本申请涉及无线电技术领域，具体涉及一种射频功率放大芯片、射频功率放大器及无线信号发射系统，射频功率放大芯片包括第一放大支路、第二放大支路和合路输出电路，合路输出电路包括：第一电感，第一端与第一放大支路的输出端连接，第二端用于连接射频功率...

本申请涉及无线电技术领域，具体涉及一种射频功率放大芯片、射频功率放大器及无线信号发射系统，射频功率放大芯片中第一放大支路的输出端包括合路网络，合路网络包括：第一键合线，第一端与第一放大支路的输出端连接；第二键合线，第一端与第一键合线的第...

本申请涉及一种自动化测试夹具，包括：PCB板、第一导电层、第二导电层、第一Pin针、第二Pin针、第三Pin针和外接电感。本申请中，通过设置外接电感、第一导电层和第二导电层，由于第一导电层的电流方向和第二导电层的电流方向相反，周围产生的...

本申请涉及无线电技术领域，具体涉及一种射频功率放大器及无线信号发射系统，所述射频功率放大器包括，第一放大支路，输入端用于接收射频输出设备输出的部分信号；第二放大支路，输入端用于接收所述射频输出设备输出的部分信号；合路阻抗匹配电路，一端与...

本申请实施例涉及半导体技术领域，提供了一种电容器，其包括：MIM电容和耦合电容模块。其中，耦合电容模块包括至少一个耦合电容，每个耦合电容分别与MIM电容并联；每个耦合电容的各极板在MIM电容厚度方向上处于不同高度。通过形成耦合电容并使耦...

本申请实施例提供一种芯片及芯片的制造方法，其中，芯片包括：芯片主体；所述芯片主体内设有沿芯片主体厚度方向贯通的导电孔；至少两个焊盘，设置于芯片主体的顶部，焊盘之间通过键合线相连；导电层，设置于芯片主体的顶部，且位于至少两个焊盘的下方；导...

本申请实施例提供一种芯片封装结构、集成电路板及芯片封装方法，其中，芯片封装结构包括：导热块、芯片及封装基板；芯片的一侧与导热块相连；芯片另一侧的焊盘上设置导电凸起，导电凸起与封装基板一侧表面的电连接区对应电连接；封装基板的另一侧对应设有...

本申请实施例提供了一种射频功率放大器，包括：顺序连接射频源和负载之间的多级放大器，与所述负载临近的放大器为末级放大器；幅相控制网络；输出偏置网络；漏极直流供电网络，用于为各个所述放大器的漏极供电；其中，所述末级放大器的漏极和所述漏极直流...

本申请实施例提供了一种SoC结构、集成电路、电子设备及其制备方法，涉及半导体技术领域。该SoC结构包括：堆叠设置的多层结构层；所述多层结构层中相邻两个结构层之间均设置有一层孤岛隔离层；其中，所述多层结构层中至少包括系统总线单元，以及存储...

本公开涉及一种控制参数确定方法及控制参数确定装置。该控制参数确定方法用于确定LCL型并网逆变系统控制器的控制参数。LCL型并网逆变系统包括依序耦接的逆变器、LCL型滤波器和电网模块。该控制参数确定方法包括：确定LCL型并网逆变系统在两相...

本发明公开了一种电流通流能力增强型键合线结构，键合线结构包括多根依次排列的键合线，沿第一方向，相邻两根键合线之间的间距逐渐增大后逐渐减小，或者，键合线结构包括多个依次排列的键合线单元，键合线单元内包括多根键合线，位于键合线结构外侧的键合...

本公开涉及微电子技术领域。具体而言，本公开提供了一种超结LDMOS器件，其包括：形成在沟道与N型柱区邻接的部分中的沟道积累区，该沟道积累区的掺杂浓度的范围为5E17/cm<supgt;3</supgt;至5E18/cm<...

本申请涉及一种连接端子。连接端子用于功率模块，连接端子包括插头部、缓冲部、连接部以及支撑部。缓冲部包括相连接的第一缓冲部和第二缓冲部，第一缓冲部位于插头部和第二缓冲部之间。支撑部与连接部相连接，支撑部包括相连接的第一支撑部和第二支撑部，...

本申请提供了一种超结LDMOS器件以及制造超结LDMOS器件的方法。该超结LDMOS器件包括衬底、栅极、以及外延层。该外延层包括体区、源区和体区接触区，并且还包括漏区、缓冲区、漂移区、第一漂移增强区和第二漂移增强区。第一漂移增强区靠近栅...

本发明公开了一种降低接触孔电阻的方法及晶体管器件。降低接触孔电阻的方法包括：在器件结构的表面形成导电结构层，导电结构层具有第一厚度；在器件结构的表面形成臭氧‑四乙氧基硅烷层作为层间介质层，至少对层间介质层进行退火处理；在层间介质层内加工...

本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管终端结构及提高其耐压稳定性的方法。绝缘栅双极型晶体管终端结构包括：导电衬底，导电衬底包括沿第二方向依次设置的集电区、缓冲区和漂移区，漂移区内形成有元胞区结构、主结区结构和截止环，元胞区结构内具有栅沟槽结...

本申请涉及一种快恢复二极管及其制作方法。快恢复二极管包括衬底、第一外延层、第二外延层以及第二掺杂部。第一外延层设置于衬底的一侧，第一外延层为第一导电类型。第二外延层设置于第一外延层背向衬底的一侧，第二外延层为第一导电类型，第二外延层内设...

本申请实施例提供了一种多层存储器结构、电子设备以其制备方法，涉及半导体技术领域。该多层存储器结构包括：相互堆叠设置的多层器件结构层；各所述器件结构层之间设置有一层退火阻挡层；所述退火阻挡层由金属材料制成；其中，每层器件结构层中至少包括一...

本申请涉及一种功率模块，功率模块，包括：底板，具有第一表面；壳体，设于底板一侧，壳体具有和第一表面相对的第二表面，壳体和底板中的一者设有第一卡接部，另一者设有第二卡接部，第一卡接部和第二卡接部相卡接以实现底板和壳体之间的连接；弹性件，弹...

本申请提供了一种超级结MOSFET器件，包括：衬底；梯形柱区，漂移区位于梯形柱区高度范围内的部分为第一漂移区，各个梯形柱区将第一漂移区分隔出漂移小区域；梯形柱区在任一高度x位置的掺杂浓度N<subgt;A</subgt;(x...