本申请涉及一种功率半导体模块，功率半导体模块包括壳体、顶盖组件以及多个功能单元。壳体沿第一方向具有第一开口，壳体包括底壁和侧壁，底壁和侧壁围合形成第一开口。顶盖组件盖合于第一开口以形成容纳腔。多个功能单元位于容纳腔内，且多个功能单元至少...

本申请实施例提供了一种密钥生成的方法、装置、设备及存储介质，涉及物联网技术领域，该方法应用于物联网系统中的物联网设备；方法包括：获取输入信号，输入信号为与物联网设备相连的上一物联网设备的输出信号，输出信号是上一物联网设备利用上一物联网设...

本申请公开了一种固件更新方法、装置及设备，涉及电力电子技术领域。该方法应用于嵌入式设备，嵌入式设备为大容量存储器和虚拟串口的复合设备；包括：在待更新主设备与嵌入式设备通信连接时，响应于待更新主设备基于虚拟串口发起的第一信息读取指令，从文...

本发明公开了一种避免晶圆边缘电弧放电的钝化层刻蚀方法、结构及应用。所述钝化层刻蚀方法包括：提供晶圆，晶圆包括衬底以及芯片层，芯片层表面覆盖有钝化层，且衬底的边缘凸出于芯片层的边缘；在钝化层的表面覆盖负性光刻胶层，且负性光刻胶层还覆盖边缘...

本申请实施例提供了一种电动车拓扑，包括AC/DC拓扑，所述AC/DC拓扑包括单相变流支路，所述单相变流支路包括：连接的变流侧IGBT器件Qz1和变流侧IGBT器件Qz2，作为交替开关；变流侧电感Lz，所述变流侧电感Lz的一端与所述变流侧...

本申请实施例提供了一种射频功率放大器，射频功率放大器包括：功率放大单元；输出匹配网络，输出匹配网络的第一端与功率放大单元的输出端电连接，输出匹配网络的第二端用于连接负载；偏置网络，偏置网络分别与功率放大单元的输出端和输出匹配网络的第一端...

本申请实施例提供了一种集成电路、电子设备和集成电路制备方法，涉及半导体技术领域。该集成电路包括：相互堆叠于基体上的DC‑DC控制层和电子开关层；DC‑DC控制层和电子开关层之间设置一层退火阻挡层；所述退火阻挡层由金属材料制成；填充有导电...

本申请涉及一种芯片测试装置及芯片，芯片测试装置包括：底座结构，底座结构包括相对的第一表面和第二表面，在第一表面设有用于容纳芯片的槽体，槽体内设有用于和芯片的输出引脚电连接的第一连接部；电路板，设于底座结构的第二表面一侧，且电路板包括和第...

本申请实施例提供了一种探测器结构、集成芯片、电子设备及其制备方法，涉及半导体制备技术领域。该探测器结构至少包括：在底层衬底表面由下及上设置的读出电路层和探测器件层；所述读出电路层与所述探测器件层之间设置一层退火阻挡层；所述读出电路层与所...

本申请公开了一种信号接收电路及数字电容隔离器。信号接收电路与两个隔离电容的接收端连接；信号接收电路包括：第一压控模块，与第一节点连接，用于根据第一节点的电压生成第一电流；第二压控模块，与第二节点连接，用于根据第二节点的电压生成第二电流；...

本发明公开了一种具有沟槽栅结构的晶圆结构及降低其晶圆翘曲度的方法。所述方法包括：在晶圆衬底的表面的芯片功能区形成沟槽结构；将晶圆衬底靠近沟槽结构的内壁表面的部分氧化形成第一氧化物层，第一氧化物层与晶圆衬底之间具有压应力；在沟槽结构的内壁...

本申请公开了一种电平偏移电路及多芯片通信系统，涉及电力电子技术领域。该电平偏移电路用于连接于控制芯片和第一电池管理芯片之间；其中，控制芯片的基准地为第一参考地，第一电池管理芯片的基准地为第二参考地；第一参考地的电位不同于第二参考地的电位...

本申请涉及无线电技术领域，具体涉及一种射频功率放大芯片、射频功率放大器及无线信号发射系统，射频功率放大芯片包括第一放大支路、第二放大支路和合路输出电路，合路输出电路包括：第一电感，第一端与第一放大支路的输出端连接，第二端用于连接射频功率...

本申请涉及无线电技术领域，具体涉及一种射频功率放大芯片、射频功率放大器及无线信号发射系统，射频功率放大芯片中第一放大支路的输出端包括合路网络，合路网络包括：第一键合线，第一端与第一放大支路的输出端连接；第二键合线，第一端与第一键合线的第...

本申请涉及一种自动化测试夹具，包括：PCB板、第一导电层、第二导电层、第一Pin针、第二Pin针、第三Pin针和外接电感。本申请中，通过设置外接电感、第一导电层和第二导电层，由于第一导电层的电流方向和第二导电层的电流方向相反，周围产生的...

本申请涉及无线电技术领域，具体涉及一种射频功率放大器及无线信号发射系统，所述射频功率放大器包括，第一放大支路，输入端用于接收射频输出设备输出的部分信号；第二放大支路，输入端用于接收所述射频输出设备输出的部分信号；合路阻抗匹配电路，一端与...

本申请实施例涉及半导体技术领域，提供了一种电容器，其包括：MIM电容和耦合电容模块。其中，耦合电容模块包括至少一个耦合电容，每个耦合电容分别与MIM电容并联；每个耦合电容的各极板在MIM电容厚度方向上处于不同高度。通过形成耦合电容并使耦...

本申请实施例提供一种芯片及芯片的制造方法，其中，芯片包括：芯片主体；所述芯片主体内设有沿芯片主体厚度方向贯通的导电孔；至少两个焊盘，设置于芯片主体的顶部，焊盘之间通过键合线相连；导电层，设置于芯片主体的顶部，且位于至少两个焊盘的下方；导...

本申请实施例提供一种芯片封装结构、集成电路板及芯片封装方法，其中，芯片封装结构包括：导热块、芯片及封装基板；芯片的一侧与导热块相连；芯片另一侧的焊盘上设置导电凸起，导电凸起与封装基板一侧表面的电连接区对应电连接；封装基板的另一侧对应设有...

本申请实施例提供了一种射频功率放大器，包括：顺序连接射频源和负载之间的多级放大器，与所述负载临近的放大器为末级放大器；幅相控制网络；输出偏置网络；漏极直流供电网络，用于为各个所述放大器的漏极供电；其中，所述末级放大器的漏极和所述漏极直流...