一种波浪基区半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种波浪基区结构半导体器件，包括由上至下依次排列的门极p+区、p‑基区和n‑长基区，n‑长基区中心部分向上凸起，p‑基区下表面的中心处设置有凹陷，凹陷与n‑长基区中心处上凸起的部分相适配，使p‑基区与n‑长基区的交界面呈波浪状；本发明专利技术的有益效果是：p‑基区与n‑长基区的交界面呈波浪状，提高了器件关断时载流子抽取速度，增强了器件关断能力，有利于提升器件安全工作能力，且本工艺采用整面掺杂+局部去除的方式，利于提高径向掺杂参数均匀性，提高产品性能，同时降低技术门槛和生产成本，以较小的技术、经济代价实现设计目的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件领域，具体为一种波浪基区结构半导体器件及其制造方法。

技术介绍

1、半导体器件是导电性介于良导电体与绝缘体之间，利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的电子器件，被广泛的应用于各种领域；

2、现有技术中，公布了一种高压快软恢复二极管，其文献号为：cn210325810u，该二极管由阳极p+块或阳极p+区、阳极p区、长基区n、阴极n+环、阴极p+块和阴极n+块组成；所述阳极p+块或阳极p+区分布在阳极p区表面，阳极p+块或阳极p+区与阳极p+块或阳极p+区之间的阳极p区构成阳极区；所述阴极n+块在长基区n表面间隔分布，阴极p+块位于阴极n+块之间，阴极p+块与阴极n+块之间由长基区n隔离，主要应用于igbt、igct、iegt等器件的反向续流。

3、但是，在上述方案中，p基区采用平面基区设计，器件关断时载流子抽取速度较低，器件的关断能力较弱，且器件的安全性和稳定性不高。

技术实现思路

1、为解决上述问题，本专利技术提供一种器件的关断能力较强，稳定性更好的半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种波浪基区结构半导体器件，其包括由上至下依次排列的门极p+区、p-基区和n-长基区，其特征在于：所述的n-长基区中心部分向上凸起，p-基区下表面的中心处设置有凹陷，凹陷与n-长基区中心处上凸起的部分相适配，使p-基区与n-长基区的交界面呈波浪状。

2.根据权利要求1所述的一种波浪基区结构半导体器件，其特征在于：所述的p-基区和n-长基区交界线剖面为梯形。

3.根据权利要求1所述的一种波浪基区结构半导体器件，其特征在于：所述的门极p+区的上表面设置有沟槽，沟槽内设置有阴极n+区，阴极n+区向上凸出。

4.根据权利要求3所述的一种波浪基区结构半导体器...

【技术特征摘要】

1.一种波浪基区结构半导体器件，其包括由上至下依次排列的门极p+区、p-基区和n-长基区，其特征在于：所述的n-长基区中心部分向上凸起，p-基区下表面的中心处设置有凹陷，凹陷与n-长基区中心处上凸起的部分相适配，使p-基区与n-长基区的交界面呈波浪状。

2.根据权利要求1所述的一种波浪基区结构半导体器件，其特征在于：所述的p-基区和n-长基区交界线剖面为梯形。

3.根据权利要求1所述的一种波浪基区结构半导体器件，其特征在于：所述的门极p+区的上表面设置有沟槽，沟槽内设置有阴极n+区，阴极n+区向上凸出。

4.根据权利要求3所述的一种波浪基区...

【专利技术属性】
技术研发人员：王峰瀛，张磊，范晓波，纪卫峰，张岐宁，张刚琦，姚德贵，张嘉涛，
申请(专利权)人：西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：