【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，特别是涉及一种功率芯片及其封装方法。
技术介绍
1、氮化镓（gan）作为第三代半导体材料的典型代表，具有禁带宽度大、击穿电场强、电子迁移率高、导热率高，导通电阻低等优点，是制备高温、高压、射频、功率领域器件的理想材料。氮化铝镓（algan）和氮化镓（gan）异质结构由于具有显著的自发极化效应，能够在界面处形成高浓度的二维电子气。
2、目前，基于氮化铝镓/氮化镓异质结形成的二维电子气制备的高电子迁移率晶体管（high electron mobility transistor，简称hemt）在射频和功率领域应用前景广阔，是电力电子、无线通信和雷达等领域的核心器件。
3、然而，随着半导体器件集成度的提高，氮化镓基功率芯片的功率密度显著提升。由于氮化镓hemt器件具有明显的自热效应，导致器件栅极沟道处的温度显著升高，从而降低器件的可靠性，严重时可能会造成器件失效，影响其使用寿命，阻碍了氮化镓器件在功率和射频领域的应用。
技术实现思路
1、基于此，本公开实施...
【技术保护点】
1.一种功率芯片，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的功率芯片，其特征在于，所述子芯片包括：
3.根据权利要求2所述的功率芯片，其特征在于，所述钝化层包括金刚石层。
4.根据权利要求2所述的功率芯片，其特征在于，所述子芯片还包括：
5.根据权利要求1~4中任一项所述的功率芯片，其特征在于，所述导电柱在所述基板上的正投影与对应相连的所述电极在所述基板上的正投影大致重叠。
6.根据权利要求1~4中任一项所述的功率芯片，其特征在于，多个所述电极包括栅极、源极和漏极；
7.根据权利要求1~4中任一...
【技术特征摘要】
1.一种功率芯片，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的功率芯片，其特征在于，所述子芯片包括：
3.根据权利要求2所述的功率芯片，其特征在于，所述钝化层包括金刚石层。
4.根据权利要求2所述的功率芯片，其特征在于，所述子芯片还包括：
5.根据权利要求1~4中任一项所述的功率芯片，其特征在于，所述导电柱在所述基板上的正投影与对应相连的所述电极在所述基板上的正投影大致重叠。
6.根据权利要求1~4中任一项所述的功率芯片，其特征在于，多个所述电极包括栅极、源极和漏极；
...
【专利技术属性】
技术研发人员：童富，陈少俭，杨琳，
申请(专利权)人：苏州华太电子技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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