半导体结构的制作方法和半导体结构技术

本申请提供了一种半导体结构的制作方法和半导体结构。该方法包括：首先，提供基底，基底至少包括依次层叠的衬底、外延层、栅氧化层以及位于栅氧化层的远离衬底的部分表面上的栅极；之后，在基底的裸露表面上依次形成层叠的第一介质层和氧化层；之后，至少去除部分氧化层和部分第一介质层，剩余的氧化层和剩余的第一介质层形成侧墙结构，侧墙结构至少位于栅极的侧壁，且侧墙结构的厚度大于栅极的厚度；最后，在栅极的裸露表面上形成金属硅化物。该方法中的第一介质层可以保证后续氧化层刻蚀干净的同时不会过刻蚀，从而保证防止后续金属离子进入外延层中，进而解决了现有技术中金属穿透栅氧化层而导致器件产生漏电现象或短路现象的问题。现象的问题。现象的问题。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制作方法和半导体结构


[0001]本申请涉及半导体
，具体而言，涉及一种半导体结构的制作方法和半导体结构。

技术介绍

[0002]LDMOS(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor，侧向扩散金属氧化物半导体)器件中，形成金属硅化物的步骤如下：1)在多晶硅的栅极区域淀积氮化硅；2)刻蚀形成多晶硅栅极；3)淀积氧化层；4)干法回刻，刻蚀形成栅极的侧墙；5)干法刻蚀掉栅极上面的氮化硅；6)在栅极上淀积金属层，经两次高温退火，自对准地在栅极上形成低电阻金属硅化物。该工艺将栅极金属硅化物和侧墙工艺同时集成，不仅提高了器件的高频特性，减少了器件尺寸对工艺的依存性，而且简化了RF(Radio Frequency，射频)LDMOS的制备工艺流程，降低了工艺成本。但是，在步骤4)中，为了将氧化层刻蚀干净，通常需要过刻蚀，这会使得晶圆上的氧化层减薄，最终可能导致在制作栅极金属硅化物时，金属穿透薄氧化层，使得器件漏电甚至短路。

技术实现思路

[0003]本申请的主要目的在于提供一种半本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底至少包括依次层叠的衬底、外延层、栅氧化层以及位于所述栅氧化层的远离所述衬底的部分表面上的栅极；在所述基底的裸露表面上依次形成层叠的第一介质层和氧化层；至少去除部分所述氧化层和部分所述第一介质层，剩余的所述氧化层和剩余的所述第一介质层形成侧墙结构，所述侧墙结构至少位于所述栅极的侧壁，且所述侧墙结构的厚度大于所述栅极的厚度；在所述栅极的裸露表面上形成金属硅化物。2.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，至少去除部分所述氧化层和部分所述第一介质层，剩余的所述氧化层和剩余的所述第一介质层形成侧墙结构，包括：去除部分所述氧化层，剩余的所述氧化层形成第一侧墙，所述第一侧墙覆盖所述栅极侧壁上的所述第一介质层的部分侧壁；以所述第一侧墙为掩模，去除部分所述第一介质层，使得所述栅极的远离所述衬底的表面以及所述栅氧化层的远离所述衬底的部分表面裸露，剩余的所述第一介质层形成第二侧墙，所述第一侧墙和所述第二侧墙构成侧墙结构。3.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，提供基底，包括：提供所述衬底；在所述衬底的裸露表面上依次形成层叠的所述外延层以及所述栅氧化层；在所述栅氧化层的裸露表面上形成栅极层；去除部分所述栅极层，使得所述栅氧化层的远离所述衬底的部分表面裸露，剩余的所述栅极层形成所述栅极。4.根据权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述基底还包括位于所述栅极的远离所述衬底的表面上的介质部，提供基底，包括：提供所述衬底；在所述衬底的裸露表面上依次形成层叠的所述外延层以及所述栅氧化层；在所述栅氧化层的裸露表面上依次形成层叠的栅极层和第二介质层；去除部分所述第二介质层和部分所述栅极层，使得所述栅氧化层的远离所述衬底的部分表面裸露，剩余的所述栅极层形成栅极，剩余的所述第二介...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯新，
申请(专利权)人：苏州华太电子技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：