本发明公开了一种MOSFET准饱和效应模型及其建模方法。所述建模方法包括：在满足判定条件时，以准饱和特性修正公式将MOSFET经典模型中源漏电流表达式内的Vgs修正为Vgscorr，以建立能够表征MOSFET准饱和特性的修正模型；所述判...

本申请公开了一种复合衬底及其制造方法、射频半导体器件及其制造方法，涉及半导体器件技术领域。复合衬底可包括蓝宝石层；设置在蓝宝石层一侧的初始吸热层，初始吸热层用于在激光照射下，吸收激光并发生分解反应；设置在初始吸热层远离蓝宝石层一侧的外延...

本发明公开了一种LDMOS PA半桥空腔封装结构及表面贴装器件。LDMOS PA半桥空腔封装结构包括：绝缘管壳、基板和盖板，基板、盖板与绝缘管壳固定连接并围合形成一封装腔室，封装腔室用于容置芯片，基板具有背对设置的导电部分和绝缘部分，导...

本发明公开了一种半桥电路封装结构及表面贴装器件。半桥电路封装结构包括封装外壳、电极端子以及半桥结构所需的电路结构，封装外壳内部具有用于封装芯片的封装腔室，封装外壳上设置有与封装腔室相连通的通孔结构，电路结构设置在封装外壳上且位于封装腔室...

本发明公开了一种对场效应晶体管的陷阱效应进行模拟的建模方法，包括：S1，构建场效应管本征部分的小信号等效电路，并根据小信号等效电路获得场效应管本征参数与测试的本征Y参数的关系，并根据该关系提取场效应管本征参数；S2，构建场效应管的大信号...

本申请公开了一种功率器件的终端结构及制备方法，终端结构包括衬底和外延层，外延层设于衬底上表面，外延层包括主结以及和主结相邻设置的N个场限环，在沿主结至场限环的方向上，第i个场限环的环宽为W

本申请公开了一种射频半导体器件及其制造方法，涉及半导体器件技术领域。射频半导体器件可包括介电材料层，介电材料层的材料包括氮化铝、氮化硅和氧化硅中的至少一种；设置在介电材料层一侧的外延材料层；设置在外延材料层远离介电材料层一侧的有源层。根...

本申请实施例提供了一种横向SiC

本申请公开了一种数字预失真处理方法、系统、设备、存储介质及程序产品，涉及射频通信技术领域。该方法包括：接收第一频段的第一信号；基于第一频段，从目标存储区域中调取与第一信号对应的N个主系数和N个第一差异系数；基于N个主系数和N个第一差异系...

本申请提供了一种半导体结构的制作方法和半导体结构。该方法包括：首先，提供基底，基底至少包括依次层叠的衬底、外延层、栅氧化层以及位于栅氧化层的远离衬底的部分表面上的栅极；之后，在基底的裸露表面上依次形成层叠的第一介质层和氧化层；之后，至少...

本申请提供了一种半导体结构以及半导体结构的制作方法。该半导体结构包括衬底、埋氧层以及顶硅层，其中，衬底的表面具有台阶区域和至少位于台阶区域一侧的非台阶区域；埋氧层至少位于台阶区域的表面上；顶硅层位于埋氧层的远离衬底的一侧，顶硅层包括漂移...

本申请公开了一种半导体器件及半导体器件制备方法，半导体器件，包括：衬底；至少两层超级结结构层，设于衬底一侧，超级结结构层包括交替排列、且延伸方向相同的P型条状埋区和N型条状埋区，且相邻超级结结构层内的P型条状埋区的延伸方向不同；N型埋层...

本申请提供了一种超级结MOS器件的制作方法以及超级结MOS器件。该方法包括：提供基底，包括层叠的衬底以及第一外延层；在第一外延层中形成多个间隔设置的籽晶，任意相邻的两个籽晶之间的第一外延层的宽度大于籽晶的宽度，籽晶的远离衬底的表面与第一...

本申请涉及一种半导体器件的终端结构，半导体器件的终端结构包括外延层、绝缘层以及第一金属层。外延层包括相对设置的第一表面和第二表面。外延层包括元胞区半导体部、多个掺杂部以及终端区半导体部。多个掺杂部至少位于终端区半导体部背向第一表面的一侧...

本申请提供了一种超级结MOSFET器件的制作方法。该方法包括：首先，提供层叠的基底以及第一预备外延层；然后，去除部分第一预备外延层，形成多个间隔设置的第一沟槽，剩余的第一预备外延层形成第一外延层；之后，采用低温外延生长工艺，在各第一沟槽...

本申请提供了一种超级结MOSFET器件及其制作方法。该超级结MOSFET器件包括基底以及多个场板结构，其中，基底包括层叠的衬底以及第一外延层；多个场板结构间隔设置在第一外延层中，场板结构包括氧化层以及竖直场板，氧化层与第一外延层接触，竖...

本申请提供了一种脉冲次数和方向信号的监测方法、装置和电子设备，该方法包括：获取解码器输出的第一电位变化信息和第二电位变化信息；根据第一电位变化信息和第二电位变化信息，确定多个两路电位状态；在A路信号与B路信号的信号类型相同，且A路信号和...

本申请公开了一种复合高电子迁移率晶体管及其制备方法。复合高电子迁移率晶体管包括：第一区域和第二区域；衬底，一部分位于第一区域，另一部分位于第二区域；接触层，位于衬底的一侧，位于第一区域和/或第二区域，为第一半导体类型；第一外延层，位于接...

本申请公开了一种复合高电子迁移率晶体管及其制备方法。复合高电子迁移率晶体管包括：第一区域和第二区域；衬底，为第一半导体类型，位于第一区域和第二区域；第一外延层位于衬底的一侧，位于第一区域和第二区域；基极层为第二半导体类型，位于第一外延层...

本申请提供了一种SGT器件的制备方法以及SGT器件。该方法包括：首先，提供包括依次层叠的衬底、第一外延层以及预备氧化层的基底；然后，去除部分预备氧化层，剩余的预备氧化层形成间隔设置的第一氧化层，且相邻的第一氧化层之间形成多个间隔设置的第...