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本公开涉及一种功率芯片及其封装方法。该功率芯片,包括:基板、一个或多个子芯片以及多个导电柱。基板设有导电结构。子芯片靠近基板的一侧设有多个电极。多个导电柱分别设置于对应电极的表面,并与导电结构电性连接;其中,导电柱复用为散热柱。本公开利于缩...该专利属于苏州华太电子技术股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过苏州华太电子技术股份有限公司授权不得商用。
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本公开涉及一种功率芯片及其封装方法。该功率芯片,包括:基板、一个或多个子芯片以及多个导电柱。基板设有导电结构。子芯片靠近基板的一侧设有多个电极。多个导电柱分别设置于对应电极的表面,并与导电结构电性连接;其中,导电柱复用为散热柱。本公开利于缩...