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本申请实施例提供了一种半导体器件及横向SiC‑JFET器件的制备方法。半导体器件包括：基底；第二掺杂类型的第二外延层；隔离层，位于所述第二外延层之上，所述隔离层在预设位置设置有栅极位置开窗；在所述栅极位置开窗的内侧边缘形成相对设置的两个栅极...
该专利属于苏州华太电子技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州华太电子技术股份有限公司授权不得商用。

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