一种半导体器件及横向SiC-JFET器件的制备方法技术

本申请实施例提供了一种半导体器件及横向SiC‑JFET器件的制备方法。半导体器件包括：基底；第二掺杂类型的第二外延层；隔离层，位于所述第二外延层之上，所述隔离层在预设位置设置有栅极位置开窗；在所述栅极位置开窗的内侧边缘形成相对设置的两个栅极限位侧墙；第二掺杂类型的栅极，所述栅极从两个栅极限位侧墙之间的位置在所述第二外延层内形成；其中，所述栅极的线宽为两个栅极限位侧墙之间的宽度。本申请实施例解决了传统半导体器件的栅极的线宽受到光刻系统单次曝光对准极限的限制的技术问题。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体器件，具体地，涉及一种半导体器件及横向sic-jfet器件的制备方法。

技术介绍

1、sic横向jfet器件是一种非常适合应用在射频，功率领域的半导体器件。首先，sic作为一种宽禁带半导体材料，相较于si有着更高的击穿场强，因此可以在sic中实现相同击穿电压等级，但漂移区更短，导通电阻更小的器件。其次，sic横向jfet器件的电流导通在sic体内，而不是像sic mos器件一样电流流经sic-sio2的界面，因此可以避免界面处缺陷导致的载流子迁移率低，可靠性差等诸多问题。此外，sic材料热导系数高，在功率应用下有着天然的散热优势。

2、图1是一个目前已经公开的sic l-jfet器件的横切截面图，该器件主体图示标号分别代表：衬底101，p+外延层102，p-外延层103，漂移区104，漏极注入区105，漏极106，源极107，第一源极接触区108，沟道区109，栅极110，第二源极接触区111，氧化物层206，源极接触金属化合物201-1，栅极接触金属化合物201-2，漏极接触金属化合物201-3，栅极屏蔽板202-1，源极接触本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

5.一种横向SiC-JFET器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

6.根据权利要求5所述的横向SiC-JFET器件的制备方法，其特征在于，还包括以下步骤：

7.根据权利要求6所述的横向SiC-JFET器件的制备方法，其特征在于，所述隔离层(201)在预设位置还开有源极位置开窗和漏极位置开窗，所述源极位...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

5.一种横向sic-jfet器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

6.根据权利要求5所述的横向sic-jfet器件的制备方法，其特征在于，还包括以下步骤：

7.根据权利要求6所述的横向sic-jfet器件的制备方法，其特征在于，所述隔离层(201)在预设位置还开有源极位置开窗和漏极位置开窗，所述源极位置开窗的内侧边缘形成相对设置的两...

【专利技术属性】
技术研发人员：王畅畅，
申请(专利权)人：苏州华太电子技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：