【技术实现步骤摘要】
本专利技术特别涉及一种降低接触孔电阻的方法及晶体管器件，属于半导体。
技术介绍
1、在晶圆加工厂过程中，高密度等离子体化学气相淀积(hdp)氧化硅由于填充性好，致密度高，常用来作为底层器件和第一层金属导线之间的层间介质层(ild)。但是hdp工艺会引起等离子损伤(plasma damage)，甚至会造成栅氧化层损伤，影响器件性能。为了防止等离子损伤，臭氧-四乙氧基硅烷(o3-teos)被引入作为层间介质层的材料。由于o3-teos材料制造的二氧化硅含氧量高，蚀刻后形成的接触孔(ct)底部含氧量也较高，导致接触孔填充金属钨后，钨塞的接触电阻是hdp工艺的2.5倍。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的在于提供一种降低接触孔电阻的方法及晶体管器件，用于解决现有技术中采用o3-teos氧化硅替换hdp氧化硅作为层间介质层的材料时造成的接触孔电阻偏大的问题，从而克服了现有技术中的不足。
2、为实现前述专利技术目的，本专利技术采用的技术方案包括：
3、本专利技术一方面提供了一种降低接触孔电阻的方法，包括：
4、在器件结构的表面形成至少一导电结构层，且使所述导电结构层与所述器件结构电连接，所述导电结构层具有第一厚度；
5、在所述器件结构的表面形成臭氧-四乙氧基硅烷层作为层间介质层，且使所述层间介质层覆盖所述导电结构层；
6、至少对所述层间介质层进行退火处理；
7、在所述层间介质层内加工形成至少一通孔，且使至少所述导电结构
8、至少对所述通孔靠近所述导电结构层的底部区域、暴露在所述通孔底部的导电结构层进行等离子体轰击，暴露在所述通孔底部的所述导电结构层的厚度由第一厚度减薄至第二厚度；
9、在所述通孔内填充导电材料从而形成电接触孔，且使所述电接触孔与所述导电结构层电连接；
10、在所述层间介质层上形成金属导线，且使所述金属导线与所述电接触孔电连接。
11、本专利技术另一方面还提供了由所述的降低接触孔电阻的方法获得的晶体管器件。
12、与现有技术相比，本专利技术的优点包括：
13、本专利技术提供一种降低接触孔内钨塞接触电阻的方法，可以解决臭氧-四乙氧基硅烷(o3-teos)取代hdp工艺作为层间介质层而引起的电接触孔的接触电阻偏大的问题，其核心是通过增加淀积o3-teos层间介质层后的高温退火工艺和形成电接触孔前的等离子体轰击工艺来降低接触电阻，其关键是退火处理的温度和氩气轰击造成金属硅化物的减薄厚度需要相互搭配，从而可以得到所需的接触电阻。
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1.一种降低接触孔电阻的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的降低接触孔电阻的方法，其特征在于：所述退火处理的温度为250℃-350℃，退火处理的时间为30min-100min。
3.根据权利要求1所述的降低接触孔电阻的方法，其特征在于：所述通孔沿所述层间介质层的厚度方向贯穿所述层间介质层，并且，所述通孔的径向截面面积沿趋向所述导电结构层的方向逐渐减小。
4.根据权利要求1所述的降低接触孔电阻的方法，其特征在于：所述导电结构层包括第一部分和第二部分，所述第一部分暴露在所述通孔的底部，所述第二部分环绕所述第一部分设置，所述第二部分被所述层间介质层覆盖，经过所述等离子体轰击后，所述第一部分的厚度由第一厚度减薄至第二厚度，所述第二部分的厚度保持第一厚度。
5.根据权利要求1或4所述的降低接触孔电阻的方法，其特征在于：所述第一厚度为150nm-250nm。
6.根据权利要求1或4所述的降低接触孔电阻的方法，其特征在于：暴露在所述通孔底部的所述导电结构层被减薄的厚度为
7.根据权利要求1或4所述的降低接触孔
8.根据权利要求7所述的降低接触孔电阻的方法，其特征在于：所述导电结构层包括金属硅化物层。
9.根据权利要求1所述的降低接触孔电阻的方法，其特征在于：所述导电材料包括金属钨。
10.由权利要求1-9中任一项所述的降低接触孔电阻的方法获得的晶体管器件。
...【技术特征摘要】
1.一种降低接触孔电阻的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的降低接触孔电阻的方法，其特征在于：所述退火处理的温度为250℃-350℃，退火处理的时间为30min-100min。
3.根据权利要求1所述的降低接触孔电阻的方法，其特征在于：所述通孔沿所述层间介质层的厚度方向贯穿所述层间介质层，并且，所述通孔的径向截面面积沿趋向所述导电结构层的方向逐渐减小。
4.根据权利要求1所述的降低接触孔电阻的方法，其特征在于：所述导电结构层包括第一部分和第二部分，所述第一部分暴露在所述通孔的底部，所述第二部分环绕所述第一部分设置，所述第二部分被所述层间介质层覆盖，经过所述等离子体轰击后，所述第一部分的厚度由第一厚度减薄至第二厚度，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵勇，
申请(专利权)人：苏州华太电子技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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