【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体,更具体地说,涉及一种外延结构及激光电池的制备方法。
技术介绍
1、激光无线能量传播是利用激光发射模块,先将电能转变为激光,然后通过激光聚焦模块集中校准后进行发射传送,可以通过空气、光纤或其他介质传送,在接收端利用激光光电转换电池,将激光转化为电能。
2、激光无线能量传播所需要的设备,质量和体积都要远小于微波传播装置,用于传播能量的激光,具有方向性好、单色性好、能量集中等优点,所以在人造飞行器、卫星群、航天领域等领域都受到关注,激光无线能量传播在中远距离传输方面具有重要的应用前景。
3、激光在大气中传输存在由吸收、散射、折射等引起的损耗,在大气窗口中常用的激光的波长主要有808nm和1064nm;不同材料的激光电池在不同波长的激光照射下的光电转换效率不同,以gaas材料为体系的激光电池与中心波长为808nm的激光相匹配。
4、现有的,nd:yag固体激光器发射的激光波长为1064nm,其激光功率相比808nm的半导体激光器高;1064nm波长的激光需要采用in0.24gaas激光电
...【技术保护点】
1.一种外延结构,其特征在于,所述外延结构包括:
2.根据权利要求1所述外延结构,其特征在于,当所述第一膜层为腐蚀截止层时,所述腐蚀截止层为GaInP腐蚀截止层。
3.根据权利要求1所述的外延结构,其特征在于,当所述第一膜层为腐蚀截止层时,在第一方向上,所述腐蚀截止层的厚度范围为30nm-300nm,所述第一方向垂直于所述第一衬底所在平面。
4.根据权利要求1所述的外延结构,其特征在于,所述第一膜层为牺牲层时,所述牺牲层为InAlAs牺牲层。
5.根据权利要求1所述的外延结构,其特征在于,所述第一膜层为牺牲层时,在第一方
...【技术特征摘要】
1.一种外延结构,其特征在于,所述外延结构包括:
2.根据权利要求1所述外延结构,其特征在于,当所述第一膜层为腐蚀截止层时,所述腐蚀截止层为gainp腐蚀截止层。
3.根据权利要求1所述的外延结构,其特征在于,当所述第一膜层为腐蚀截止层时,在第一方向上,所述腐蚀截止层的厚度范围为30nm-300nm,所述第一方向垂直于所述第一衬底所在平面。
4.根据权利要求1所述的外延结构,其特征在于,所述第一膜层为牺牲层时,所述牺牲层为inalas牺牲层。
5.根据权利要求1所述的外延结构,其特征在于,所述第一膜层为牺牲层时,在第一方向上,所述牺牲层的厚度范围为5nm-50nm,所...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴真龙,陈阳雨,张策,
申请(专利权)人:扬州乾照光电有限公司,
类型:发明
国别省市:
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