【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及隔离开关，更具体地说，它涉及一种1140v熔断器式隔离开关及其生产工艺。
技术介绍
1、熔断器式隔离开关是指在开关中安装了熔断器，在当电流超过规定之时，本身产生的热量使熔体熔断，断开电路的一种电器。熔断器式隔离开关运用这种原理制成的一种保护器，熔断器式隔离开关广泛应用于高低压配电系统和控制系统以及用电设备中，作为短路和过流的保护器，是应用最普遍的保护器之一，随着发展，熔断器式隔离开关的功能也越来越强大。
2、目前，现有的低压熔断器式隔离开关存在电气参数低(电气间隙、爬电距离较小)的缺陷，额定工作电压最高至ac 800v，不能满足风电、光伏、储能等ac 1140v的使用需求。
技术实现思路
1、针对现有技术存在的不足，本专利技术的目的在于提供一种1140v熔断器式隔离开关及其生产工艺，以解决上述技术问题。
2、为实现上述目的，本专利技术提供了如下技术方案：一种1140v熔断器式隔离开关，包括内置有触头座的底座、与底座活动连接的翻盖以及安装于翻盖内侧的三个熔断体，翻盖闭合时熔断体接触端与相应触头座接触，底座位于前后触头座对应处分别设置有上罩及下罩，上罩及下罩位于触头座对应处均开设有活动区间，上罩位于相邻活动区间之间成型有分隔区间，下罩位于相邻活动区间之间成型有第一隔板且第一隔板延伸至对应分隔区间内，翻盖位于相邻熔断体之间成型有第二隔板，第二隔板与第一隔板错位设置。
3、本专利技术进一步设置为：底座的宽为130mm、高为236mm且深为9
4、本专利技术进一步设置为：上罩及下罩外端位于各触头座对应处均开设有端子通口，每个端子通口外侧均设置有挡片，挡片可拆卸设置于端子通口内。
5、本专利技术进一步设置为：上罩及下罩外侧位于相邻端子通口的居中处均开设有装配槽，装配槽横截面呈t型结构。
6、本专利技术进一步设置为：上罩及下罩的外侧安装有端子保护罩，端子保护罩与上罩或下罩的安装侧均成型有与装配槽适配的装配筋。
7、本专利技术进一步设置为：上罩及下罩外侧安装有相间隔板，相间隔板的安装侧成型有与装配槽适配的装配部。
8、本专利技术进一步设置为：翻盖外侧开设有容置凹位且容置凹位位于每个熔断体预装处均开设有装配通窗，熔断体一侧设置有两个与装配通窗适配的装配舌片，容置凹位内置有用于对装配舌片进行限位的熔体塑件，容置凹位上安装有面板且面板位于每个熔断体的装配舌片处均开设有检测通孔。
9、本专利技术进一步设置为：上罩位于各活动区间对应处均安装有灭弧室。
10、本专利技术进一步设置为：底座两侧等距且阵列成型有若干散热凹位，散热凹位靠近底部中段对应处开设有散热通槽。
11、本专利技术还提供了一种熔断器式隔离开关的生产工艺，包括如下步骤：s1、选料：选用高弹性钢板为坯料：s2、冲压：将坯料送入冲床，经过冲床冲压得到压紧弹簧本体：s3、喷砂：将压紧弹簧本体送入喷砂装置进行喷砂加工：s4、喷涂：将压紧弹簧本体送入喷涂装置进行防锈喷涂；s5、组装：将压紧弹簧本体与触头本体进行组装得到触头座；s6、装配：将触头座装入底座内得到1140v熔断器式隔离开关。
12、综上所述，本专利技术具有以下有益效果：1、本专利技术底座与翻盖处于合闸状态下时，翻盖内侧的各第二隔板均与底座上各对应的第一隔板错位贴合，进而为各个熔断体提供单独的容置区间，从而增加相邻触头座之间的爬电距离和电气间距，进而提高产品的额定工作电压(1140v)；
13、2、通过对压紧弹簧本体进行喷砂，使得压紧弹簧本体表面机械性能得到改善，提高压紧弹簧本体的抗疲劳性，提高压紧弹簧的使用效果，保证熔断体与各触头座的稳定通断；通过喷涂装置对压紧弹簧本体进行防锈喷涂，保证压紧弹簧本体的防锈性能，提高压紧弹簧的使用寿命。
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1.一种1140V熔断器式隔离开关，包括内置有触头座(100)的底座(1)、与所述底座(1)活动连接的翻盖(101)以及安装于翻盖(101)内侧的三个熔断体(102)，所述翻盖(101)闭合时熔断体(102)接触端与相应触头座(100)接触，其特征在于：所述底座(1)位于前后触头座(100)对应处分别设置有上罩(2)及下罩(200)，所述上罩(2)及下罩(200)位于触头座(100)对应处均开设有活动区间(201)，所述上罩(2)位于相邻活动区间(201)之间成型有分隔区间(202)，所述下罩(200)位于相邻活动区间(201)之间成型有第一隔板(203)且第一隔板(203)延伸至对应分隔区间(202)内，所述翻盖(101)位于相邻熔断体(102)之间成型有第二隔板(204)，所述第二隔板(204)与第一隔板(203)错位设置。
2.根据权利要求1所述的一种1140V熔断器式隔离开关，其特征在于：所述底座(1)的宽为130mm、高为236mm且深为91mm，翻盖(101)尺寸与底座(1)适配。
3.根据权利要求1所述的一种1140V熔断器式隔离开关，其特征
4.根据权利要求3所述的一种1140V熔断器式隔离开关，其特征在于：所述上罩(2)及下罩(200)外侧位于相邻端子通口(205)的居中处均开设有装配槽(207)，所述装配槽(207)横截面呈T型结构。
5.根据权利要求4所述的一种1140V熔断器式隔离开关，其特征在于：所述上罩(2)及下罩(200)的外侧安装有端子保护罩(208)，所述端子保护罩(208)与上罩(2)或下罩(200)的安装侧均成型有与装配槽(207)适配的装配筋(209)。
6.根据权利要求4所述的一种1140V熔断器式隔离开关，其特征在于：所述上罩(2)及下罩(200)外侧安装有相间隔板(210)，所述相间隔板(210)的安装侧成型有与装配槽(207)适配的装配部(211)。
7.根据权利要求1所述的一种1140V熔断器式隔离开关，其特征在于：所述翻盖(101)外侧开设有容置凹位(103)且容置凹位(103)位于每个熔断体(102)预装处均开设有装配通窗(104)，所述熔断体(102)一侧设置有两个与装配通窗(104)适配的装配舌片(105)，容置凹位(103)内置有用于对装配舌片(105)进行限位的熔体塑件(106)，所述容置凹位(103)上安装有面板(111)且面板(111)位于每个熔断体(102)的装配舌片(105)处均开设有检测通孔(107)。
8.根据权利要求6所述的一种1140V熔断器式隔离开关，其特征在于：所述上罩(2)位于各活动区间(201)对应处均安装有灭弧室(108)。
9.根据权利要求6所述的一种1140V熔断器式隔离开关，其特征在于：所述底座(1)两侧等距且阵列成型有若干散热凹位(109)，所述散热凹位(109)靠近底部中段对应处开设有散热通槽(110)。
10.一种如权利要求1-9任一项所述的熔断器式隔离开关的生产工艺，其特征在于：所述熔断器式隔离开关的生产工艺包括如下步骤：
...【技术特征摘要】
1.一种1140v熔断器式隔离开关，包括内置有触头座(100)的底座(1)、与所述底座(1)活动连接的翻盖(101)以及安装于翻盖(101)内侧的三个熔断体(102)，所述翻盖(101)闭合时熔断体(102)接触端与相应触头座(100)接触，其特征在于：所述底座(1)位于前后触头座(100)对应处分别设置有上罩(2)及下罩(200)，所述上罩(2)及下罩(200)位于触头座(100)对应处均开设有活动区间(201)，所述上罩(2)位于相邻活动区间(201)之间成型有分隔区间(202)，所述下罩(200)位于相邻活动区间(201)之间成型有第一隔板(203)且第一隔板(203)延伸至对应分隔区间(202)内，所述翻盖(101)位于相邻熔断体(102)之间成型有第二隔板(204)，所述第二隔板(204)与第一隔板(203)错位设置。
2.根据权利要求1所述的一种1140v熔断器式隔离开关，其特征在于：所述底座(1)的宽为130mm、高为236mm且深为91mm，翻盖(101)尺寸与底座(1)适配。
3.根据权利要求1所述的一种1140v熔断器式隔离开关，其特征在于：所述上罩(2)及下罩(200)外端位于各触头座(100)对应处均开设有端子通口(205)，每个所述端子通口(205)外侧均设置有挡片(206)，所述挡片(206)可拆卸设置于端子通口(205)内。
4.根据权利要求3所述的一种1140v熔断器式隔离开关，其特征在于：所述上罩(2)及下罩(200)外侧位于相邻端子通口(205)的居中处均开设有装配槽(207)，所述装配槽(207)横截面呈t型结构。
5.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：何业勇，刘化修，陈浩，
申请(专利权)人：浙江金莱勒电气有限公司，
类型：发明
国别省市：
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