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本发明提供了一种超结IGBT器件及其制造方法，具体技术方案为：本发明通过P柱区将超结IGBT的正向导通电流路径和，关断空穴抽取路径及分离，并且将正面P型区与第二P柱区相连，这样形成了纵向PNP结构，在器件短路器件的强集电极发射极电压下开启，...
该专利属于龙腾半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过龙腾半导体股份有限公司授权不得商用。

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