本申请公开了一种功率放大器及电子器件，涉及射频技术领域。功率放大器包括：功率选择模块、N个功率放大模块和输出匹配网络模块。在满额定功率输出的情况下，功率选择模块用于选择N个功率放大模块合成输出，输出匹配网络模块用于将N个功率放大模块的输...

本申请公开了一种基于验证平台的复位方法、装置、设备、介质及程序产品，涉及电力电子技术领域。验证平台中包括第一调度域和第二调度域，第一调度域中包括验证平台中除第三方验证组件外的通用验证组件，第二调度域中包括第三方验证组件；验证平台与待测设...

本技术公开了一种电子元器件的直接水冷装置。直接水冷装置包括散热机构、密封机构、冷却液容器和连接机构，散热机构与冷却液容器经连接机构固定连接，密封机构设置在散热机构与冷却液容器之间。本技术中的一种电子元器件的直接水冷装置中的散热机构和冷却...

本申请实施例提供了一种永磁同步电机转子零位辨识方法及辨识系统。辨识方法包括：步骤S1：永磁同步电机工作在堵转状态；步骤S2：给定永磁同步电机的励磁电流id＝0和转矩电流iq＝iqRef，其中，iqRef表示设定的转矩电流给定值；步骤S3...

本申请公开了一种两电平逆变器采样电路及装置。电路包括：三个桥臂组，每个桥臂组包括串联的上桥臂和下桥臂，每个桥臂组的上桥臂用于与第一电压端连接、每个桥臂组的下桥臂用于与第二电压端连接，三个桥臂组的公共节点分别用于与负载的三相供电端连接；采...

本申请涉及一种功放谐波控制电路、装置及电子设备。功放谐波控制电路，功放谐波控制电路包括谐波控制模块和高效率功放模块；谐波控制模块的输入端用于接收第一输入信号，功率谐波控制模块用于基于第一输入信号生成谐波控制信号，功率谐波控制模块的输出端...

本申请涉及一种延时电路、电子装置及延时电路控制方法，通过延时模块对输入时钟信号进行延时，获得经延时后的延时时钟信号，根据延时时钟信号和输入时钟信号调节延时模块的延时级数，不同的延时级数对应不同的延时时长，根据延时级数的存储值和锁定阈值输...

本申请实施例提供了一种超级结功率器件及其制备方法。超级结功率器件包括：基底；漂移区；形成在漂移区内的第二掺杂类型的上窄下宽的梯形柱区，漂移区位于梯形柱区高度范围内的部分为第一漂移区，各个梯形柱区将第一漂移区分隔出梯形的漂移小区域；漂移小...

本申请涉及集成电路设计技术领域，尤其涉及一种电路优化方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。所述电路优化方法包括：响应于优化指令，确定目标优化参数；采用各目标优化参数对应的至少一组样本数据，构建高斯过程模型和获取函数、期望提升...

本申请的实施例提供了一种用于信号放大的封装结构和包括该封装结构的信号放大器。封装结构包括：基底；位于所述基底上的第一晶体管；位于所述基底上的第二晶体管；以及位于所述基底上的第一子封装结构，所述第一子封装结构包括第三晶体管和第四晶体管，所...

本申请实施例提供一种逆变器电流传感器接线检测方法，涉及逆变器检测技术领域，能够解决电流传感器接线检测的问题。方法包括：控制逆变器输出三相电压的脉冲宽度调制波形；在逆变器连接三相对称负载的情况下，获取第一电流传感器的第一电流值、第二电流传...

本公开涉及一种功率芯片及其封装方法。该功率芯片，包括：基板、一个或多个子芯片以及多个导电柱。基板设有导电结构。子芯片靠近基板的一侧设有多个电极。多个导电柱分别设置于对应电极的表面，并与导电结构电性连接；其中，导电柱复用为散热柱。本公开利...

本申请实施例提供了一种LDMOS器件及其制备方法。LDMOS器件包括：衬底；形成在衬底之上的外延层；形成在外延层内且间隔设置的第一掺杂类型功能区和漏区，外延层位于第一掺杂类型功能区和漏区之间的部分为漂移区；形成在漂移区之上的氧化物第一薄...

本申请公开了一种BootRom配置方法、装置、设备及存储介质，在BootRom的系统时钟需要修改的情况下，将第一配置区中的一个时钟配置信息确定为目标时钟配置信息，基于目标时钟配置信息对系统时钟进行修改。根据本实施例，根据时钟配置信息，能...

本申请提供了一种多光模块自动测试系统及测试方法。该系统中，电源管理模块为微控制器、时钟芯片以及光DSP模块提供工作电源；时钟芯片为光DSP模块提供时钟信号；微控制器对时钟芯片和光DSP模块进行参数配置；一个光DSP模块用于连接标准光模块...

本申请公开了一种磁力检测方法及装置。方法包括：获取磁传感器模块采集得到的待检测材料的传感数据；其中，传感数据包括三轴磁场数据以及温度数据；根据温度数据对应的实际温度，从偏移查找表中获取实际温度对应的三轴偏移值；偏移查找表包括不同温度区间...

本申请涉及一种电路结构。包括：散热组件，包括散热件，所述散热件内开设有液流通道；及功放电路，包括功放管和输出匹配件，所述输出匹配件包括外围匹配部和中间匹配部，所述功放管与所述外围匹配部和中间匹配部电性连接，所述外围匹配部环绕所述中间匹配...

本申请实施例提供了一种三维集成电路，包括：下方器件层；所述下方器件层包括下方器件层本体和退火阻挡层，所述退火阻挡层位于所述下方器件层本体内的上部，且所述退火阻挡层避开竖向通孔以与竖向通孔保持距离；形成在下方器件层上方的上方器件层；其中，...

本申请涉及一种功率放大电路

本申请涉及一种功率放大电路