【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体器件制造，尤其涉及一种快恢复二极管及其制作方法。
技术介绍
1、快恢复二极管(fast recovery diode，简称frd)是一种开关特性好、反向恢复时间短的二极管，快速恢复二极管广泛应用于开关电源、逆变器、变频器、pwm脉宽调制器、电机、静电感应等电力电子
2、在半导体技术的发展中，如何提高快恢复二极管的可靠性，一直是半导体技术中的一个研究方向。
技术实现思路
1、本申请实施例提供的快恢复二极管及其制作方法，能够有效提高快恢复二极管的可靠性。
2、一方面，根据本申请实施例提出了一种快恢复二极管包括衬底、第一外延层、第二外延层以及第二掺杂部。衬底为第一导电类型。第一外延层设置于衬底的一侧，第一外延层为第一导电类型。第二外延层设置于第一外延层背向衬底的一侧，第二外延层为第一导电类型，第二外延层内设有掺杂层和多个第一掺杂部，第一掺杂部和掺杂层均为第二导电类型，第一掺杂部位于第二外延层靠近第一外延层的一端，掺杂层位于第二外延层远离第一外延层的一端。第二掺杂部至少部分设于衬底，且第二掺杂部未设置于第二外延层，第二掺杂部为第二导电类型。其中，沿快恢复二极管的厚度方向，多个第一掺杂部的投影和第二掺杂部的投影不交叠。
3、根据本申请实施例的一个方面，沿厚度方向，第二掺杂部的投影位于相邻两个第一掺杂部的投影之间。
4、根据本申请实施例的一个方面，第二掺杂部的数量包括多个。
5、根据本申请实施例的一个方面，沿
6、根据本申请实施例的一个方面，沿厚度方向，多个第一掺杂部的投影和多个第二掺杂部的投影交替分布。
7、根据本申请实施例的一个方面，第二掺杂部由衬底背向第一外延层的一侧表面延伸至第一外延层内。
8、根据本申请实施例的一个方面，还包括第一导电层，第一导电层位于衬底背向第一外延层的一侧，第二掺杂部与第一导电层电连接设置。
9、根据本申请实施例的一个方面，第一掺杂部沿厚度方向上的尺寸为d，第二外延层沿厚度方向上的尺寸为d，0＜d≤0.25d。
10、根据本申请实施例的一个方面，第二外延层包括第一区以及至少部分围绕第一区设置的第二区；
11、其中，在第一区内，第一掺杂部沿厚度方向上的长度为第一延伸长度，在第二区内，第一掺杂部沿厚度方向上的长度为第二延伸长度，第一延伸长度大于第二延伸长度。
12、另一方面，本申请实施例还提供了一种快恢复二极管的制作方法，其包括：提供第一导电类型的衬底，且在衬底的一侧依次形成第一外延层和第一预处理层，第一外延层和第一预处理层均为第一导电类型。在第一预处理层内形成多个第一掺杂部，第一掺杂部为第二导电类型。在第一预处理层背向第一外延层的一侧形成第二预处理层，第二预处理层均为第一导电类型。在第二预处理层远离第一外延层的一端形成掺杂层，掺杂层为第二导电类型，第一预处理层和第二预处理层形成第二外延层。由衬底背向第一外延层一侧表面至少向衬底内形成第二掺杂部，第二掺杂部为第二导电类型，第二掺杂部未设置于第二外延层，沿快恢复二极管的厚度方向，多个第一掺杂部的投影和第二掺杂部的投影不交叠。
13、根据本申请提供的快恢复二极管及其制作方法中，通过在第二外延层中设置第二导电类型的第一掺杂部以及至少在衬底中设置第二导电类型的第二掺杂部，在快恢复二极管的反向恢复电流下降阶段，第一掺杂部可以向第二外延层中提供空穴，降低反向恢复过程中载流子的复合速度。并且，第二掺杂部还可以降低反向恢复峰值电流，从而降低电流变化速率，进而减小电压过冲造成快恢复二极管发生动态雪崩的可能性，降低快恢复二极管被击穿的风险，提高快恢复二极管的可靠性。
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1.一种快恢复二极管，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的快恢复二极管，其特征在于，沿所述厚度方向，所述第二掺杂部的投影位于相邻两个所述第一掺杂部的投影之间。
3.根据权利要求1所述的快恢复二极管，其特征在于，所述第二掺杂部的数量包括多个。
4.根据权利要求3所述的快恢复二极管，其特征在于，沿所述厚度方向，多个所述第二掺杂部的投影至少位于相邻两个所述第一掺杂部的投影之间。
5.根据权利要求3所述的快恢复二极管，其特征在于，沿所述厚度方向，多个所述第一掺杂部的投影和多个所述第二掺杂部的投影交替分布。
6.根据权利要求1所述的快恢复二极管，其特征在于，所述第二掺杂部由所述衬底背向所述第一外延层的一侧表面延伸至所述第一外延层内。
7.根据权利要求6所述的快恢复二极管，其特征在于，还包括第一导电层，所述第一导电层位于所述衬底背向所述第一外延层的一侧，所述第二掺杂部与所述第一导电层电连接设置。
8.根据权利要求1所述的快恢复二极管，其特征在于，所述第一掺杂部沿所述厚度方向上的尺寸为d，所述第二外延层
9.根据权利要求1所述的快恢复二极管，其特征在于，所述第二外延层包括第一区以及至少部分围绕所述第一区设置的第二区；
10.一种快恢复二极管的制作方法，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种快恢复二极管，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的快恢复二极管，其特征在于，沿所述厚度方向，所述第二掺杂部的投影位于相邻两个所述第一掺杂部的投影之间。
3.根据权利要求1所述的快恢复二极管，其特征在于，所述第二掺杂部的数量包括多个。
4.根据权利要求3所述的快恢复二极管，其特征在于，沿所述厚度方向，多个所述第二掺杂部的投影至少位于相邻两个所述第一掺杂部的投影之间。
5.根据权利要求3所述的快恢复二极管，其特征在于，沿所述厚度方向，多个所述第一掺杂部的投影和多个所述第二掺杂部的投影交替分布。
6.根据权利要求1所述的快恢复二极管，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：熊志军，
申请(专利权)人：苏州华太电子技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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