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本申请实施例提供了一种探测器结构、集成芯片、电子设备及其制备方法,涉及半导体制备技术领域。该探测器结构至少包括:在底层衬底表面由下及上设置的读出电路层和探测器件层;所述读出电路层与所述探测器件层之间设置一层退火阻挡层;所述读出电路层与所述探...该专利属于苏州华太电子技术股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过苏州华太电子技术股份有限公司授权不得商用。
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本申请实施例提供了一种探测器结构、集成芯片、电子设备及其制备方法,涉及半导体制备技术领域。该探测器结构至少包括:在底层衬底表面由下及上设置的读出电路层和探测器件层;所述读出电路层与所述探测器件层之间设置一层退火阻挡层;所述读出电路层与所述探...