薄膜芯片的金属薄膜上，可转移第二绝缘性基板面的1nm以下的表面粗糙度的轮廓。若能使上述金属薄膜的表面粗糙度为1nm以下，则在SPR法中，也能进行再现性良好的测定。据此，在上述金属薄膜芯片的金属薄膜上，可转移第二绝缘性基板面的1nm以下的表面粗糙度的轮廓。若能使上述金本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种金属薄膜芯片制造装置，其能使在第一绝缘基板上形成的金属薄膜的表面平坦化，其特征在于，它具有下列部件：设置上述金属薄膜芯片的设置台；加压装置，用第二绝缘基板，从与金属薄膜的表面垂直的方向夹住设置在设置台上的金属薄膜芯片的金 属薄膜，并且对其进行加压；对设置在设置台上的金属薄膜芯片的金属薄膜加热的加热装置。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：隅田泰生，末吉秀一，
申请(专利权)人：独立行政法人科学技术振兴机构，
类型：发明
国别省市：JP[日本]