半导体结构的制作方法和半导体结构技术

本申请提供了一种半导体结构的制作方法和半导体结构。该方法包括：首先，提供基底，基底至少包括依次层叠的衬底、外延层、栅氧化层以及位于栅氧化层的远离衬底的部分表面上的栅极；之后，在基底的裸露表面上依次形成层叠的第一介质层和氧化层；之后，至少去除部分氧化层和部分第一介质层，剩余的氧化层和剩余的第一介质层形成侧墙结构，侧墙结构至少位于栅极的侧壁，且侧墙结构的厚度大于栅极的厚度；最后，在栅极的裸露表面上形成金属硅化物。该方法中的第一介质层可以保证后续氧化层刻蚀干净的同时不会过刻蚀，从而保证防止后续金属离子进入外延层中，进而解决了现有技术中金属穿透栅氧化层而导致器件产生漏电现象或短路现象的问题。现象的问题。现象的问题。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制作方法和半导体结构


[0001]本申请涉及半导体
，具体而言，涉及一种半导体结构的制作方法和半导体结构。

技术介绍

[0002]LDMOS(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor，侧向扩散金属氧化物半导体)器件中，形成金属硅化物的步骤如下：1)在多晶硅的栅极区域淀积氮化硅；2)刻蚀形成多晶硅栅极；3)淀积氧化层；4)干法回刻，刻蚀形成栅极的侧墙；5)干法刻蚀掉栅极上面的氮化硅；6)在栅极上淀积金属层，经两次高温退火，自对准地在栅极上形成低电阻金属硅化物。该工艺将栅极金属硅化物和侧墙工艺同时集成，不仅提高了器件的高频特性，减少了器件尺寸对工艺的依存性，而且简化了RF(Radio Frequency，射频)LDMOS的制备工艺流程，降低了工艺成本。但是，在步骤4)中，为了将氧化层刻蚀干净，通常需要过刻蚀，这会使得晶圆上的氧化层减薄，最终可能导致在制作栅极金属硅化物时，金属穿透薄氧化层，使得器件漏电甚至短路。

技术实现思路

[0003]本申请的主要目的在于提供一种半导体结构的制作方法和半导体结构，以解决现有技术中金属穿透栅氧化层而导致器件产生漏电现象或短路现象的问题。
[0004]为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种半导体结构的制作方法，包括：提供基底，所述基底至少包括依次层叠的衬底、外延层、栅氧化层以及位于所述栅氧化层的远离所述衬底的部分表面上的栅极；在所述基底的裸露表面上依次形成层叠的第一介质层和氧化层；至少去除部分所述氧化层和部分所述第一介质层，剩余的所述氧化层和剩余的所述第一介质层形成侧墙结构，所述侧墙结构至少位于所述栅极的侧壁，且所述侧墙结构的厚度大于所述栅极的厚度；在所述栅极的裸露表面上形成金属硅化物。
[0005]进一步地，至少去除部分所述氧化层和部分所述第一介质层，剩余的所述氧化层和剩余的所述第一介质层形成侧墙结构，包括：去除部分所述氧化层，剩余的所述氧化层形成第一侧墙，所述第一侧墙覆盖所述栅极侧壁上的所述第一介质层的部分侧壁；以所述第一侧墙为掩模，去除部分所述第一介质层，使得所述栅极的远离所述衬底的表面以及所述栅氧化层的远离所述衬底的部分表面裸露，剩余的所述第一介质层形成第二侧墙，所述第一侧墙和所述第二侧墙构成侧墙结构。
[0006]进一步地，提供基底，包括：提供所述衬底；在所述衬底的裸露表面上依次形成层叠的所述外延层以及所述栅氧化层；在所述栅氧化层的裸露表面上形成栅极层；去除部分所述栅极层，使得所述栅氧化层的远离所述衬底的部分表面裸露，剩余的所述栅极层形成所述栅极。
[0007]进一步地，所述基底还包括位于所述栅极的远离所述衬底的表面上的介质部，提供基底，包括：提供所述衬底；在所述衬底的裸露表面上依次形成层叠的所述外延层以及所
述栅氧化层；在所述栅氧化层的裸露表面上依次形成层叠的栅极层和第二介质层；去除部分所述第二介质层和部分所述栅极层，使得所述栅氧化层的远离所述衬底的部分表面裸露，剩余的所述栅极层形成栅极，剩余的所述第二介质层形成所述介质部。
[0008]进一步地，至少去除部分所述氧化层和部分所述第一介质层，剩余的所述氧化层和剩余的所述第一介质层形成侧墙结构，包括：去除部分所述氧化层，剩余的所述氧化层形成所述第一侧墙，所述第一侧墙覆盖所述栅极侧壁上的所述第一介质层的部分侧壁；以所述第一侧墙为掩模，去除部分所述第一介质层和所述介质部，使得所述栅极以及部分所述栅氧化层的远离所述衬底的表面裸露，剩余的所述第一介质层形成第二侧墙，所述第一侧墙和所述第二侧墙构成所述侧墙结构。
[0009]进一步地，在所述栅极的裸露表面上形成金属硅化物，包括：在所述栅极的裸露表面上形成金属层；对所述金属层进行退火，形成所述金属硅化物。
[0010]进一步地，所述介质部的材料包括SiN，所述介质部的厚度范围为
[0011]进一步地，所述第一介质层的材料包括SiN，所述第一介质层的厚度范围为
[0012][0013]进一步地，所述氧化层的材料包括SiO2，所述氧化层的厚度范围为
[0014]根据本申请的另一方面，提供了一种半导体结构，所述半导体结构采用任一种所述的半导体结构的制作方法制作而成，所述半导体结构包括基底、侧墙结构以及金属硅化物，其中，所述基底至少包括依次层叠的衬底、外延层、栅氧化层以及位于所述栅氧化层的远离所述衬底的部分表面上的栅极；所述侧墙结构至少位于所述栅极的侧壁，且所述侧墙结构的厚度大于所述栅极的厚度；所述金属硅化物至少位于所述栅极的远离所述衬底的表面上。
[0015]进一步地，所述侧墙结构包括第一侧墙和第二侧墙，所述第二侧墙位于所述栅极两侧的所述栅氧化层的部分表面上以及所述栅极的侧壁上，所述第一侧墙位于所述第二侧墙的侧壁以及所述第二侧墙的远离所述衬底的表面上。
[0016]应用本申请的技术方案，所述半导体结构的制作方法中，首先，提供基底，所述基底至少包括依次层叠的衬底、外延层、栅氧化层以及位于所述栅氧化层的远离所述衬底的部分表面上的栅极；之后，在所述基底的裸露表面上依次形成层叠的第一介质层和氧化层；之后，至少去除部分所述氧化层和部分所述第一介质层，剩余的所述氧化层和剩余的所述第一介质层形成侧墙结构，所述侧墙结构至少位于所述栅极的侧壁，且所述侧墙结构的厚度大于所述栅极的厚度；最后，在所述栅极的裸露表面上形成金属硅化物。该方法在基底的裸露表面沉积层叠的第一介质层和氧化层，第一介质层可以保证后续氧化层刻蚀干净的同时不会过刻蚀，保证外延层上的栅氧化层不被刻蚀，且经过刻蚀后剩余的第一介质层和剩余的氧化层形成的侧墙结构厚度较栅极厚，一定厚度的栅氧化层以及厚度较厚的侧墙阻挡后续形成金属硅化物时金属离子进入外延层中，从而防止漏电现象或短路现象的产生，进而解决了现有技术中金属穿透栅氧化层而导致器件产生漏电现象或短路现象的问题。
附图说明
[0017]构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本申请的进一步理解，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：
[0018]图1示出了根据本申请的一种实施例的半导体结构的制作方法流程示意图；
[0019]图2示出了根据本申请的一种实施例的形成栅氧化层后的半导体结构示意图；
[0020]图3示出了根据本申请的一种实施例的形成栅极层后的半导体结构示意图；
[0021]图4示出了根据本申请的一种实施例的形成栅极后的半导体结构示意图；
[0022]图5示出了根据本申请的一种实施例的形成第二介质层后的半导体结构示意图；
[0023]图6示出了根据本申请的一种实施例的形成栅极和介质部后的半导体结构示意图；
[0024]图7示出了根据本申请的一种实施例的形成氧化层后的半导体结构示意图；
[0025]图8示出了根据本申请的一种实施例的形成第一侧墙后的半导体结构示意图；
[0026]图9示出了根据本申请的一种实施例的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底至少包括依次层叠的衬底、外延层、栅氧化层以及位于所述栅氧化层的远离所述衬底的部分表面上的栅极；在所述基底的裸露表面上依次形成层叠的第一介质层和氧化层；至少去除部分所述氧化层和部分所述第一介质层，剩余的所述氧化层和剩余的所述第一介质层形成侧墙结构，所述侧墙结构至少位于所述栅极的侧壁，且所述侧墙结构的厚度大于所述栅极的厚度；在所述栅极的裸露表面上形成金属硅化物。2.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，至少去除部分所述氧化层和部分所述第一介质层，剩余的所述氧化层和剩余的所述第一介质层形成侧墙结构，包括：去除部分所述氧化层，剩余的所述氧化层形成第一侧墙，所述第一侧墙覆盖所述栅极侧壁上的所述第一介质层的部分侧壁；以所述第一侧墙为掩模，去除部分所述第一介质层，使得所述栅极的远离所述衬底的表面以及所述栅氧化层的远离所述衬底的部分表面裸露，剩余的所述第一介质层形成第二侧墙，所述第一侧墙和所述第二侧墙构成侧墙结构。3.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，提供基底，包括：提供所述衬底；在所述衬底的裸露表面上依次形成层叠的所述外延层以及所述栅氧化层；在所述栅氧化层的裸露表面上形成栅极层；去除部分所述栅极层，使得所述栅氧化层的远离所述衬底的部分表面裸露，剩余的所述栅极层形成所述栅极。4.根据权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述基底还包括位于所述栅极的远离所述衬底的表面上的介质部，提供基底，包括：提供所述衬底；在所述衬底的裸露表面上依次形成层叠的所述外延层以及所述栅氧化层；在所述栅氧化层的裸露表面上依次形成层叠的栅极层和第二介质层；去除部分所述第二介质层和部分所述栅极层，使得所述栅氧化层的远离所述衬底的部分表面裸露，剩余的所述栅极层形成栅极，剩余的所述第二介...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯新，
申请(专利权)人：苏州华太电子技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：