一种超结IGBT器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种超结IGBT器件及其制造方法，具体技术方案为：本发明专利技术通过P柱区将超结IGBT的正向导通电流路径和，关断空穴抽取路径及分离，并且将正面P型区与第二P柱区相连，这样形成了纵向PNP结构，在器件短路器件的强集电极发射极电压下开启，可以通过双极型晶体管形成超结IGBT结构的短路电流泄放通道。本发明专利技术提供了一种具有创新性和实用性的超结IGBT，通过优化电子注入增强结构和关断空穴抽取路径，显著提升了超结IGBT的导通性能、开关特性和短路能力的折中。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于功率半导体器件，特别是涉及一种超结igbt器件及其制造方法。

技术介绍

1、igbt器件是在vdmos结构的基础上发展而来，通过将vdmos器件的背面n+漏极改为p+，从而得到了igbt器件的基本结构。因此，可以说igbt器件是一种由正面mos结构和背面双极型bjt结构复合而成的电压控制型器件。通过栅极电压的控制，igbt器件可以调节流过mos沟道和背面集电极-发射极的电流。

2、igbt器件结合了双极结型功率晶体管和功率mosfet的主要优点，如高输入阻抗、易驱动、电流容量大和饱和压降低等。这使得igbt成为大功率段电力电子系统电能控制和转换的重要开关元器件之一。它的性能直接影响到电力电子系统的转换效率。此外，超结igbt器件具备电导调制效应这一重要特性。在导通时，超结igbt的集电极p型掺杂区域能够向n-漂移区注入少数载流子空穴，从而实现n-漂移区的电导调制。这不仅能降低超结igbt的通态压降，还能提高其导通电流密度。

3、超结结构是由交替排列的n柱区和p柱区构成，相比于常规单一掺杂类型漂移区结构只能纵向耗尽的方式本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种超结IGBT器件的制造方法，其特征在于，具体包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种超结IGBT器件的制造方法，其特征在于：步骤二中，所述第一P柱区（200）分散分布在第一N外延层（101）上部。

3.根据权利要求1所述的一种超结IGBT器件的制造方法，其特征在于：步骤四中，所述P+区（300）在P柱区（200）上方偏向第八P柱区（200‘）的位置，及第八P柱区（200’）中央位置上方。

4.根据权利要求1所述的一种超结IGBT器件的制造方法，其特征在于：步骤六中，中央多晶栅极（301a）为有源栅极，与栅极PAD相接；侧一多晶栅极（301b...

【技术特征摘要】

1.一种超结igbt器件的制造方法，其特征在于，具体包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种超结igbt器件的制造方法，其特征在于：步骤二中，所述第一p柱区（200）分散分布在第一n外延层（101）上部。

3.根据权利要求1所述的一种超结igbt器件的制造方法，其特征在于：步骤四中，所述p+区（300）在p柱区（200）上方偏向第八p柱区（200‘）的位置，及第八p柱区（200’）中央位置上方。

4.根据权利要求1所述的一种超结i...

【专利技术属性】
技术研发人员：张军亮，汤雨欣，杜琬婷，杨晶，徐西昌，
申请(专利权)人：龙腾半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：