集成电路、电子设备和集成电路制备方法技术

本申请实施例提供了一种集成电路、电子设备和集成电路制备方法，涉及半导体技术领域。该集成电路包括：相互堆叠于基体上的DC‑DC控制层和电子开关层；DC‑DC控制层和电子开关层之间设置一层退火阻挡层；所述退火阻挡层由金属材料制成；填充有导电物质的层间通孔，所述层间通孔开设于所述电子开关层，并延伸至所述DC‑DC控制层，所述层间通孔用于实现所述DC‑DC控制单元层与所述电子开关层之间的连通；孤岛隔离层，设置于所述DC‑DC控制层与所述电子开关层之间；其中，所述电子开关层与所述层间通孔是在所述DC‑DC控制层与所述孤岛隔离层制备完成的基础上形成的。提供了一种结构简单，制备难度较低的集成电路。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，具体地，涉及一种集成电路、电子设备和集成电路制备方法。

技术介绍

1、大功率dc-dc(dc-dc converter，电压转换器)电源管理芯片可以使用igbt(insulated gate bipolar transistor，绝缘栅双极型晶体管)来实现对部分mos(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，金氧半场效晶体管)开关的导通电阻，但是在制备过程中，igbt工艺和制备mos开关的cmos工艺不兼容，需要单独在mos开关的pcb(printed circuit board，印制电路板)板上焊接igbt。但是igbt栅极和控制电路输出驱动级需要布线到芯片管脚，在芯片内部便额外增加了很多寄生电感，该寄生电感很容易影响dc-dc系统控制环路速度。

2、因此，目前亟需一种dc-dc系统控制环路速度较高的集成芯片。

技术实现思路

1、为了解决上述技术问题，本申请实施例中提供了一种集成电路、电子设备和集成电路制备方法。...

【技术保护点】

1.一种集成电路，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述DC-DC控制层包括：

3.根据权利要求2所述的集成电路，其特征在于，所述DC-DC控制单元，包括：

4.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述电子开关层，包括：

5.根据权利要求4所述的集成电路，其特征在于，所述电子开关单元，包括：

6.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述层间通孔为TSV钨通孔或者TSV铜通孔。

7.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述层间通孔的内径为90纳米～120纳米；和/或，所...

【技术特征摘要】

1.一种集成电路，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述dc-dc控制层包括：

3.根据权利要求2所述的集成电路，其特征在于，所述dc-dc控制单元，包括：

4.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述电子开关层，包括：

5.根据权利要求4所述的集成电路，其特征在于，所述电子开关单元，包括：

6.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述层间通孔为tsv钨通孔或者tsv铜通孔。

7.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述层间通孔的内径为90纳米～120纳米；和/或，所述层间通孔的深度为500纳米～1微米。

8.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述层间通孔内壁设置有一层欧姆接触薄膜。

9.根据权利要求1-8任一项所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈亮，杜睿，
申请(专利权)人：苏州华太电子技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：