【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制备，具体地，涉及一种探测器结构、集成芯片、电子设备及其制备方法。
技术介绍
1、红外探测器是把红外信号转成电流信号再通过读出电路把电流信号转成电压信号，进一步转成数字信号进行补偿和处理并实现红外成像的半导体器件。现有红外探测器阵列和读出电路通过倒装焊技术连接，对于大阵列红外焦平面阵列(1024*1024以上)，铟柱直径要求小于10um,实现难度非常大，良率很难控制。
2、因此，目前的亟需一种制备工艺要求较低的红外探测器。
技术实现思路
1、为了解决上述技术问题，本申请实施例中提供了一种探测器结构、集成芯片、电子设备及其制备方法。
2、本申请实施例的第一个方面，提供了一种探测器结构，至少包括：
3、在底层衬底表面由下及上设置的读出电路层和探测器件层；所述读出电路层与所述探测器件层之间设置一层退火阻挡层；所述退火阻挡层位于所述读出电路层中绝缘层的顶部；
4、填充有导电物质的层间通孔，开设于所述探测器件层，并延伸至所述读出电路层；
5、孤本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种探测器结构，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的探测器结构，其特征在于，所述读出电路层包括：
3.根据权利要求2所述的探测器结构，其特征在于，所述读出电路层还包括：
4.根据权利要求1所述的探测器结构，其特征在于，所述探测器件层，包括：
5.根据权利要求4所述的探测器结构，其特征在于，所述层间通孔的数量与所述探测器件的数量一致，且一一对应。
6.根据权利要求4所述的探测器结构，其特征在于，所述第二衬底层的厚度为500纳米～1微米。
7.根据权利要求1-6任一项所述的探测器结构，...
【技术特征摘要】
1.一种探测器结构，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的探测器结构，其特征在于，所述读出电路层包括：
3.根据权利要求2所述的探测器结构，其特征在于，所述读出电路层还包括：
4.根据权利要求1所述的探测器结构，其特征在于，所述探测器件层，包括：
5.根据权利要求4所述的探测器结构，其特征在于，所述层间通孔的数量与所述探测器件的数量一致，且一一对应。
6.根据权利要求4所述的探测器结构，其特征在于，所述第二衬底层的厚度为500纳米～1微米。
7.根据权利要求1-6任一项所述的探测器结构，其特征在于，所述探测器结构为红外探测器结构，对应的，所述探测器件层中包含多个红外探测器件。
8.根据权利要求1-6任一项所述的探测器结构，其特征在于，所述层间通孔为tsv钨通孔或者tsv铜通孔。
...【专利技术属性】
技术研发人员：陈亮，杜睿，
申请(专利权)人：苏州华太电子技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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