一种电流通流能力增强型键合线结构制造技术

本发明专利技术公开了一种电流通流能力增强型键合线结构，键合线结构包括多根依次排列的键合线，沿第一方向，相邻两根键合线之间的间距逐渐增大后逐渐减小，或者，键合线结构包括多个依次排列的键合线单元，键合线单元内包括多根键合线，位于键合线结构外侧的键合线单元内的键合线之间的间距大于其余键合线单元内的键合线之间的间距。本发明专利技术中键合线结构内的键合线呈现两侧密中间疏的形式，提高了边缘两侧键合线之间的互感作用进而降低了流经边缘两侧键合线的射频电流，提高了键合线结构整体通流能力以及可靠性；还通过提高边缘键合线的弧高以增加边缘两侧键合线的电阻和自感，进一步降低流经边缘键合线的射频电流，避免了键合线结构过热进而引发烧毁。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于射频器件设计，具体涉及一种电流通流能力增强型键合线结构。

技术介绍

1、引线键合是射频器件的主流互连方式，是连接晶片(die)、无源器件、引线框架引脚以及传递电信号的核心元件。

2、射频设计包括预匹配和外匹配。预匹配是在封装内部完成，对于大功率器件，晶片源端、漏端阻抗位置易处于高反射系数区域，这种情况下需要对晶片进行预匹配设计以降低后续工作难度。

3、预匹配设计包括考虑键合线的形状、根数、电容值或电感值的大小，从而将晶片阻抗调节到合适的位置。由于功率较大，在晶片漏端预匹配设计中，考虑键合线电感量同时需要考虑键合线电流的通流能力，防止芯片在大信号测试中因键合线烧毁造成射频性能下降，影响射频芯片的可靠性。

4、为了保证足够的电流通流能力，一般采用多线键合的形式。如图1所示，传统多线键合等间距排布：以17根键合线为例，单根键合线的跨距为l、拐距为ld、弧高为h1，相邻两根键合线距离为di，17根键合线总间距为d。此方式键合线间距di保持一致，编程控制设备打线时简洁便利，但未考虑键合线之间磁力线的互相影响，在工程应本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电流通流能力增强型键合线结构，其特征在于，所述键合线结构包括多根依次排列的键合线，沿第一方向，相邻两根键合线之间的间距逐渐增大后逐渐减小。

2.根据权利要求1所述的电流通流能力增强型键合线结构，其特征在于，相邻两根所述键合线之间的间距等差值逐渐增大后等差值逐渐减小。

3.根据权利要求2所述的电流通流能力增强型键合线结构，其特征在于，所述相邻两根键合线之间的间距等差值逐渐增大时，相邻两个所述间距之比为1.05～1.30；所述相邻两根键合线之间的间距等差值逐渐减小时，相邻两个所述间距之比为

4.根据权利要求1所述的电流通流能力增强型键合线结构，其特...

【技术特征摘要】

1.一种电流通流能力增强型键合线结构，其特征在于，所述键合线结构包括多根依次排列的键合线，沿第一方向，相邻两根键合线之间的间距逐渐增大后逐渐减小。

2.根据权利要求1所述的电流通流能力增强型键合线结构，其特征在于，相邻两根所述键合线之间的间距等差值逐渐增大后等差值逐渐减小。

3.根据权利要求2所述的电流通流能力增强型键合线结构，其特征在于，所述相邻两根键合线之间的间距等差值逐渐增大时，相邻两个所述间距之比为1.05～1.30；所述相邻两根键合线之间的间距等差值逐渐减小时，相邻两个所述间距之比为

4.根据权利要求1所述的电流通流能力增强型键合线结构，其特征在于，位于所述键合线结构外侧的两根键合线的弧高大于其余键合线的弧高。

5.根据权利要求4所述的电流通流能力增强型键合线结构，其特征在于，所述键合线结构外侧的两根键合线的弧高为其余键合线弧高的130％～170％。

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【专利技术属性】
技术研发人员：陈娅莉，刘昊宇，
申请(专利权)人：苏州华太电子技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：